一种方法包含通过水平隐形激光照射工艺来使半导体晶片薄化的步骤，以及由此形成的半导体晶片、裸片和装置。在半导体晶片上形成集成电路层之后，可通过将所述晶片的有源表面支撑在旋转卡盘上并在多个循环中将水平定向的激光在旋转晶片内聚焦在不同半径处来...

一种数据存储设备，该数据存储设备包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。该控制器被配置为：发布未对齐事务；确定针对未对齐事务存在传输故障指示；以及利用不同对齐或不同传输大小来重试该未对齐事务。在成功重试该未对齐事务后，针对来自同一...

一种硬盘驱动器，该硬盘驱动器包括：旋转致动器，该旋转致动器围绕枢轴安装，该枢轴具有中空枢转轴，该中空枢转轴具有枢转轴长度；底座，该底座具有枢转凸台轴，该枢转凸台轴包括内螺纹部分并且设置在枢转轴内；和螺钉，该螺钉通过盖与枢转凸台轴的螺纹部...

一种多齿润滑剂，该多齿润滑剂包含根据以下通式附接到多个侧链部分‑(R<subgt;b</subgt;‑R<subgt;e</subgt;)的锚定部分R<subgt;a</subgt;：Ra‑(Rb‑R...

一种存储系统接收取消处理中读取/写入命令的指令。尽管所述命令被取消，所述存储系统仍允许与所述命令相关联的数据继续由所述存储系统中的数据路径处理。然而，在所述数据实际上传递离开所述数据路径之前，控制器确定所述命令被取消且防止所述数据传递离...

本公开整体涉及包括磁记录头的磁记录设备。该磁记录头包括主极、热晶种层以及设置在该主极和该热晶种层之间的自旋电子设备。该自旋电子设备包括两个场生成层(FGL)、两个自旋极化层(SPL)和两个自旋抑制层。该自旋电子设备的该第二SPL驱动该第...

本公开整体涉及包括磁记录头的磁记录设备。该磁记录头包括主极、屏蔽件以及设置在该主极和该屏蔽件之间的自旋电子设备。该自旋电子设备包括两个场生成层(FGL)、两个自旋极化层(SPL)和两个自旋抑制层。该自旋电子设备还包括被设置成与该自旋抑制...

公开了用于热辅助磁记录(HAMR)的各种装置、系统、方法和介质，在一些示例中，这些装置、系统、方法和介质提供了带有位于单个散热片层的相对侧上的两个软垫层(SUL)的HAMR介质。例如，提供了一种包括位于基板上的较低SUL的磁记录介质。该...

本公开一般涉及自旋轨道矩(SOT)磁性隧道结(MTJ)器件，其包括缓冲层、设置在缓冲层上的具有(012)取向的铋锑(BiSb)层、以及设置在BiSb层上的夹层。缓冲层和夹层可以各自独立地为单层材料或多层材料。缓冲层和夹层各自包括共价键合...

一种客户端设备，该客户端设备包括至少一个存储器，该至少一个存储器被配置为至少部分地用作分布式高速缓存中的共享高速缓存。该客户端设备的网络接口被配置为与网络上的一个或多个其他客户端设备进行通信，其中该一个或多个其他客户端设备中的每个客户端...

递归神经网络(RNN)，其中非易失性存储器(NVM)阵列为该RNN提供存储体。该RNN可包括神经图灵机(NTM)，并且该存储体可以是存储在该NVM阵列中的NTM矩阵。在一些示例中，控制该NVM阵列的数据存储设备DSD包括数据存储控制器和...

一种数据存储设备，包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。控制器被配置为将XOR奇偶校验数据存储在主机设备的主机存储器缓冲器(HMB)中，监测存储器设备的健康状况，确定已经达到或超过对应于该存储器设备的一个或多个块的健康状况的阈值...

隧穿磁阻(TMR)器件具有经改进的用于下铁磁层或第一铁磁层的晶种层，从而使两个铁磁层不需要硼。例如RuAl合金等晶种层在沉积在无定形预晶种层上时具有带(001)纹理的B2结晶结构，这意味着(001)平面平行于TMR器件基板的表面。随后沉...

递归神经网络(RNN)，其中非易失性存储器(NVM)阵列为该RNN提供存储体。该RNN可包括神经图灵机(NTM)，并且该存储体可以是存储在该NVM阵列中的NTM矩阵。在一些示例中，控制该NVM阵列的数据存储设备DSD包括数据存储控制器和...

本公开总体上涉及包括具有(012)取向的掺杂铋锑(BiSbE)层的自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)设备。该设备可包括磁性写入头、读取头或MRAM设备。BiSbE层中的掺杂剂增强(012)取向。可以在织构化层上形成BiSbE层以确...

一种数据存储设备包括具有多个耐久性组的存储器设备，以及耦接到该存储器设备的控制器。控制器包括至少一个解码器或至少一个解码器组。控制器被配置成将多个令牌分配给多个耐久性组中的每个耐久性组，从耐久性组接收令牌的支付以访问至少一个解码器或至少...

本发明提供了一种用于待测设备(DUT)的测试装置，该测试装置包括至少一个进气风门和至少一个排气风门。至少一个风扇使再循环流体和外部流体跨测试装置内部的一个或多个DUT移动。在一个方面，测试装置包括门以提供通向室的入口，并且该门包括至少一...

本发明题为“具有深度学习神经网络的非易失性存储器管芯”。提供了用于使用例如管芯内的阵列下电路部件来实现非易失性存储器(NVM)装置的管芯内的深度学习加速器(DLA)或其他神经网络部件的示例性方法和装置。本文所公开的一些方面涉及配置阵列下...

本文公开了用于控制至少一种分子在具有第一粘度的第一流体中的移动的装置、系统和方法。该系统包括由至少一个流体保持表面限定的流体区域、定位在该流体区域中的场响应流体、以及用于生成跨该流体区域的磁场或电场的场发生器。该流体区域是由该至少一种分...

本文公开了一种热辅助磁记录(HAMR)头的实施方案，该HAMR头包括带有尾端斜面的近场换能器(NFT)。还公开了包括那些HAMR头的滑块和数据存储设备，以及制造带有具有尾端斜面的NFT的HAMR头的方法。一种HAMR头包括：波导芯；主极...