一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟，包括石墨舟本体和开设在石墨舟本体内的区熔槽，区熔槽的截面形状为倒梯形结构，在区熔槽的内部安装有隔板，隔板将区熔槽分隔成杂质隔离腔和锗锭区熔腔，且在隔板的顶部加工有溢流凹槽，锗锭区熔腔底部加工有检测线凹槽。本实用新型专利技术不仅提高了区熔槽的容量，有效的提高了区熔锗的产能，而且完全能实现杂质和锗锭的有效分离，有效的减少尾锭的数量，提高了一次区熔的合格率，其区熔的重量提高了1～1.5倍，尾锭的数量降低了10倍，一次区熔的合格率可达到70～80%，具有结构简单、容易操作和实施，运行可靠稳定，可提高生产效率、降低生产成本的优点，易于推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于冶金
，具体涉及一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟。
技术介绍
锗是广泛应用的半导体材料,重要程度仅次于硅,除半导体应用外,锗大量用于红外光学镜头制作,在军事领域和航天领域的应用日趋增多,用锗制成的有机锗还有抗癌等医疗应用,,然而,不论在哪一种应用中,都需要制备高纯锗元素,所以,锗的提纯技术成为了生产高纯锗元素的关键技术,在生产高纯锗元素的技术中,最为广泛的提纯技术则是区熔法,锗锭的区域提纯原理是利用杂质在液相与固相中溶解度不同,当一定长度的锭条上建立起一个狭窄的熔区后，并逐步从一端以确定的速度移向另一端，于是易溶于液相熔区内的杂质随着熔区运动被富集赶到锭的尾端，切去尾端就达到锗高度纯化的目的。在目前,普遍使用的石墨舟其结构是在石墨舟本体内加工有一区熔槽,区熔槽的截面形状为矩形结构,区熔槽的末端设计成锥形,上述的石墨舟在使用的过程中发现,一是提纯锗的区熔次数相对较多，提纯的作用不明显，区熔一次的合格率仅在60%左右，而是区熔石墨舟没的区熔槽的体积相对狭小，每次区熔后得到的锗的产量低，极大的限制了区熔产能的提高，三是传统的区熔槽锋利后的尾锭较多，尾锭本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟，包括石墨舟本体（1）和开设在石墨舟本体（1）内的区熔槽，其特征在于：所述区熔槽的纵截面形状为上底边较长的等腰梯形，在区熔槽的内部安装有与区熔槽纵截面形状相匹配的隔板（2），隔板（2）将区熔槽分隔成杂质隔离腔（3）和锗锭区熔腔（5），杂质隔离腔（3）的长度小于锗锭区熔腔（5）的长度，且在隔板（3）的顶部加工有溢流凹槽（6），溢流凹槽（6）的底部为半圆形，顶部与隔板（2）边缘间为圆滑过渡连接，锗锭区熔腔（5）底部的石墨舟本体（1）上加工有检测线凹槽（4）。

【技术特征摘要】
1.一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟，包括石墨舟本体（1）和开设在石墨舟本体（1）内的区熔槽，其特征在于：所述区熔槽的纵截面形状为上底边较长的等腰梯形，在区熔槽的内部安装有与区熔槽纵截面形状相匹配的隔板（2），隔板（2）将区熔槽分隔成杂质隔离腔（3）和锗锭区熔腔（5），杂质隔离腔（3）的长度小于锗锭区熔腔（5）的长度，且在隔板（3）的顶部加工有溢流凹槽（6），溢流凹槽（6）的底部为半圆形，顶部与隔板（2）边缘间为圆滑过渡连接，锗锭区熔腔（5）底部的石墨舟本体（1）上加工有检测线凹槽（4）。
2.根据权利要求1所述的一种带杂质隔离槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈知江，符世继，何兴军，杨汝雄，彭明清，杨康，马正方，匡子登，杨金彩，白玉琢，
申请(专利权)人：云南北方驰宏光电有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53