一种改善锗单晶片总厚度变化的装置制造方法及图纸

一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，涉及晶体加工技术领域，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内，圆形铁盘压在圆垫上，使所有圆垫表面处于同一平面，圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。本实用新型专利技术的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料，使用时间长，有利于降低成本。

Device for improving total thickness variation of germanium monocrystal chip

A device for improving germanium wafer total thickness variation, relates to the field of processing technology of crystal, in particular to a device to improve the germanium wafer total thickness variation, which is composed of a ceramic disc, no wax pad, round pad, circular iron plate and cylindrical iron structure, surface ceramic plate has a plurality of wax free pad. No wax pad is arranged in the circular groove and the circular pad placed in the circular groove without wax pad, circular iron plate pressure pad in the round, make all round pad surface in the same plane, circular iron plate surface is arranged in the center of a cylindrical block. The utility model relates to an improved germanium wafer total thickness change device, scientific design, simple structure, convenient use, can effectively remove the wax without gap between the pad and the ceramic plate, let no wax pad more firmly and steadily adhered on the surface of the ceramic plate, thereby improving the change of the total thickness of monocrystalline germanium slices. Circular pad for PVC material, used for a long time, can reduce the cost of.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体加工
，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置。
技术介绍
高纯锗单晶具有高抗辐射、高频、光电性能好的特点，被广泛应用于国防军工、航空航天、电子、光导纤维、红外光学、半导体等领域，由此成为了当今世界上非常重要的战略物资。随着科学技术的发展，其用途不断扩展。从锗单晶到晶片需要经过滚磨、切片、倒角、研磨(包括化学腐蚀)、抛光和清洗，其中切片工序和化学腐蚀工序是影响抛光片翘曲度的关键工艺，研磨工艺主要是去除切片工艺给锗单晶片造成的损伤层，抛光工序是控制抛光片TTV(总厚度变化)的关键工艺。而TTV是表面几何参数的一项重要指标，体现了锗单晶片的表面性质，直接影响后序外延工艺和器件性能。在抛光工序中，除了抛光盘转速、抛光头压力、抛光液流量和及抛光速率对锗单晶片TTV的影响之外，无蜡垫粘到陶瓷盘表面后的平整度也是影响锗单晶片TTV的重要因素之一。目前所使用的无蜡垫时常存在不能很牢固的粘在陶瓷盘表面，或两者之间留有空隙的问题，致使抛光后锗单晶片的TTV过大，影响后序外延工艺，降低器件性能。
技术实现思路
本技术所要解决的就是目前使用的无蜡垫粘贴不牢固，与陶瓷片有空隙导致的抛光后锗单晶片的TTV过大的问题，提供一种改善锗单晶片总厚度变化的装置。一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内，圆形铁盘压在圆垫上，使所有圆垫表面处于同一平面，圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。所述的圆垫为聚氯乙烯材料，边缘为圆弧形边型。所述的圆形铁盘表面设置对称把手。所述的圆柱形铁块侧面和圆形铁盘的表面设置防滑垫。所述的圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块表面的平面度公差在1.5μm以下。本技术的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料，使用时间长，有利于降低成本。附图说明图1是本技术装置的结构示意图；图2是圆垫的俯视图;图中，1陶瓷盘，2无蜡垫，3圆垫，4圆形铁盘，5对称把手，6圆柱形铁块，7防滑垫，8圆弧形边型，9圆形凹槽。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。实施例1：一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘1、无蜡垫2、圆垫3和圆形铁盘4构成，陶瓷盘1表面粘有若干个无蜡垫2，无蜡垫2内设置圆形凹槽9，圆垫3放置在无蜡垫2的圆形凹槽9内，圆垫3为聚氯乙烯材料，具有一定的强度和硬度，使用时间长，有利于降低成本，圆垫3边缘为圆弧形边型8，防止无蜡垫2的圆形凹槽9被刮花，进而影响到晶片的质量，厚度为5mm，圆垫3表面设置圆形铁盘4，圆形铁盘4厚度为15mm，重量为20kg，圆形铁盘4表面设置对称把手5，方便移动圆形铁盘4，圆形铁盘4表面中央设置有圆柱形铁块6，圆柱形铁块6直径为150mm，高度为200mm，重量为20kg，以增强挤压力，清除无蜡垫2与陶瓷盘1之间的空隙，圆柱形铁块6侧面和圆形铁盘4的表面设置防滑垫7，增加摩擦力，方便使用。实际工作时，首先将无蜡垫2粘在陶瓷盘1的表面，然后将圆垫3放到无蜡垫2的圆形凹槽9中，再把圆形铁盘4压在圆垫3的上表面，过程中应注意圆形铁盘4的边缘与陶瓷盘1边缘对齐，以使陶瓷盘1表面的无蜡垫2受到均匀的压力。最后将圆柱形铁块6放到圆形铁盘4表面的中心处，过3小时之后，依次取下圆柱形铁块6、圆形铁盘4和圆垫3，接着用水把锗单晶片吸附在无蜡垫2的圆形凹槽9中，然后把陶瓷盘1装到抛光机上进行机械化学抛光。实施例2：一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘1、无蜡垫2、圆垫3和圆形铁盘4构成，陶瓷盘1表面粘有若干个无蜡垫2，无蜡垫2内设置圆形凹槽9，圆垫3放置在无蜡垫2的圆形凹槽9内，圆垫3为聚氯乙烯材料，具有一定的强度和硬度，使用时间长，有利于降低成本，圆垫3边缘为圆弧形边型8，防止无蜡垫2的圆形凹槽9被刮花，进而影响到晶片的质量，厚度为8mm，圆垫3表面设置圆形铁盘4，圆形铁盘4厚度为30mm，重量为30kg，圆形铁盘4表面设置对称把手5，方便移动圆形铁盘4，圆形铁盘4表面中央设置有圆柱形铁块6，圆柱形铁块6直径为200mm，高度为250mm，重量为30kg，以增强挤压力，清除无蜡垫2与陶瓷盘1之间的空隙，圆柱形铁块6侧面和圆形铁盘4的表面设置防滑垫7，增加摩擦力，方便使用。实际工作时，首先将无蜡垫2粘在陶瓷盘1的表面，然后将圆垫3放到无蜡垫2的圆形凹槽9中，再把圆形铁盘4压在圆垫3的上表面，过程中应注意圆形铁盘4的边缘与陶瓷盘1边缘对齐，以使陶瓷盘1表面的无蜡垫2受到均匀的压力。最后将圆柱形铁块6放到圆形铁盘4表面的中心处，过1.5小时之后，依次取下圆柱形铁块6、圆形铁盘4和圆垫3，接着用水把锗单晶片吸附在无蜡垫2的圆形凹槽9中，然后把陶瓷盘1装到抛光机上进行机械化学抛光。如表1所示，使用本技术后，2～6英寸锗单晶片的TTV都得到了很大的改善。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于该装置由陶瓷盘（1）、无蜡垫（2）、圆垫（3）、圆形铁盘（4）和圆柱形铁块（6）构成，陶瓷盘（1）表面粘有若干个无蜡垫（2），无蜡垫（2）内设置圆形凹槽（9），圆垫（3）放置在无蜡垫（2）的圆形凹槽（9）内，圆形铁盘（4）压在圆垫（3）上，使所有圆垫（3）表面处于同一平面，圆形铁盘（4）表面中央设置有圆柱形铁块（6）。

【技术特征摘要】
1.一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于该装置由陶瓷盘（1）、无蜡垫（2）、圆垫（3）、圆形铁盘（4）和圆柱形铁块（6）构成，陶瓷盘（1）表面粘有若干个无蜡垫（2），无蜡垫（2）内设置圆形凹槽（9），圆垫（3）放置在无蜡垫（2）的圆形凹槽（9）内，圆形铁盘（4）压在圆垫（3）上，使所有圆垫（3）表面处于同一平面，圆形铁盘（4）表面中央设置有圆柱形铁块（6）。2.如权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雪峰，肖祥江，吕春富，田东，张李根，董桂杰，段明龙，
申请(专利权)人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司，昆明云锗高新技术有限公司，云南鑫耀半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53