专利查询
首页
专利评估
登录
注册
昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现装置制造方法及图纸
一种通过将在磁道之间的区域中的矫顽力和剩余磁化减小到极限而消 除了在磁记录时的写模糊现象来制造具有高面记录密度的磁记录介质的方 法。在该制造磁记录介质(10)的方法中,在非磁性基底(1)的至少一侧 上设置磁性层(3),并且在磁性层(3)...
α,β-不饱和醚的制备方法技术
一种制备α,β-不饱和醚的方法,包括在催化剂和具有至少一个能够氢键键合的氢原子的化合物存在下,在气相中热解由下式(2)代表的缩醛以产生由下式(3)代表的α,β-不饱和醚:R1R2CH-CR3(OR4)2.…(2)、R1R2C=C-R3(...
制造乙酸正丙酯和乙酸烯丙酯的方法技术
本发明提供制造乙酸正丙酯的方法,包括使用丙烯、氧气和乙酸作为原材料制造乙酸烯丙酯,随后使用乙酸烯丙酯作为原材料进行氢化反应,该乙酸烯丙酯是通过水解乙酸烯丙酯来制造烯丙醇的方法的中间体;其中,该方法包括光辐射处理步骤和/或臭氧处理步骤。此...
包含N-取代的咪唑的抛光组合物和将铜膜抛光的方法技术
本发明提供了用于抛光铜或铜合金的抛光组合物,包含:氧化剂(A);至少一种选自氨基酸、具有8个或更少碳原子的羧酸、或无机酸的酸(B);具有含8个或更多碳原子的烷基的磺酸(C);具有含8个或更多碳原子的烷基的脂肪酸(D);和下述通式(1)所...
有机电致发光元件及其用途制造技术
本发明的有机电致发光元件包括基体、在所述基体上形成的一对电极 和在所述一对电极之间形成的一个或更多的有机层,所述有机层包含发光 层,其中所述发光层包含下式(1)所示的磷光化合物和电荷传输非共轭聚 合物, 在式(1)中,R1-R8各自独立...
制造焊接电路板的方法技术
本发明涉及制造焊接电路板的方法,包括下述步骤:使印刷线路板上 的导电电路电极的表面具有粘性以形成粘性部分,使仅仅一个焊料粒子粘 附到该粘性部分上,并将该印刷线路板加热,由此使焊料粒子熔融以形成 与该粘性部分相对应且要与电子部件相连的凸点...
含环氧基的有机硅氧烷化合物、转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法技术
本发明的目的在于一种转印材料用固化性组合物,其适合用于可以以高生产量形成微细图案的工艺即紫外纳米压印法;并且有时适合用于热纳米压印法;而且可以形成氟类气体和氧气气体的蚀刻速度选择性高的微细图案。本发明的转印材料用固化性组合物,其特征在于...
用于生产乙酸链烯基酯的催化剂的制备方法技术
本发明涉及一种制备催化剂的方法,所述方法包括至少以下步骤:用 碱溶液浸渍载体的步骤;通过与溶液A接触而进一步浸渍载体的步骤,所 述溶液A至少含有含钯或铂的化合物和含11族元素的化合物;进行还原处 理的步骤;和在载体上负载乙酸盐的步骤,其...
磁记录介质的制造方法以及磁记录和再现装置制造方法及图纸
一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤:在非磁性基底的至少一个 表面上沉积磁性层;以及在所述磁性层中部分地注入原子,从而使已经接 受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化,以形成磁性分离的磁记录图形。 所述注入的步骤包括以下步骤:在所述沉积步...
制造氧化钛粒子的方法技术
在气相中在高温将四氯化钛氧化。对于该氧化,在特定条件下联合进行其中进行迅速加热和迅速冷却的方法和其中使用水蒸气作为氧化气体的方法。这样,可以选择性和有效地制造具有十面体箱形和1纳米至100纳米粒径的氧化钛粒子。
制造磁记录介质的方法技术
在使膜形成之后的磁记录介质从载体脱离的步骤之后且在将下一个膜形成基底附着到载体的步骤之前,执行对沉积并粘附到载体的表面上的碳膜进行在含氧气体中灰化去除的步骤,并且当执行对碳膜进行灰化去除的步骤时,向载体施加脉冲电压偏置。此外,在对碳膜进...
氯丁二烯系聚合物胶乳、及其制造方法技术
本发明提供一种初始接合强度与接触性、耐水性之间的平衡优异的氯丁二烯系聚合物胶乳,该氯丁二烯系聚合物胶乳以2-氯-1,3-丁二烯为主要单体成分,其特征在于,所述聚合物胶乳的固体成分中的凝胶含量不足3质量%,所述聚合物胶乳的固体成分中的四氢...
硫代氨基甲酸酯化合物和光敏性树脂组合物制造技术
本发明的课题是提供高灵敏度且保存性优异的光聚合引发剂组合物、含有该光聚合引发剂组合物的光敏性组合物和适合该光聚合引发剂组合物的硫代氨基甲酸酯化合物。本发明的硫代氨基甲酸酯化合物具有2~6个包含所述式(i)所示的部位和所述式(ii)所示的...
垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置制造方法及图纸
本发明提供一种垂直磁记录介质,其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质,所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成,构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述...
Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯技术
本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法,是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为Ⅲ族元素的Ga的Ⅲ族...
新型环氧化合物及其制备方法技术
本发明提供了通式(Ⅰ)所示的新型环氧化合物及其制备方法:Y-(CH↓[2])↓[3]-Si(OR↑[1])↓[n]R↓[3-n]↑[2],其中Y为下列任一结构式表示的基团,其中,R↑[1]和R↑[2]独立地代表具有1至5个碳原子的烷基,...
III族氮化物半导体发光元件制造技术
本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件,其具有基板(1)和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层(11b、12b)和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层(11a、12a)的多量子阱结构的发光层(10),其中,...
垂直磁记录介质和磁记录再生装置制造方法及图纸
本发明涉及一种垂直磁记录介质,它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,磁记录层由3层以上构成,从基板侧起包含第一磁记录层、第二磁记录层、第三磁记录层,在第二磁记录层和第三磁记录层之间包...
研磨组合物制造技术
本发明提供一种同时具有高平坦性和布线金属的表面腐蚀降低作用的研磨组合物。此类研磨组合物含有下述物质:(A)氧化剂;(B)选自氨基酸、碳原子数为8以下的羧酸、和无机酸中的至少一种酸;(C)浓度为0.01质量%以上,并且烷基碳原子数为8个以...
透明复合材料制造技术
本发明提供了一种透明复合材料,包含可三维交联树脂组合物的固化产物,所述组合物包含分散其中的数均颗粒度为10~300nm且长厚比为10~300的片状无机物质,所述材料对于周围环境变化具有小的热膨胀系数,并且适合用作显示设备用的基材,由此克...
首页
<<
74
75
76
77
78
79
80
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
索尼互动娱乐股份有限公司
758
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
思齐乐私人有限公司
12
青庭智能科技苏州有限公司
14
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
微软技术许可有限责任公司
8923
联想北京有限公司
28609
京东方科技集团股份有限公司
51232