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本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50
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该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司授权不得商用。

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