本发明专利技术的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅防尘薄膜组件膜(10)，此防尘薄膜组件膜(10)由包含外框部(20a)和此外框部(20a)的内侧区域的多孔部(网状结构)(20b)的支撑部件(20)支撑着。另外，为了防止防尘薄膜组件膜(10)的表面氧化，而形成了被覆单晶硅膜露出在外部的部分的抗氧化膜(30a、30b)。支撑部件(20)是通过加工SOI基板的操作基板而获得的，单晶硅防尘薄膜组件膜(10)是由SOI基板的SOI层所获得。防尘薄膜组件膜(10)和支撑部件(20)牢固地结合在一起，所以可以确保充分的机械强度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更详细说来，涉及一种具备对远紫外光(EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料、硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的。
技术介绍
半导体元件的高集成化及微细化进展逐年加快，目前线宽为45nm左右的图案化 (patterning)也逐渐得到实际应用。对于像这样的微细的图案化，通过现有的准分子曝光技术的改良，也就是说通过ArF液浸曝光技术或双重曝光(double exposure)技术等方法也可以应对。但是，对于下一代预定的更为微细化的、线宽为32nm以下的图案化，使用准分子激光的曝光技术则已难以应对，而使用波长比准分子激光更短的光，即主波长为13. 5nm的远紫外(Extreme Ultra Violet, EUV)光的EUV曝光技术成为最受青睐的技术。为了使此EUV曝光技术进入实际应用，对用来防止异物附着于光源、抗蚀膜及光掩模上的防尘用防尘薄膜组件等各要素技术中的技术性课题的解决必不可少。这些要素技术中，关于光源和抗蚀膜目前已经呈现出了显著的进展。而关于左右半导体元件等的制造产率的防尘用防尘薄膜组件，则至今仍遗留着各种尚未解决的课题，成为EUV曝光技术进入实际应用的巨大障碍。用于EUV曝光的防尘薄膜组件所具有的尚未解决的技术性课题具体为(1)开发对EUV光具有高透过性且化学性质稳定的材料；( 使不得已而成为超薄薄膜的透过膜 (防尘薄膜组件膜)具有在固定张力下不产生松弛地加以保持的构成；以及C3)实现在常压下将防尘薄膜组件粘贴至光掩模后，可以在真空下使用等。在这些尚未解决的课题中，所述(1)的问题尤其严重，实际情况是，目前在开发EUV光透过率高且不会因氧化等而经时变化、化学性质稳定的透过膜的材料方面尚无头绪。现有的防尘薄膜组件膜所使用的材料(主要是有机材料)存在下述问题在EUV 光的波长范围内不具有透明性，不能透过EUV光，并且会因光照射而产生分解或劣化。现在虽然尚不知晓在EUV光的波长范围内呈现出完全的透明性的材料，但是硅作为透明性相对较高的材料而受到关注，且在文献等中也有介绍。例如，可以参看 Shroff et al. "EUV pellicle Development for Mask Defect Control,，，Emerging Lithographic Technologies X, Proc of SPIEVol. 6151 615104-1(2006)(文献 1)或 Livinson et al.，United States Patent US6, 623, 893 Bi, "PELLICLE FOR USE IN EUV LITH0GRAPHIY ANDMETHOD OF MAKING SUCH A PELLICLE”(文献2)。但是，所述文献1所报告的EUV曝光用防尘薄膜组件所使用的硅是利用溅镀法 (sputtering)等方法沉积所成的硅膜，此硅膜必为非晶膜，因此EUV波长范围的光的吸收率(吸收系数)会升高。另外，所述文献2所报告的EUV曝光用防尘薄膜组件所使用的硅，前提是其为利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)法等沉积所成的膜，此时的硅膜也是非晶膜或者多晶膜，EUV波长范围的光的吸收率(吸收系数)会升高。除此以外，对于作为防尘薄膜组件膜而粘贴在框架上的状态的硅膜而言，理想的是多少地施加有拉伸应力，但是如果过度施加应力则会导致硅膜破损，因此粘贴硅膜时的温度为室温或者比室温稍高的程度为佳。但是，以如上所述的现有方法形成的硅膜在沉积过程(溅镀工序或CVD工序等)中就已经导入了强应力。另外，因为这些硅膜不是单晶硅膜，所以膜中所含的非晶部分或晶界会导致EUV 光的吸收率(吸收系数)升高、透过率降低。而且，这些硅膜的化学性质也不稳定，容易被氧化，因此对EUV光的透过率会随着时间经过而逐渐降低，并不耐用。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术是鉴于以上所述的问题而作出的，其目的在于提供一种具备对远紫外光 (EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的。解决问题的技术手段为了解决所述课题，本专利技术的光刻用防尘薄膜组件包括支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着。所述光刻用防尘薄膜组件优选的是包括被覆所述防尘薄膜组件膜的表面的抗氧化膜。这种抗氧化膜由例如 SiOx (含 X = 2)、SixNy (含 X y = 3 4)、SiON, SiC、Y2O3> YN, Mo, Ru及1 的群中的至少一种材料形成。所述光刻用防尘薄膜组件优选的是，在所述支撑部件的框部设置了透过气体的过滤器。另外，所述支撑部件可以由硅晶体形成。本专利技术的光刻用防尘薄膜组件的制造方法是制造下述光刻用防尘薄膜组件的方法，此光刻用防尘薄膜组件包括支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着；所述制造方法包括支撑部件形成工序，将在操作基板的表面上经由绝缘层而设置了单晶硅层的SOI基板的所述操作基板局部地去除，从而形成所述外框部和所述多孔部。局部地去除所述操作基板可以通过硅DRIE(反应离子式深硅刻蚀，Silicon Deep Reactive Ion Etching)法进行干法蚀刻来实施。所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述支撑部件形成工序之后，去除露出在所述多孔部的绝缘层部分。另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述支撑部件形成工序之前，从所述操作基板的背面进行研磨，而使此操作基板形成为400 μ m 以下的薄板。另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面设置强化基板。另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成保护膜。所述保护膜形成工序优选的是通过沉积氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)中的任意一种膜来实施。所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成抗氧化膜。另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述支撑部件形成工序之后，于露出在所述多孔部的单晶硅层部分形成抗氧化膜。所述抗氧化膜的形成优选的是通过沉积由SiOx(含χ =幻、SixNy(含χ y = 3 4)、Si0N、SiCJ203、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成的膜来实施。另外，所述抗氧化膜的沉积优选的是通过离子辅助蒸镀法(Ion Beam Assisted Deposition Method)或者辅助气体团簇离子束(Gas Cluster Ion Beam, GCIB)蒸镀法来实施。再者，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序在所述外框部设置透过气体的过滤器。专利技术的效果本专利技术的光刻用防尘薄膜组件构成为包括包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部的支撑部件，及由所述多孔部支撑的单晶硅防尘薄膜组件膜，所以可本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋山昌次，久保田芳宏，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。