一种锗晶片清洗水槽制造技术

本实用新型专利技术涉及一种锗晶片清洗水槽，属于单晶片加工技术领域，包括外槽和内槽，所述内槽置于外槽内部，所述内槽包括内槽本体和内槽支架，内槽本体嵌接于内槽支架上，所述内槽本体底部开设有出水孔，顶部设置有喷淋管，侧面下部开数孔分别连接注水管和气管，所述内槽支架内设置有升降台，本实用新型专利技术通过在内槽本体底部开设出水孔与升降台相配合，实现内槽的快速排水功能，本装置将喷淋、鼓泡、注水排水功能集于一体，各功能既可单独使用也可多种功能相互配合使用，可更高效的清洗锗晶片表面残留的药物，可最大程度的节约用水。可最大程度的节约用水。可最大程度的节约用水。

【技术实现步骤摘要】
一种锗晶片清洗水槽


[0001]本技术涉及一种锗晶片抛光后清洗的水槽，属于单晶片加工


技术介绍

[0002]目前的晶片清洗主要是单片逐一手工清洗或者单片机械清洗，清洗过程较为复杂繁琐，需要大量的人力物力，且清洗效率低，稳定性也较差。因此，找到一种能够提高清洗效率以及稳定性的方法是非常迫切和重要的，清洗线的出现为解决该问题带来了希望。本技术涉及到的一种锗晶片抛光后清洗水槽，是清洗线的一个重要装置和环节，对清洗后晶片是否合格起到决定性的作用。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是提供一种锗晶片抛光后清洗水槽，用于解决锗晶片清洗工艺中的喷淋、鼓泡、快速注水排水等问题。
[0004]为实现以上目的，本技术提供以下技术方案：
[0005]一种锗晶片清洗水槽，包括外槽和内槽，所述内槽置于外槽内部，所述内槽包括内槽本体和内槽支架，内槽本体嵌接于内槽支架上，所述内槽本体底部开设有出水孔，顶部设置有喷淋管，侧面下部开数孔分别连接注水管和气管，所述内槽支架内设置有升降台。
[0006]所述升降台包括气动升降盖板，所述气动升降盖板下固定连接有数个气动阀。
[0007]优选的，所述外槽为矩形，一侧面下部设置有排水孔。
[0008]优选的，所述内槽本体内侧面下部设置有凸缘，凸缘上加装有多孔盖板。
[0009]优选的，所述内槽本体为矩形，顶部设置有阶梯状边框，所述喷淋管为两根，贯穿边框并对称设置于内槽本体两侧。
[0010]本技术通过在内槽本体底部开设出水孔与升降台相配合，实现内槽的快速排水功能，本装置将喷淋、鼓泡、注水排水功能集于一体，各功能既可单独使用也可多种功能相互配合使用，可更高效的清洗锗晶片表面残留的药物，可最大程度的节约用水。
[0011]通过安装多孔盖板，晶片放置在卡塞内再置于多孔盖板上，防止鼓泡时气泡过大使晶片大幅度晃动甚至晶片之间发生碰撞对晶片造成损伤以及注水管注水时水流过急对晶片造成不必要的损伤，同时保证注水时水均匀溢过晶片。
[0012]自下而上注水，可实现清洗过程中水的不断更新，从而达到更好的清洗效果。
附图说明
[0013]图1本技术的整体结构示意图；
[0014]图2本技术的内槽部分结构示意图；
[0015]图3本技术的内槽本体底部结构示意图；
[0016]图4本技术的内槽支架结构示意图；
[0017]图5本技术的升降台结构示意图；
[0018]图6本技术的多孔盖板结构示意图；
[0019]图7本技术的内槽结构剖面图；
[0020]其中：100、外槽；101、排水孔；200、内槽本体；201、喷淋管；202、注水管；203、气管；204、边框；205、凸缘；206、出水孔；207、内槽支架；208、气动升降盖板；209、气动阀；210、多孔盖板。
具体实施方式
[0021]下面结合附图和具体实施例，对本技术作进一步说明。
[0022]实施例1
[0023]如图1
‑
4所示，一种锗晶片清洗水槽，包括外槽100和内槽，外槽、内槽的实际形状不受限制，于本专利技术中，设置为矩形，内槽置于外槽100内部，内槽包括内槽本体200和内槽支架207，内槽本体200嵌接于内槽支架207上，内槽本体200底部开设有出水孔206，顶部设置有喷淋管202，侧面下部开数孔分别连接注水管203和气管204，内槽支架207内设置有升降台，升降台为气动升降平台，或者升降台由一块气动升降盖板208，气动升降盖板208下四角固定连接四个气动阀209构成，气动阀209也可以换成气动杆。
[0024]作为一个实施例，外槽100一侧面下部设置有排水孔101，用于接排水管道排放废水以便集中处理，其排水孔、排水管大小以及排水速度都可以根据要求调整。外槽和内槽之间留有一定空隙，便于内槽的大小变换以及内槽的气管和注水管摆放。
[0025]作为另一个实施例，参考图6和7，内槽本体200内侧面下部设置有凸缘205，凸缘205上加装有多孔盖板210，晶片放置在卡塞内再置于多孔盖板210上，防止鼓泡时气泡过大使晶片大幅度晃动甚至晶片之间发生碰撞对晶片造成损伤以及注水管注水时水流过急对晶片造成不必要的损伤，同时保证注水时水均匀溢过晶片。
[0026]作为另一个实施例，内槽本体200顶部设置有阶梯状边框205，喷淋管202为两根，贯穿边框205并对称设置于内槽本体200两侧，形成交叉喷淋，其喷淋范围覆盖槽内的全部晶片及卡塞盒，喷淋的角度和范围可根据需求进行调节，适用于不同尺寸的晶片。高压水喷淋晶片能够最大程度的冲洗晶片表面脏污，并且水的压力及喷水量可根据需求调整，最大程度的节约用水。
[0027]本技术的使用过程是，首先将数片晶片装入一个卡塞中，卡塞如专利2020221691142可装数片晶片的装置，清洗的前步骤是药液清洗，清洗后晶片上有药液残留，因此放入这个内槽，喷淋管开始启动，相当于一个冲洗晶片的过程，此时的控制升降台的气动阀门是打开的，一边喷淋水一边流走，喷淋一定时间后。喷淋管关闭，排水的阀门关闭（气动阀升起关闭阀门），此时开始由注水管注水，注水时间达到要求后停止注水，气管开始鼓泡，鼓泡一定时间后停止鼓泡并快速排水。水离开晶片以后，取出晶片进入下一个环节。以上功能可单独使用，也可配合使用。
[0028]具体的，参考图5和图7，升降台由四个小气动阀209和一块气动升降盖板208组成，四个四个小气动阀安装在内槽支架207的四个角内测，控制盖板竖直上下运动，内槽本体底部出水孔配合实现快速排水功能，清洗晶片时盖板堵住内槽底部出水孔以便清洗，排水时通过控制气动升降盖板208向下运动，形成的气压差使废水快速流下，实现快速排水，节省时间，同时减少了废水中的药剂残留在内槽内壁上。
[0029]具体的，气管203连接纯净氮气实现鼓泡功能。气管连接气泵，自下而上产生氮气气泡，气泡通过多孔盖板，防止气泡过大使晶片大幅度晃动甚至晶片之间发生碰撞对晶片造成损伤。通过气泡带动水流，增加水的冲刷力，可以更好地清洗晶片，另外对内槽体本身也有清洗作用。
[0030]具体地，注水管202自下而上注水，水从内槽顶部溢出，使得水可不断更新，与上喷淋管配合对晶片进行清洗。再有，通过注水管自下而上注水避免水流直接冲击晶片对其造成损伤，两个注水管子保证了注水的及时性。多孔盖板减缓水流速从而避免由于水的冲击造成晶片损伤。
[0031]上面结合附图对本技术的具体实施例作了详细说明，但是本技术并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下作出各种变化以及应用到不同的场所。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锗晶片清洗水槽，其特征在于，包括外槽和内槽，所述内槽置于外槽内部，所述内槽包括内槽本体和内槽支架，内槽本体嵌接于内槽支架上，所述内槽本体底部开设有出水孔，顶部设置有喷淋管，侧面下部开数孔分别连接注水管和气管，所述内槽支架内设置有升降台。2.根据权利要求1所述的一种锗晶片清洗水槽，其特征在于，所述升降台包括气动升降盖板，所述气动升降盖板下固定连接有数个气动阀。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春柳，刘汉保，赵磊，郭建新，吕欣泽，
申请(专利权)人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：