本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4...

提供了生产低取代羟丙基纤维素的方法，其中在醚化反应步骤后安全地进行能够在短时间内实现目标粘度的解聚。更具体地，提供了生产低取代羟丙基纤维素的方法，所述低取代羟丙基纤维素具有按重量计9.5％至16.0％的羟丙基取代度，所述方法至少包括将碱...

本发明提供一种玻璃棒的制造设备和制造方法，即使在玻璃预制体和玻璃棒之间存在诸如60％-95％等较大的直径减小比的情况中，所述制造设备和制造方法也能够抑制所拉延的玻璃棒的直径波动。玻璃预制体的供给速度(V1)被设定为定值，从所测量的拉延前...

本发明提供一种玻璃棒的制造设备及制造方法，其中即使在玻璃预制体和玻璃棒之间存在诸如60％-95％等的较大的直径减小比的情况中，所述设备和方法也能够抑制所拉延的玻璃棒中的直径波动。从所测量的直径数据获取玻璃预制体的用于确定上述比的直径(D...

本发明的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅防尘薄膜组件膜(10)，此防尘薄膜组件膜(10)由包含外框部(20a)和此外框部(20a)的内侧区域的多孔部(网状结构)(20b)的支撑部件(20)支撑着。另外，为了防止防尘薄膜组件膜(10)的表面氧...

本发明涉及一种加成固化型硅组合物、光学元件密封材料及半导体装置，所述加成固化型硅组合物至少包含：(A)由下述通式(1)所表示的化合物；(B)有机硅化合物，所述有机硅化合物的每个分子中具有至少两个键结于硅的氢原子，且所述有机硅化合物不具有...

本发明提供加成固化性无溶剂压敏有机硅粘合剂组合物。该组合物包括(A)含有烯基的聚二有机基硅氧烷；(B)在分子链的两端具有羟基或烷氧基的聚二有机基硅氧烷(a)与在分子中含有R13SiO1/2单元与SiO2单元作为关键组分以及HOSiO3/...

本发明提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，用于在半导体晶片上形成保护膜，所述半导体晶片保护膜形成用薄片的特征在于，具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层，并且，该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面...

本发明提供含氟(甲基)丙烯酰基改性有机硅化合物，含有该化合物的固化性组合物，以及紫外线或电子束固化型硬涂层组合物，所述含氟(甲基)丙烯酰基改性有机硅化合物具有氟化合物的优异特性，同时，与非氟系有机化合物的相容性以及固化性优异。提供含氟(...

提供有机硅底漆，其包含有提供粘合性的组分，该组分是特定结构的含烯基的硅氧烷和/或含有能在暴露于热和/或UV下进行自由基反应的官能团的取代基和具有能与烯基和/或SiH基团反应的基团的取代基。通过将有机硅底漆涂布到纸基材或塑料膜基材上，并将...

一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，...

本发明涉及光纤、光纤预制体及制造光纤预制体的方法。提供如下光纤：在光纤暴露于氢气或者氘气之后能够抑制传输损耗增加。光纤具有芯区、围绕芯区的内包层区、围绕内包层区的沟道区、围绕沟道区的外包层区和被配置于内包层区和沟道区之间的折射率变化区，...

本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58....

本发明涉及荧光体颗粒，发光二极管，以及照明设备和使用它们的液晶面板背光装置。本发明特别涉及一种平均颗粒尺寸为5-50μm和平均球度至多0.3的整体球形的荧光体颗粒。所述荧光体包括具有式(A1-xBx)3C5O12的石榴石相，其中A是Y、...

本发明涉及一种R-T-B稀土烧结磁体，主要由26-36wt％R、0.5-1.5wt％B、0.1-2.0wt％Ni、0.1-3.0wt％Si、0.05-1.0wt％Cu、0.05-4.0wt％M和余量的T和偶存杂质组成，其中R是稀土元素，...

本发明涉及一种掩模相关基板的洗净方法，当根据纯水来洗净从被硫酸离子污染后的掩模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关基板时，对在该洗净中所使用的纯水预先将溶解气体脱气。本发明还涉及一种洗净液供给装置和一种洗净方...

本发明公开一种太阳能电池模块，在该太阳能电池模块中交替地提供了：装有具有受光面和非受光面的第一导电性基板，以及分别形成于受光面和非受光面上的具有互不相同的极性的电极的第一太阳能电池；以及装有具有受光面和非受光面的第二导电性基板，以及分别...

本发明提供了一种制造低成本结合晶片（８）的方法，该方法能使宽带隙半导体（１）的块状晶体尽量薄地转印到处理基板（３）上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板（３）的表面上形成宽带隙半导体薄膜层（４）来制造结合晶片（８），该方法包括以下步骤：...

本发明提供一种制造ＳＯＩ基板的方法，该方法包括以下顺序步骤：将离子注入硅晶片（５）或具有氧化物膜（７）的硅晶片（５），形成离子注入层（２）；对透明绝缘基板的表面以及注入离子的硅晶片和／或注入离子的具有氧化物膜的硅晶片的表面进行表面活化处...

本发明提供一种能够得到具有沟槽型折射率分布、传输损耗小、与标准单模光纤的连接损耗小、并且耐弯特性良好的光纤的光纤母材的制造方法。本发明的光纤母材的制造方法，用于制造至少包括纤芯、第一包层、和含氟的第二包层的光纤母材，该方法的特征在于，包...