一种自由基聚合性油灰状树脂组合物，其特征在于，含有树脂成分、下述通式(I)表示的芳香族叔胺(C)、有机过氧化物(D)和填料(E)，所述树脂成分含有自由基反应性树脂(A)和、分子中具有(甲基)丙烯酰基的自由基聚合性不饱和单体(B)，式(I...

本发明提供一种富勒烯化合物、含有该富勒烯化合物的磁记录介质用润滑剂以及磁记录介质。本发明的富勒烯化合物的特征在于，其是下述通式(1)所示的由布朗斯台德酸(H

本发明涉及下述式(1)表示的含氟醚化合物。R

提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS

一种玻璃被覆氮化铝粒子的制造方法，具有：第1工序，将氮化铝粒子与包含玻璃成分的组合物粉的混合物利用机械化学法一边赋予剪切力一边进行混合；第2工序，将所述混合物在玻璃成分的玻璃化转变温度以上且2000℃以下的温度下进行热处理；以及第3工序...

本发明提供能够兼顾充分的伸长特性和弹性、且能够确保配合物的保存稳定性的硫醇‑烯固化性组合物。硫醇‑烯固化性组合物的特征在于，含有1分子中具有2个以上巯基且具有异氰尿酸酯骨架的化合物(A)和、选自马来酸二烯丙基酯和富马酸二烯丙基酯中的至少...

提供能够以工业上充分的水平的收率制造六氟‑1,3‑丁二烯的六氟‑1,3‑丁二烯的制造方法。在含有化学式CF

提供一种使用层压材料的接合件，能够在使树脂构件长期稳定的状态下安装，能够得到足够的耐久性，并且能够提高产品价值。本实用新型的对象是一种使用层压材料的接合件(1)，其特征在于，具备在金属层(51)的至少一面侧设有树脂制的被覆层(52)的层...

提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的...

本发明的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板的第1面上层叠的外延层，所述SiC外延晶片中，所述SiC基板的第1面的带状堆垛层错所占的面积被确定，所述SiC基板的第1面的所述带状堆垛层错所占的面积为1/4以下。

本发明涉及：(1)一种粘接剂组合物用胶乳，是包含烯属不饱和单体的聚合物(a1)、表面活性剂(a2)和水性介质的粘接剂组合物用胶乳(A)，上述烯属不饱和单体的聚合物(a1)具有羧基，上述烯属不饱和单体的聚合物(a1)的平均粒径为0.30～...

本发明的N,N‑二取代酰胺的制造方法为使腈与醇在催化剂的存在下进行反应的方法，腈为R

本发明的课题是提供容量表现率高，并且等效串联电阻低的固体电解电容器的制造方法。解决手段是一种固体电解电容器的制造方法，是具有表面具有电介质被膜的由阀作用金属制成的多孔性阳极体、和设置在上述电介质被膜的表面的固体电解质层的固体电解电容器的...

提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L1

提供难以发生作为原料的3,4‑二氯‑1‑丁烯和作为生成物的1,2,3,4‑四氯丁烷的损失、并且能够稳定且经济地制造1,2,3,4‑四氯丁烷的1,2,3,4‑四氯丁烷的制造方法和制造装置。将含有3,4‑二氯‑1‑丁烯的反应液(1)收纳于反...

提供一种聚合物的物理性质预测装置，包括：局部结构数量计算部，从存储部读入通过重复来构成聚合物的结构单位，并使用该结构单位计算该聚合物的局部结构的数量；原子数计算部，计算所述结构单位的原子数；局部结构数量密度计算部，根据所述局部结构的数量...

本公开的目的在于，提供容易得到硬度适合化学机械研磨、且具有所希望的尺寸的细孔的研磨垫的树脂组合物，以及使用该树脂组合物而得的研磨垫和研磨垫的制造方法。一种树脂组合物，含有：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(A)、不饱和树脂(B)、具有烯属不饱...

提供耐弯曲压坏性和耐蚀性优异的高强度Al‑Mg‑Si合金中空挤压材料。铝合金中空挤压材料形成以下结构，含有：Si：0.80～1.25质量％、Mg：0.65～1.20质量％、Fe：0.15～0.30质量％、Mn：0.40～0.80质量％、...

本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L1

本发明的课题在于提供可以得到具有良好导电性和优异耐迁移性的透明导电图案、可以以比较少的工序制造的银纳米线墨，和使用该银纳米线墨而成的透明导电膜。本发明涉及一种银纳米线墨，含有分子内具有脲键的分子量60～250的低分子量脲化合物、银纳米线...