一种聚异氰脲酸酯原料组合物，其包含多官能异氰酸酯、下述式(I)所示的化合物(I)、和环氧化合物。在式(I)中，R

本发明提供能制造维持氮化铝粒子的高导热性、且耐湿性提高的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法、含有含硅氧化物被覆氮化铝粒子的散热性树脂组合物的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子。一种含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造...

本发明涉及一种具有以下结构的离子色谱用填料、其制造方法和离子色谱用柱。所述结构为：在由具有羟基的交联共聚物形成的有机多孔质基材的表面上直接或介由间隔体结合了聚乙烯亚胺，在来自所述聚乙烯亚胺的氮原子上结合了式(1)所示的官能基(式中的符号...

本发明提供包含式(1‑1)所示的树脂和光聚合引发剂的粘着剂组合物。R

本发明提供保存时的稳定性和利用时的稳定性优异的组合物及其制造方法。本发明的组合物包含通式(1)所示的化合物(A)和化合物(B)。化合物(B)为2分子以上的上述化合物(A)通过各化合物(A)所具有的烯属不饱和基彼此结合而成的低聚物。相对于...

本发明提供保存时的稳定性和利用时的稳定性优异的组合物及其制造方法。一种组合物，其包含通式(1)所示的化合物(A)、和通式(2)所示的化合物(B)，相对于化合物(A)100质量份，含有上述化合物(B)0.00002～0.2质量份。(R

一种氧化亚氮的精制方法，其特征在于，包含进行气体分离的工序，在所述进行气体分离的工序中，将含有氧化亚氮的混合气体导入由高分子材料制成的气体分离膜中，选择性地使氧化亚氮透过而进行气体分离。

提供一种电解合成用阳极和电解合成方法，其能够抑制电解电阻，以低功耗电解合成氟气或含氟化合物。用于电解合成氟气的电解合成阳极(3)具备由金属质材料形成的阳极基板(31)以及由碳质材料形成并配置在阳极基板(31)的表面上的碳质层(33)。并...

提供一种电解合成用阳极，其能够抑制阳极效应的产生，同时以简易工序廉价地电解合成氟气或含氟化合物。用于电解合成氟气或含氟化合物的电解合成用阳极(3)具备：由碳质材料形成的阳极基体、和被覆阳极基体的金属被膜。并且，形成金属被膜的金属是镍。

一种组合物，是包含通式(1)所示的化合物(A)和通式(2)所示的化合物(B)的组合物，其中，相对于化合物(A)100质量份，含有化合物(B)0.00002～0.2质量份。(R

该组合物为包含通式(1)所示的化合物(A)、和通式(2)所示的化合物(B)的组合物，其中，相对于上述化合物(A)100质量份，含有上述化合物(B)0.00002～2.0质量份。(R1‑

本发明的课题是提供适合具有宽的应变检测范围的便宜的碳配线基板用的导电性墨液以及使用了该导电性墨液的碳配线基板。解决手段是下述导电性墨液以及具有使用该导电性墨液而形成的配线图案的碳配线基板，所述导电性墨液的特征在于，包含：碳质导电材料(A...

本发明提供一种能够使植物的大小不产生偏差的栽培用板。栽培用板(1)具备：第1孔群(31)，所述第1孔群具有第1孔列(21)和第2孔列(22)，所述第1孔列在长边方向上排列有多个贯通孔(210)，所述第2孔列设置于在短边方向上与第1孔列(...

提供在活性物质彼此和活性物质与集电体之间确保充分的粘结性，抑制包含电极活性物质的浆料中的凝集物的产生，抑制电极活性物质层的裂缝的产生，同时可以充分地确保相对于集电体的剥离强度的用于非水系电池电极用粘合剂的共聚物。用于非水系电池电极用粘合...

本发明的粘接片，其在基材上依次层叠有第一粘接剂层和第二粘接剂层，所述第一粘接剂层至少含有饱和树脂(A)和通过光照射产生气体的气体产生剂，所述第二粘接剂层至少含有不饱和基当量为500～1200的不饱和树脂(B)、和光聚合引发剂。引发剂。

提供一种三氯化硼的制造方法，该制造方法能够以简易的制造工序制造高纯度的三氯化硼，并且难以发生制造管路的堵塞。一种三氯化硼的制造方法，具备：金属氯化工序，使含有氯气的气体与作为杂质含有硼以外的金属的碳化硼即原料碳化硼接触，并使含有氯气的气...

提供反应容器难以产生损伤的三氯化硼的制造方法。一种三氯化硼的制造方法，具有下述工序：在粉粒体状的碳化硼(4)在含有氯气的气体中流动的状态下进行含有氯气的气体中的氯气与碳化硼(4)的反应。气与碳化硼(4)的反应。气与碳化硼(4)的反应。

提供一种焊接方法，其能够抑制液体从进行了激光焊接的部位泄漏。一种焊接方法，是对收纳液体的主体与覆盖主体的开口部的覆盖物的重叠部进行激光焊接的焊接方法，在进行使激光头停止而照射激光的定位焊接之后，进行一边使激光头移动一边向开口部的周围的至...

本发明的课题是提供能够控制加热工序中和加热工序后的卷曲的透明导电膜叠层体及其加工方法。解决手段是一种透明导电膜叠层体，其包含透明导电膜20、和叠层于透明导电膜20的载体膜10，透明导电膜20是厚度T1为5～25μm的由非晶性环烯烃系树脂...

提供没有黑色的点状隆起部的产生而平滑性优异并且针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异的耐蚀性的氟化物皮膜形成用铝合金材料。一种半导体制造装置用的氟化物皮膜形成用铝合金材料(1)，含有Si：0.3质量％～0.8质量％、Mg：0.5质量％～5....