一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯1％-10％；PH调节剂3.5％-10％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。

本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力，在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式，载荷压力的值可以预先设定，或者在切割过程中...

本发明涉及清洗液技术领域，特别是一种适用于精密抛光晶片的有机物去除清洗液。该有机物清洗液由醚和醇两种有机溶剂组成。醚在混合液中所占重量含量为5％到95％，醇所占重量含量为95％到5％。其中醚由下列中选出：甲醚、乙醚、乙二醚、丙醚、丁醚、...

本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒状粉体的粒径大小...

一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒Ｔ形，该上抛光盘位于晶片固定盘的上方；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛...

一种双面抛光机，包括：一内齿圈和一外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；一上抛光盘和一下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在外齿圈内；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；所述双面抛光机还包...

本实用新型提供一种晶片工艺卡具，其特征在于，包括：一底座，该底座为一圆柱体；多个四面锥体，所述四面锥体均匀分布于底座的上表面，所述四面锥体的锥端均朝向底座上表面的中心；多个立柱，该多个立柱直立固定在底座的上表面，且位于两两四面锥体之间。

本实用新型涉及一种片状材料厚度测量装置，包括：一测量底座；一第一固定立柱和一第二固定立柱，该第一固定立柱和第二固定立柱分别固定于测量底座上面的两侧；一测量顶杆，该测量顶杆固定在第一固定立柱的中部，该测量顶杆与第一固定立柱相互垂直；一测量...

一种扩散型兆声波清洗槽，其特征在于，包括：一清洗槽；一兆声阵列，该兆声阵列装在清洗槽的底部下面；一半球体能量扩散结构阵列，该半球体能量扩散结构阵列安装在清洗槽的底部上面，该兆声阵列与半球体能量扩散结构阵列相互对应。本实用新型的扩散型兆声...

本发明属于半导体技术领域，特别是ＬＥＣ法生长体单晶的准备工艺中ＰＢＮ坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加...