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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
环状硅氧烷化合物、有机电致发光元件及其用途制造技术
本发明的课题是提供一种容易精制、容易提高纯度的新的化合物、和在发光层中使用了该化合物的有机EL元件。本发明提供下述下述式(1)所示的环状硅氧烷化合物和在发光层中使用了该化合物的有机EL元件,式(1)中,R↓[1]和R↓[2]分别独立地为...
烯丙醇共聚物及其制备方法技术
本发明涉及包含以式(1)和(2)表示的结构作为单体单元的烯丙醇共聚物。(在式中,R表示具有2-20个碳原子的脂族烃基,其可以为支化的或者包含环状结构)。本发明的共聚物在与多种树脂的相容性、粘附性、电绝缘性、低吸水性、热稳定性和表面活性效...
稳定性和聚合性改善了的N-甲基-N-乙烯基乙酰胺的制造方法技术
本发明涉及N-甲基-N-乙烯基乙酰胺的制造方法,包括将N-甲基-N-乙烯基乙酰胺中的N-1,3-丁二烯基-N-甲基乙酰胺的含量控制在0.01~150ppm的工序。根据本发明,可以控制作为单体的稳定性和聚合性,可以制造品质稳定的N-甲基-...
含镍的膜的形成材料和其制造方法技术
本发明的目的在于,提供一种用于含镍的膜的形成材料,其熔点低,可以以液体形式使用,且具有较高的蒸气压,进而工业上容易合成,较稳定,在使用CVD法来形成含镍的膜、优选硅化镍膜时容易形成良好的膜。本发明的含镍的膜的形成材料,其特征在于,含有下...
有机发光元件制造技术
本发明的有机发光元件含有夹在阳极与阴极间的至少1层的有机层,其特征在于,上述有机层的至少1层是含有高分子化合物的发光层,所述高分子化合物具有由右述通式(1)所示的聚合性化合物(A)衍生的结构单元,式(1)中,R↑[1]~R↑[33]中的...
环氧树脂固化剂和其制造方法、以及环氧树脂组合物技术
本发明的目的在于,提供一种具有作为环氧树脂的固化剂的合适适用寿命、且具有良好的存储稳定性、并且固化所得的环氧树脂固化物的耐水性、硬度良好的环氧树脂固化剂。本发明是特征在于含有在相对于巯基为α位的碳原子上具有取代基的支化仲或叔硫醇化合物的...
包含泛醌衍生物或其盐的皮肤外用剂和化妆剂及它们的使用方法技术
本发明提供了皮肤外用剂和化妆剂,通过经皮施用,它们有效地获得泛醌衍生物、其盐、泛醌和泛醌醇的预期作用和效果。皮肤外用剂包含泛醌衍生物或其盐作为活性成分。泛醌衍生物由式(1)表示:其中R↑[1]和R↑[2]各自是氢原子或磷酸基,R↑[1]...
发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种流到发光层的电流均匀、来自发光层的光的取出效率高且高辉度的发光二极管(1),其具有:包含发光层(2)的发光部(3)、隔着半导体层(4)与发光部(3)接合的基板(5)、位于发光部(3)的上面的第1电极(6)、位于基板(5)的...
化合物半导体发光元件和其制造方法技术
本发明的目的在于提供在制造工序中成品率良好、具有优异的发光输出功率的化合物半导体发光元件和其制造方法。本发明的化合物半导体发光元件,由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠...
R-T-B系合金和R-T-B系合金的制造方法、R-T-B系稀土类永久磁铁用微粉、R-T-B系稀土类永久磁铁技术
本发明的目的在于,提供R-T-B系合金,其特征在于,其是用于稀土类系永久磁铁的R-T-B系合金(其中,R是以Dy和/或Tb作为必要成分的包含Y的稀土元素中的至少1种以上的元素,T是以Fe作为必要成分的金属,B是硼),该R-T-B系合金具...
用于金属材料的挤压模制造技术
在一些优选实施方式中,用于金属材料的挤压模(10)包括:具有带有逆着挤压方向而面向后方的金属材料压力接收表面(22)的压力接收部(21)的模壳体(20)、设置在模壳体(20)中的阳模(30)和设置在模壳体(20)中的阴模(40)。压力接...
热交换器制造技术
蒸发器(1),在一对集液箱(2、3)之间,由若干个热交换管(15)构成的热交换管组(16),在前后方向隔开间隔地设置成2列。各集液箱(2、3)分别具备2个储液室部(5、6、11、12)。各集液箱(2、3)具备与热交换管(15)连接的第1...
磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置制造方法及图纸
本发明提供一种可使合格率格外地提高并使生产率显著提高的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法的抗蚀剂层形成工序具有:浸渍工序,以内周区域(3)配置于抗蚀剂溶液(11)的液面(11a)上方、并且数据记录区(4)的一部分配置于所述抗蚀...
铝合金成形品的制造方法、铝合金成形品以及生产系统技术方案
本发明提供相比于以往的铝合金锻造在更高温度下的机械强度优异的铝合金成形品的制造方法。本发明为一种铝合金成形品的制造方法,其具有使用由铝合金形成的连铸棒作为坯材的锻造成形工序,铝合金含有10.5质量%~13.5质量%的Si、2.5质量%~...
Ⅲ族氮化物化合物半导体叠层结构体的成膜方法技术
本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的Ⅲ族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层,采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度,或使缓冲层的膜厚为5nm...
半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法技术
本发明提供一种半导体发光元件,其具有:层叠第1覆层、发光层和第2覆层而成的化合物半导体层;在第1覆层上形成的多个第1欧姆电极;在第2覆层上形成的多个第2欧姆电极;形成于化合物半导体层的第1覆层上并与第1欧姆电极导通的透明导电膜;在透明导...
Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯技术
本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物 半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。 该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法,是在基板(11)上至少 层叠由III族氮化物化合物形...
Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯技术
本发明提供使用反应溅射法在基板上形成缓冲层,可在该缓冲层上生长结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯,所述III族氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石形成的基板(11)上层叠至少...
转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法技术
本发明的目的在于提供一种转印材料用固化性组合物,其适合用于可以高生产量形成微细图案的工艺即紫外纳米压印法,有时还适合用于热纳米压印法,并且可以形成氟类气和氧气的蚀刻速度选择性高的微细图案。本发明的转印材料用固化性组合物,其特征在于,含有...
固体电解电容器用基材、使用其的电容器、以及该电容器的制造方法技术
一种固体电解电容器,在表面具有多孔质层的固体电解电容器用基材的分隔阳极部区域和阴极部区域的区域具有多层叠层形成的掩蔽层,其特征在于,该叠层形成的掩蔽层中的、直接在所述固体电解电容器用基材上叠层形成的第1掩蔽层是由耐热性树脂或其前体的溶液...
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