一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50

【技术实现步骤摘要】
一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法，属于半导体材料


技术介绍

[0002]高纯锗单晶具有高抗辐射、高频、光电性能好的特点，被广泛应用于能源、光电、国防军事、航天航空和现代信息产业等高科技领域，锗衬底化合物半导体叠层电池具有高效率、高电压和高温特性好等优点，锗衬底生长III
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V化合物薄膜太阳电池最高转换效率达到为35%—36.7%，聚光达到40
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44.6%，是目前效率最高的衬底材料，且在今后相当长时期内将会有较快发展。
[0003]高端锗晶片在粗抛过程中，时间一般比较长，达到50
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60min，会对锗晶片背面造成损伤，包括但不限于划痕、擦伤和斑痕等缺陷；因此，在锗晶片粗抛之前，需要在其背面贴膜，避免锗晶片背面在粗抛过程中损伤，但是，粗抛结束后需去除晶片背面固化的黏胶。为了不影响后续锗晶片的清洗，达到开盒即用的标准，在锗晶片进行最终清洗之前需要将其背面固化的黏胶去除。现有技术揭开膜后，直接采用浓硫酸清洗脱胶，但是针对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗用脱胶液，其特征在于，以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50
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90%、高氯酸1
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10%、EDTA
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2Na1
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5%、余量为纯水。2.一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将粗抛光撕膜后的锗晶片放入40
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60℃的权利要求1所述的脱胶液中清洗10
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300s，纯水洗10
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60s甩干；（2）清洗（1）结束后快速放入35
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75℃的硫酸中清洗10
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280s；（3）清洗（2）结束后快速放入15
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45℃硫酸中清洗10
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260s；（4）清洗（3）结束后使用纯水冲洗。3.根据权利要求2所述的一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法，其特征在于，所述步骤（4）中，纯水冲洗的具体步骤为：S1:硫酸清洗结束后快速放入装满纯水的溢流槽中依次进行快排+喷淋清洗10
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240s，喷淋冲洗晶片10
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭建新，刘汉保，韦华，赵磊，吕春富，杨春柳，李国芳，
申请(专利权)人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：