一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的磷化铟晶片浸于预清洗溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗后甩干；浸于柠檬酸液中清洗；置于溢流槽中冲洗后浸泡于水中；单片浸于预清洗溶液中清洗后冲水；单片浸于稀硫酸液中清洗后冲水并甩干；单片浸于浓硫酸液中清洗；单片冲水并甩干。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、脏污、微颗粒缺陷，获得高洁净表面；可获得表面免清洗晶片，达到Epi

【技术实现步骤摘要】
一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料清洗领域，特别是涉及一种有效改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法。

技术介绍

[0002]磷化铟晶片是许多电子和光电子领域器件的基础衬底材料，基于其制造的包括光模块器件、传感器件、射频器件等都有着广泛的应用和市场，全球尤其是中国对磷化铟晶片的需求每年都在增加。而实现这些器件的制备需要在晶片表面进行外延工艺，在此工艺过程中，磷化铟晶片的表面质量决定了外延工艺的成败以及最终器件的质量。
[0003]目前常规的磷化铟晶片的表面清洗中以SC1溶液为主，这种清洗溶液对于去除表面颗粒作用有一定效果；但SC1对有机物，微颗粒的去除在一道工序中不能被全部去除。由于该工艺对晶片表面残留的液体蜡、脏污、微颗粒等去除并不完全，会导致在较复杂的外延后出现密集点和彗星状缺陷，影响外延良率导致器件端出现异常。
[0004]因此为了有效去除晶片表面药水、脏污、微颗粒缺陷，以获得高洁净表面，达到Epi
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ready要求；有效解决外延中由于液体蜡残留产生的密集点缺陷和微颗粒产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1将抛光结束的磷化铟晶片浸于预清洗溶液中清洗；S2取出清洗后的晶片，置于溢流槽中冲洗后甩干；S3将冲洗结束后晶片浸于柠檬酸液中清洗；S4将步骤S3处理后的晶片置于溢流槽中冲洗后浸泡于水中；S5将步骤S4处理后的晶片单片浸于预清洗溶液中清洗后冲水；S6将步骤S5冲洗结束后晶片单片浸于稀硫酸液中清洗后冲水并甩干；S7将步骤S6处理后的晶片单片浸于浓硫酸液中清洗；S8将步骤S7处理后的晶片单片冲水并甩干。2.根据权利书要求1所述清洗方法，其特征在于，所述S1中预清洗溶液为氢氧化铵和过氧化氢或乙醇和过氧化氢的混和溶液，其中氢氧化铵溶液的质量浓度25至30%，过氧化氢溶液的质量浓度在26至32%，氢氧化铵溶液和过氧化氢溶液或乙醇和过氧化氢体积比在1:2至1：5进行混合使用，浸于预清洗溶液中清洗的清洗时间5至7min，温度在20至25C
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。3.根据权利书要求1所述清洗方法，其特征在于，所述S2中溢流槽冲洗，冲洗水为去离子水，冲洗时间1至3min；甩干方法为通热氮气旋转甩干机干燥，干燥时间为6至8min。4.根据权利书要求1所述清洗方法，其特征在于，所述S3中柠檬酸液为柠檬酸和水组成溶液，柠檬酸溶液质量浓度在3%至5%，温度在20至25C
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵茂旭，刘汉保，韦华，刘建良，杨绍楠，李晓宏，孙清，牛应硕，韩家贤，赵兴凯，王顺金，杨春柳，
申请(专利权)人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：