一种包括胶原衍生物和胶体溶液的抛光浆料，其有效抛光合成石英玻璃基板。其防止具有可被高灵敏度缺陷探测仪检测到的尺寸的缺陷的形成。

提供一种塑料制品，其中在塑料基材上涂覆有多层树脂层，包括底涂层，其包含聚合物，该聚合物具有引入其中的紫外线吸收性官能团，以及耐候性的硬质涂层，其包括含烷氧基甲硅烷基的二苯甲酮和/或其水解产物的反应产物。

在此公开的是护发化妆品，其包含在以下(i)或(ii)中限定的有机聚硅氧烷：(i)有机聚硅氧烷，其中构成主链的有机聚硅氧烷链段具有由下式(1)表示的取代基，其与所述链段中的至少一个硅原子连接；其中Z是由下式(2)表示的有机基团；(ii)有...

热压合用硅橡胶片材，其用于电气和/或电子设备部件的热压合配线连接工序，其中，在用有机硅树脂填充玻璃布而成的基材布的一面层合热传导性硅橡胶层，进一步层合有机硅保护层，或在所述基材布的两面分别层合热传导性硅橡胶层，在热传导性硅橡胶层上进一步...

本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚...

一种热传导硅脂组合物，其含有：(A)每分子中具有至少两个烯基基团并且具有25℃下5,000至100,000mm2/s的动态粘度的有机基聚硅氧烷；(B)在一个末端具有三官能端基，并由以下通式(2)表示的可水解甲基聚硅氧烷：其中R2表示具有...

一种硅氧烷树脂组合物，其包含(A)分子中含有硅-键合芳基和烯基基团的有机基聚硅氧烷、(B)有机基氢聚硅氧烷和(C)加成反应催化剂，是低气体渗透性的。由其封装的光电器件是非常可靠的。

本发明是一种用以将搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或是形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面一并封装的含纤维树脂基板，其中，具有：树脂含浸纤维基材，其是使热固化性树脂含浸于纤维基材中，并使热固化性树脂半固化或固化而成；及未固...

本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的...

其硅氧烷链用环氧基团封端的有机聚硅氧烷与作为光致产酸剂的氟化烷基氟磷酸盐或者二芳基碘鎓六氟锑酸盐混合。得到具有优良的从压敏粘合剂剥离的性能和对基材的强粘合性的可辐射固化的有机硅组合物。

本发明提供一种硅酮树脂组成物的硬化方法、硬化物以及半导体装置，所述方法，是通过将硅酮树脂组成物进行加热来硬化的方法，该硅酮树脂组成物含有：(A)一分子中具有2个以上烯基的有机聚硅氧烷；(B)一分子中具有2个以上结合于硅原子上的氢原子的有...

制备具有高的气体渗透性的环烯烃加成聚合物的方法，所述方法包括在包含有(A)0价钯化合物，(B)离子性的硼化合物和(C)具有选自具有3至6个碳原子的烷基、环烷基和芳基取代基的膦化合物的多组分催化剂存在下，加成聚合特定类型的环烯烃官能性硅氧...

提供了包含侧链上具有N，N’-双(烷氧基甲基)四氢嘧啶酮或N，N’-双(羟甲基)四氢嘧啶酮结构的重复单元的聚合物。当使用该聚合物配制化学增幅负抗蚀剂组合物并通过光刻加工时，可以形成具有改善的LER和高分辨率优点的精细抗蚀剂图案。

本发明提供制备组合物时的配合时间短、即使不进行热处理也可以制备固化前的塑性回复特性和固化后的耐压缩永久变形特性等优异的混炼型硅橡胶组合物的方法，以及该组合物。本发明为混炼型硅橡胶组合物的制备方法，包括将下述的(A)～(D)在150℃以下...

本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温...

本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外...

本发明公开了一种永磁体旋转机，该永磁体旋转机包括：转子，该转子包括转子芯和嵌入转子芯中的多个永磁体段；以及定子，该定子包括定子芯，该定子芯有多个狭槽和其中的绕组，转子和定子布置成确定在它们之间的间隙；或者该永磁体旋转机包括：转子，该转子...

本发明提供导致单晶硅的质量降低的重金属杂质铬、铁、镍、铜、钴的总含量低的洁净的高纯度多晶硅块。在利用西门子法得到的多晶硅棒的电极侧端附近，铬、铁、镍、铜、钴的总浓度高。因此，在多晶硅棒(100)的破碎工序之前，设置将取出到反应炉外的多晶...

本发明提供一种可将溶液或废液中的SiC或Si无排水污染地回收，制造可用作磨削剂、磨料、磨光剂的碳化硅的方法。本发明提供的碳化硅的制造方法至少包括以下步骤：把至少含有SiC微粒和/或Si微粒的溶液或废液用至少含有碳粉和氧化硅粉的分离助剂进...

本发明提供一种光刻技术用防尘薄膜组件，将其贴附于光掩模上，很少会使光掩模发生变形。本发明的防尘薄膜组件的特征在于：在防尘薄膜组件框架的一个端面，借助粘合剂层綳贴有防尘薄膜，而在防尘薄膜组件框架的另一端面设有粘着剂层，该粘着剂层的光掩模贴...