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本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施...
该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司授权不得商用。

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