【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、盘驱动器中使用的磁介质中的更高的存储位元密度已经将数据单元的大小(体积)减小到单元尺寸受磁材料的晶粒大小限制的程度。尽管可进一步减小晶粒大小，但是存储在单元内的数据可能不是热稳定的。也就是说，在环境温度下的随机热波动可能足以擦除数据。该状态被描述为超顺磁极限，其确定给定磁介质的最大理论存储密度。可通过增大磁介质的矫顽力或通过降低温度来提高该极限。当设计供商业和消费者使用的硬盘驱动器时，降低温度可能不总是可行的。另一方面，提高矫顽力可能造成要求结合更高磁矩材料的写头或诸如垂直记录的技术(或两者)。
2、另一种解决方案使用热来降低磁介质表面上的局部区域的有效矫顽力并在该加热区域内写数据。在将介质冷却到环境温度时，数据状态变得“固定”。该技术被广泛地称为“热辅助(磁)记录”(tar或tamr)、“能量辅助磁记录”(eamr)或“热辅助磁记录”(hamr)。术语“hamr”在本文中用于指所有tar、tamr、eamr和hamr。
3、在hamr中，具有高磁晶各向异性(ku)的磁记录材料在写期间被局部加热以...
【技术保护点】
1.一种热辅助磁记录(HAMR)头，包括：
2.根据权利要求1所述的HAMR头，其中所述第一角度是大约45度。
3.根据权利要求1所述的HAMR头，其中所述第一角度在约15度与约60度之间。
4.根据权利要求1所述的HAMR头，还包括介电层，所述介电层与所述尾端斜面边缘相邻。
5.根据权利要求4所述的HAMR头，还包括极扩散阻挡层，所述极扩散阻挡层位于所述NFT与所述主极之间。
6.根据权利要求5所述的HAMR头，其中所述主极包括与所述HAMR头的所述ABS成第二角度的前端侧面边缘，其中所述第二角度大于零度并
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种热辅助磁记录(hamr)头，包括：
2.根据权利要求1所述的hamr头，其中所述第一角度是大约45度。
3.根据权利要求1所述的hamr头，其中所述第一角度在约15度与约60度之间。
4.根据权利要求1所述的hamr头，还包括介电层，所述介电层与所述尾端斜面边缘相邻。
5.根据权利要求4所述的hamr头，还包括极扩散阻挡层，所述极扩散阻挡层位于所述nft与所述主极之间。
6.根据权利要求5所述的hamr头，其中所述主极包括与所述hamr头的所述abs成第二角度的前端侧面边缘，其中所述第二角度大于零度并且小于90度。
7.根据权利要求6所述的hamr头，其中所述第一角度和所述第二角度近似相等。
8.根据权利要求1所述的hamr头，其中所述主极包括与所述hamr头的所述abs成第二角度的前端侧面边缘，其中所述第二角度大于零度并且小于90度。
9.根据权利要求8所述的hamr头，其中所述第一角度和所述第二角度在约15度与约60度之间。
10.根据权利要求1所述的hamr头，还包括极扩散阻挡层，所述极扩散阻挡层位于所述nft与所述主极之间。
11.根据权利要求1所述的hamr头，其中在所述hamr头的abs视图中的所述nft的形状是基本上矩形的或基本上梯形的。
12.一种数据存储设备，包括：
13.一种制造热辅助磁记录(h...
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