一种方法包含：提供包含相应一组第一金属接合衬垫和至少一个第一对准诊断结构的第一晶片；提供包含相应一组第二金属接合衬垫和相应一组第二对准诊断结构的第二晶片；覆叠所述第一晶片和所述第二晶片；测量所述第一对准诊断结构与所述第二对准诊断结构之间...

本发明公开了一种数据存储设备

本发明提供一种磁记录介质，该磁记录介质包括在等离子体抛光的基板或预晶种层上方形成的软磁垫层

本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及

一种磁记录介质，该磁记录介质包括形成在氧化预晶种层上方的软磁性垫层

提供了一种用于视频监控系统的渐进式衰减的数据存储设备和方法

一种数据存储设备包括耦接到控制器的非易失性存储器

本公开一般涉及以确保存储器设备存储位置的基本均匀的工作负载的方式在数据存储设备中创建新的分区。当在分区命名空间(ZNS)系统中接收到分区开放命令时，不是随机地选择未开放分区，而是可以基于存储位置工作负载来对分区进行分类，使得开放的任何新...

一种数据存储设备包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。该数据存储设备支持分区命名空间。该控制器被配置成维护包括每个区域的对应时间戳的区域时间戳表，并且将时间戳添加到存储器设备的每个垃圾收集块。该控制器还被配置成从最后物理块地址(...

本公开的某些方面提供了用于执行存算一体(CIM)计算的技术。一种设备包括CIM模块，该CIM模块被配置为使用乘法累加操作将模拟权重施加到输入数据以生成输出。该设备进一步包括数字权重存储单元，该数字权重存储单元被配置为存储数字权重参考，其...

本公开的某些方面提供了用于执行存算一体(CIM)计算的技术。一种设备包括CIM模块，该CIM模块被配置为使用乘法累加操作将多个模拟权重施加到数据以生成输出。该设备进一步包括数字权重存储单元，该数字权重存储单元被配置为存储数字权重参考，其...

本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、用于安装VCSEL的磁头万向架组件、结合有此类制品的设备，并且涉及用于形成VCSEL的方法。在实施方案中，提供了一种用于形成VCSEL设备的方法。该方法包括：在衬底中形成沟槽；...

一种用于数据存储设备的非易失性存储器(NVM)设备中的数字信号处理(DSP)的系统和方法的方法和装置，该NVM设备包括耦合到NVM裸片的CMOS。根据某些实施方案，由控制器向NVM的CMOS部件提供一个或多个DSP计算，该CMOS部件配...

磁记录介质包括基板、位于基板上的软磁底层以及双晶种层。该双晶种层包括第一晶种层和第二晶种层，该第一晶种层包含第一浓度的NiFe，该第二晶种层包含偏析物和不同于第一浓度的第二浓度的NiFe。第一晶种层可以在软磁底层上，并且第二晶种层在第一...

本发明提供了一种具有保护性多层的热辅助磁记录(HAMR)头，该保护性多层限于滑块的面向盘的表面的窗口，该窗口围绕近场换能器(NFT)端部和写入极端部。该保护性多层由直接处于该NFT端部和该写入极端部上并与它们接触的第一氮化硅膜以及处于该...

本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、用于安装VCSEL的磁头万向架组件、结合有此类制品的设备，并且涉及用于形成VCSEL的工艺。在实施方案中，提供了一种VCSEL设备。该VCSEL设备包括用于安装在滑块上的芯片，...

本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器、用于安装垂直腔表面发射激光器的磁头万向架组件以及结合有此类制品的设备。在实施方案中，提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备。VCSEL设备包括用于安装在滑块上的芯片和两个激光二极管...

在一个具体实施中，一种数据存储设备包括：非易失性存储器设备，所述非易失性存储器设备具有包括多个存储器裸片的存储器块；以及控制器，所述控制器耦接到所述非易失性存储器设备。所述控制器被配置为监测所述数据存储设备的温度并确定所监测的温度是否超...

本文描述了能够使用多种协议与主机计算设备通信的存储设备。这些多协议存储设备(MPSD)可被配置为跨各种协议利用持久性存储器区域(PMR)。通常，这些协议中的一个协议是非易失性存储器快速(NVMe)协议，其提供了利用和管理该存储设备内PM...

公开了一种用于在数据存储系统的一个或多个存储器内实施隐私的方法和装置。在一个实施方案中，将包含个人可识别信息(PII)的传感器数据提供给存储器。在一些实施方案中，所公开的系统和方法的存储器可为易失性的、非易失性的或组合。在一些实施方案中...