本发明公开了一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的砷化镓晶片浸于有机溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第一碱液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第二碱液中清洗；冲水后干燥。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、...

本发明公开了一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的磷化铟晶片浸于预清洗溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗后甩干；浸于柠檬酸液中清洗；置于溢流槽中冲洗后浸泡于水中；单片浸于预清洗溶液中清洗后冲水；单片浸于稀硫酸液中清洗...

磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率...

本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50

VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法，属于VGF晶体生长技术领域，具体涉及一种用于VGF法真空生长超大直径晶体的石英管封焊的方法。本发明方法中使用的是热应力检测合格的石英管和石英管封帽，在将石英管和石英管封帽清洗干净，坩埚装入石...

激光器用砷化镓偏角度为15

VB法制备超高纯多晶锗的方法，属于超高纯锗多晶制备领域。本发明的方法，包括以下步骤：采用VB法定向凝固结晶，将6

基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽...

磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及...

本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，...

本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体...

本实用新型涉及一种锗晶片清洗水槽，属于单晶片加工技术领域，包括外槽和内槽，所述内槽置于外槽内部，所述内槽包括内槽本体和内槽支架，内槽本体嵌接于内槽支架上，所述内槽本体底部开设有出水孔，顶部设置有喷淋管，侧面下部开数孔分别连接注水管和气管...

本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800...

不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm

本发明公开了一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置，由炉体、石墨底座、PBN坩埚和提升装置组成；所述炉体包括6个加热区域和控制加热区域温度的6个温控装置，从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区；...

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内...

单晶料管装料及提取装置，涉及一种单晶料管生长技术领域,尤其涉及一种用于磷化铟单晶生长中使用的装料及提取装置。该装置包括手柄、螺母、加固杆、套筒固定杆、套筒、固定圆盘、垫圈、螺杆；其中，螺杆中间套入套筒，套筒向上依次套入套筒固定杆、加固杆...

应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备，涉及高纯半导体金属材料的提纯。本实用新型包括石英舟、石英管、高频感应加热线圈、支架、丝杆以及区熔小车，石英舟放置在石英管内，石英管固定在支架上方；高频感应加热线圈设置在区熔小车上，且区熔线圈套装在...

水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟，涉及超高纯锗单晶的生长器皿。尤其是一种既能提高锗材料的区熔提纯效果，又能减少锗金属污染的环节和可能性，最大程度的保证锗金属材料的纯度，在特定的加热温度下，有效控制较窄熔区，以缩短杂质扩散路径的应用...

超高纯度锗多晶的制备方法，提供一种通过多次区熔，有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。本发明的制备方法应用于锗多晶制备装置，该制备装置包括石英舟、石英管、区熔线圈、支架、进气管、排气管以及区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈...