【技术实现步骤摘要】
一种锗晶片清洗水槽
[0001]本技术涉及一种锗晶片抛光后清洗的水槽,属于单晶片加工
技术介绍
[0002]目前的晶片清洗主要是单片逐一手工清洗或者单片机械清洗,清洗过程较为复杂繁琐,需要大量的人力物力,且清洗效率低,稳定性也较差。因此,找到一种能够提高清洗效率以及稳定性的方法是非常迫切和重要的,清洗线的出现为解决该问题带来了希望。本技术涉及到的一种锗晶片抛光后清洗水槽,是清洗线的一个重要装置和环节,对清洗后晶片是否合格起到决定性的作用。
技术实现思路
[0003]本技术的主要目的是提供一种锗晶片抛光后清洗水槽,用于解决锗晶片清洗工艺中的喷淋、鼓泡、快速注水排水等问题。
[0004]为实现以上目的,本技术提供以下技术方案:
[0005]一种锗晶片清洗水槽,包括外槽和内槽,所述内槽置于外槽内部,所述内槽包括内槽本体和内槽支架,内槽本体嵌接于内槽支架上,所述内槽本体底部开设有出水孔,顶部设置有喷淋管,侧面下部开数孔分别连接注水管和气管,所述内槽支架内设置有升降台。
[0006]所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锗晶片清洗水槽,其特征在于,包括外槽和内槽,所述内槽置于外槽内部,所述内槽包括内槽本体和内槽支架,内槽本体嵌接于内槽支架上,所述内槽本体底部开设有出水孔,顶部设置有喷淋管,侧面下部开数孔分别连接注水管和气管,所述内槽支架内设置有升降台。2.根据权利要求1所述的一种锗晶片清洗水槽,其特征在于,所述升降台包括气动升降盖板,所述气动升降盖板下固定连接有数个气动阀。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨春柳,刘汉保,赵磊,郭建新,吕欣泽,
申请(专利权)人:云南中科鑫圆晶体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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