【技术实现步骤摘要】
水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟
本技术涉及超高纯锗单晶的生长器皿。尤其是一种既能提高锗材料的区熔提纯效果,又能减少锗金属污染的环节和可能性,最大程度的保证锗金属材料的纯度,在特定的加热温度下,有效控制较窄熔区,以缩短杂质扩散路径的应用于水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟。
技术介绍
区熔,即区域熔炼法,是上世纪50年代初期发展起来的一项合成技术,此技术主要为半导体工业提供高纯度的晶体。之后,人们利用这一技术来提纯金属材料,并利用该装置生长高纯的金属单晶材料。区熔提纯高纯金属的设备,一般可分为加热器、移动装置、保护气体和容器四个部分。其中,容器要用耐高温,且在高温下不与锗起化学反应、纯度高、容易清洁处理的材料,一般用纯度较高的石英制成舟形容器。区熔提纯法是利用分凝现象来分离杂质的。一般锗料要从舟头逐渐装到舟尾,舟头的锗块要多一些,但以熔化时不溢出为限。电阻率较高的锗块应装在舟头,下脚料及粉末状装在舟的尾部。经多次区熔提纯后,将含杂质浓度高的尾部和头部进行除去。在进行区熔过程中,位于铜线圈位置的金属被线圈电磁感应加热熔化,熔化液体的宽度即为熔区的宽度,熔区的形状一般为直角倒梯形。随着线圈的匀速移动,沿线圈前进方向一侧的锗金属不断被熔化,另一侧则不断冷却凝固,由于分离系数K小于1的杂质从固体向液体扩散,经过一定次数的区熔,实现将杂质从一端赶到另一端,达到提纯金属的目的。一般锗金属中含有较多的镍、镓、锰、砷、铁和硅。在区熔时,若某种杂质对锗的分凝系数K>1,则熔区通过后,它就集中到锗的首段,例如硼就是如此,若分凝系数K<1,则杂质随着熔区而 ...
【技术保护点】
1.一种水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟,其特征在于该石英舟包括籽晶段(1)、变径段(2)以及等径段(3),籽晶段(1)、变径段(2)以及等径段(3)顺序连接,所述的变径段(2)呈圆锥状,锥度为45°;变径段(2)尾部呈封闭状。
【技术特征摘要】
1.一种水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟,其特征在于该石英舟包括籽晶段(1)、变径段(2)以及等径段(3),籽晶段(1)、变径段(2)以及等径段(3)顺序连接,所述的变径段(2)呈圆锥状,锥度为45°;变径段(2)尾部呈封闭状。2.如权利要求1所述的水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟,其特征在于所述的籽晶段(1)外径为10mm,内径为6mm...
【专利技术属性】
技术研发人员:李学洋,董汝昆,普世坤,惠峰,柳廷龙,钟文,赵燕,张朋,林作亮,陈代凤,滕文,
申请(专利权)人:云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:云南,53
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