信越化学工业株式会社专利技术

信越化学工业株式会社共有3967项专利

  • 本发明提供一种亲水性量子点的制造方法,其特征在于,通过向分散于非极性溶剂中的疏水性量子点添加金属卤化物、两种以上的磷化合物、具有巯基的有机酸或者具有巯基的醇类及非质子性极性溶剂并进行加热,从而进行疏水性量子点的亲水化处理。由此,提供一种...
  • 本发明的磁冷冻材料用原料合金用R1(M11‑xA1x)y的组成式表示。另外,本发明的磁冷冻材料包含用R1(M11‑xA1x)y的组成式表示且具有NaZn13型晶体结构的La(Fe,Si)13化合物作为主相,还包含含有稀土元素(R2)的副...
  • 本发明提供一种双环乙炔醇化合物,其特征在于:所述化合物中的羟基取代的碳原子为与乙炔基键合的三级碳原子,所述化合物中的α碳为桥头碳或在α碳上不存在氢原子、或者满足该两者。由此,可提供不易引发形成为α,β‑不饱和酮的异构反应的双环乙炔醇化合...
  • 本发明提供一种热固性双柠康酰亚胺树脂组合物,其具有适于操作的粘度,且能够获得兼备介电特性(低相对介电常数和低介电损耗角正切)、耐热性的固化物。所述热固性双柠康酰亚胺树脂组合物包含:(A)双柠康酰亚胺化合物,(B)熔点为60℃以下的单柠康...
  • 本发明提供一种导热性双液加成固化型有机硅组合物,其特征在于,所述导热性双液加成固化型有机硅组合物由第一液与第二液组成并包含下述成分:(A)具有烯基的有机聚硅氧烷;(B)有机氢聚硅氧烷;(C)包含具有特定的平均粒径的球状氧化铝粉末(C‑1...
  • 本发明涉及锍盐、酸扩散抑制剂、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明提供光学光刻中无损感度而CDU、LWR等光刻性能优异的化学增幅型抗蚀剂材料使用的酸扩散抑制剂。一种下列通式(1)表示的锍盐。式中,R1、R2、及R3各自独立地表示氟原子、...
  • 本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供下式(A)表示的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。(式中,Z‑...
  • 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中,溶剂溶解性良好,分辨性、LER、图案形状等光刻性能优良,同时在微细图案形成中会抗图案崩塌,蚀刻耐性亦优良的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中,感度及极限分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,含有:含有下式(1)表示的具...
  • 本发明涉及鎓盐型单体、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供具有优异的蚀刻耐性、有机溶剂溶解性和适度的酸强度、并且能够产生扩散小的酸的鎓盐型单体、使用其的包含聚合物键结型酸产生剂的基础聚合物、使用其的化...
  • 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供含有可产生扩散小的酸的鎓盐的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包含(A)光酸产生...
  • 本发明涉及锍盐、酸扩散抑制剂、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明提供光学光刻中无损感度而CDU、LWR等光刻性能优异的化学增幅型抗蚀剂材料使用的酸扩散抑制剂。一种下列通式(1)表示的锍盐。式中,R1、R2、及R3各自独立地表示氟原子、...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中,感度及极限分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,含有:含有具有下式(1)表示...
  • 提供抑制碳纳米管无纺布的厚度、同时作为电磁波屏蔽材料能够充分地发挥特性、处理也容易的、覆盖在电子设备的内部安装的电子部件、配线的电磁波屏蔽膜。电磁波屏蔽膜,其为具有电阻率为0.00005~0.05Ω·cm、厚度为1~500μm的碳纳米管...
  • 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种能够提高图案形成时的分辨性且能够得到LER和图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、以及抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅负型抗蚀剂组成物,包含:(A)光...
  • 本发明涉及鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中,无论正型或负型皆为高感度,分辨率优良,改善EL、LWR、CDU、DOF等光刻性能,且可抑制抗蚀剂图案的崩塌的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的鎓...
  • 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的目的在于提供作为抗反射膜发挥功能,具有优异的碱性过氧化氢水耐性、良好的填埋/平坦化特性、和干蚀刻特性的抗蚀剂下层膜形成用组成物、使用其的图案形成方法、和抗...
  • 本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供下式(A)表示的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。式中,Z‑为...
  • 本发明提供一种反应性高的有机聚硅氧烷化合物和含有其的组合物。该有机聚硅氧烷化合物以下述式(1)表示。在式(1)中,W为二价有机聚硅氧烷残基,L分别独立地为碳原子数为2~12的亚烷基,Xi分别独立地为选自碳原子数为1~18的烷基和以下述式...
  • 由下述通式(1)(式中,Rf为一价或二价的氟聚醚基,Z独立地为三价或四价的有机基团,X独立地为单键或二价的有机基团,α为1或2,β为2或3,不过,式中的羟基为仲羟基)表示、以聚苯乙烯换算的数均分子量为1000~50000的含有氟聚醚基的...