磁记录介质及其制造方法、以及磁记录再生装置制造方法及图纸

提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质及其制造方法、以及磁记录再生装置
本专利技术涉及一种磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁记录再生装置。
技术介绍
近年来，磁盘装置的应用范围越来越广，其重要性越来越高，并且实现了在磁盘装置中所使用的磁记录介质的记录密度的提高。通常，磁记录介质在非磁性衬底上依次形成(成膜)有种子层(seedlayer)、基底层、垂直磁记录层、以及保护层。另外，在很多情况下，磁记录介质在非磁性衬底与种子层之间形成有软磁性层。在此，形成基底层是为了提高垂直磁记录层的晶体取向性，形成种子层是为了提高基底层的晶体取向性。为了提高磁记录介质的记录密度，垂直磁记录层的晶体取向性很重要。在很多情况下，尽管垂直磁记录层由具有hcp结构(hexagonalclose-packedstructure：六方最密堆积结构)的材料构成，但是重要的是其(002)晶面相对于衬底的表面平行，换言之，c轴，即[002]轴沿相对于衬底的表面垂直的方向取向。传统上，为了提高用于构成垂直磁记录层的材料的晶体取向性，与垂直磁记录层同样地，使用具有hcp结构的Ru作为用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁记录介质，在非磁性衬底上依次具有软磁性层、第一种子层、第二种子层、基底层、以及垂直磁记录层，/n所述第一种子层包含MoS

【技术特征摘要】
20190701 JP 2019-1232161.一种磁记录介质，在非磁性衬底上依次具有软磁性层、第一种子层、第二种子层、基底层、以及垂直磁记录层，
所述第一种子层包含MoS2、h-BN、WS2、WSe2或石墨，
所述第二种子层包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN，
所述基底层包含Ru。


2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述第二种子层的平均晶体粒径在3nm～12nm的范围内。


3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，所述第二种子层的厚度在0.5nm～20nm的范围内。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层具有非晶结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川浩太，东佑，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP