【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体衬底材料制备，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法。
技术介绍
1、锑化镓是微电子和光电子的基础材料，在制作长波长光纤通信器件方面具有巨大的应用价值，在红外探测器件及红外成像器件，各类传感器等均有广泛用途。对制作高质量锑化镓器件而言，电学性能及位错密度合格的锑化镓单晶必不可少，而锑化镓多晶是用于生产单晶的中间产物。锑在高温下容易挥发，导致化学比偏离，因此直接使用原料进行单晶生长具有较大的局限性，影响晶体结晶质量，预先合成锑化镓多晶成为生产高品质锑化镓单晶的有效手段。在锑化镓多晶合成过程中，锑熔液和镓熔液的混合程度是一个关键因素，因为它直接影响到最终锑化镓晶体的质量和性能。为了促进锑熔液和镓熔液的充分混合，以获得高质量的锑化镓晶体，目前采用的锑化镓多晶合成方法中，大多采用旋转坩埚、或使整个合成装置摆动的方式使混合熔体，以合成原子比1:1的锑化镓多晶，这些方法对设备精度要求较高，作业难度较大，难以实现批量化制备，工业化生产存在一定局限性。
2、公告号为cn117947510的专利技术专利公开了一种锑化镓多晶...
【技术保护点】
1.一种锑化镓多晶的合成系统，其特征在于系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成：
2.基于锑化镓多晶的合成系统的合成方法，其特征在于通过以下步骤实施：
3.如权利要求2所述的基于锑化镓多晶的合成系统的合成方法，其特征在于步骤1）中镓和锑混合的质量比1:1.05。
4.如权利要求2所述的基于锑化镓多晶的合成系统的合成方法，其特征在于步骤1）中容器内先抽真空至1×10-4Pa以下，并充入1个大气压氩气。
【技术特征摘要】
1.一种锑化镓多晶的合成系统，其特征在于系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成：
2.基于锑化镓多晶的合成系统的合成方法，其特征在于通过以下步骤实施：
3.如权利要求2所述的基于锑化...
【专利技术属性】
技术研发人员：王顺金，韦华，韩家贤，李芳艳，唐康中，刘吉才，柳廷龙，刘汉保，赵兴凯，牛应硕，余海龙，张丽萍，骆金秋，黄四江，林作亮，
申请(专利权)人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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