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西部数据技术公司专利技术
西部数据技术公司共有952项专利
具有HMB高速缓存管理的无DRAMSSD制造技术
本公开总体涉及无DRAM SSD中的主存储器缓冲区(HMB)高速缓存管理。HMB是瞬时存储器,并且可能不总是可用的。例如,当数据存储设备与主机设备之间的链路不处于活动状态时,数据存储设备不能访问HMB。将HMB日志放置在安置在数据存储设...
用于多单元映射的存储系统和方法技术方案
本发明提供了一种存储系统,该存储系统具有存储器,该存储器具有可存储非2的幂次方的状态数的存储器单元。映射用于在存储器中分配数据位。该映射可以是正交振幅调制(QAM)映射的修改版本。该映射可由存储系统中的控制器或由存储器管芯完成。在存储器...
通过具有短反馈回路的随机阈值移动的读取电平跟踪制造技术
一种数据存储设备包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。该控制器被配置成确定字线上的读取阈值,调整与该读取阈值相关联的读取阈值电压电平,在该已调整的读取阈值电压电平下确定已调整读取阈值,其中该已调整读取阈值与该读取阈值不同,将该已...
堆叠SSD半导体设备制造技术
一种也被称为固态驱动器的半导体存储器设备,该半导体存储器设备包括热传导部件,诸如用于从半导体封装件中吸走热量的传导涂层。该涂层也可以具有电传导性,以提供对电磁干扰的屏蔽和吸收。在示例中,包括基板的半导体设备可以用焊料球附连到边缘连接器印...
具有改进的导电短柱覆盖度的半导体装置封装制造方法及图纸
一种半导体装置封装包含多层衬底,所述多层衬底包含底部层和顶部层。一个或多个裸片安装在所述衬底的所述顶部层上且电耦合到所述顶部层。电磁干扰(EMI)屏蔽件囊封所述衬底和半导体裸片。第一多个导电短柱定位在所述衬底的所述顶部层的边缘周围。所述...
具有高内应力以减小由冲击力引起的盘偏转的磁记录盘和用于与盘一起使用的方法技术
用于硬盘驱动器(HDD)或其它磁记录设备中的盘。盘是基于盘内的内应力可使盘对冲击力更具抗性的发现而配置。在一个实例中,提供一种盘,其具有厚度不超过0.5毫米且内应力不低于300兆帕的衬底。与相同厚度但具有相对较小内应力的其它盘相比,盘的...
用于编程重新排序以减轻编程干扰的存储系统和方法技术方案
一种存储系统具有组织成字线的存储器。每一字线具有数个串。所述存储系统中的控制器在所述字线中的每一个中改变所述串中的哪一个为最后编程的串。这样做可在所述存储器中的三层级单元用作伪多层级单元时中断屏蔽编程干扰错误。通过中断屏蔽所述编程干扰错...
具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头制造技术
本申请题为“具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头”。微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与...
半导体装置封装模流控制系统和方法制造方法及图纸
一种半导体封装包含:衬底,其具有顶部平坦表面;以及半导体裸片,其安装在所述衬底的所述顶部平坦表面上。接合线将所述半导体裸片电连接至所述衬底。流量控制挡块与所述衬底的所述顶部平坦表面一体地形成,且每一流量控制挡块在接近于所述接合线的位置处...
UFS乱序提示生成制造技术
一种数据存储设备包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。该控制器被配置为使用通用闪存存储(UFS)接口协议与主机设备交互、向该主机设备提供提示、在第一模式与第二模式之间切换、从该存储器设备检索数据,以及将该数据传送到该主机设备。该...
用于在NAND闪存中写入HDD元数据的方法技术
数据存储设备包括耦接到印刷电路板(PCB)的硬盘驱动器、耦接到PCB的易失性存储器设备、耦接到PCB的非易失性存储器设备以及耦接到PCB的控制器,使得控制器与硬盘驱动器、易失性存储器设备和非易失性存储器设备通信。控制器被配置成识别硬盘驱...
用于Unicode变换格式串的正则表达式过滤器制造技术
本发明题为“用于Unicode变换格式串的正则表达式过滤器”。本发明提供了一种装置,该装置包括具有存储器管芯的存储器系统,该存储器系统包括电路,该电路被配置为在第一输入端子处接收多个字节,该多个字节包括多个第一可变长度编码符号的输入流,...
具有钨预晶种层的磁记录介质制造技术
本发明公开各种设备、系统、方法和介质以提供具有钨(W)预晶种层的磁记录介质。所述W预晶种层具有比具有类似厚度的CrTi预晶种层更高的导电性。在一个实施例中,所述W预晶种层由约95原子百分比或大于95原子百分比的W制成。所述W预晶种层具有...
从HMB丢失恢复的无DRAMSSD制造技术
一种数据存储设备包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。该数据存储设备是无DRAM的。该控制器被配置为:确定与主机设备的主机存储器缓冲区(HMB)的连接丢失;从存储器设备加载闪存转换层(FTL)表的最新副本;生成FTL表的最新副本...
用于外壳和壳体的镍-硼涂层制造技术
本公开的实施方案整体涉及用于电子设备和存储器设备的外壳和壳体,并且更具体地涉及具有镍
具有金属掺杂的封盖层的磁记录介质制造技术
本文公开了各种装置、系统、方法和介质以提供磁记录介质,封盖层掺杂有有效量的金属以控制封盖层中的晶粒间交换耦合。一种磁记录介质包括基板、位于该基板上的磁记录层(MRL)和在该MRL上的封盖层。该封盖层包括Co并掺杂有金属(例如,Ru或Ta...
具有稳定上读取器的磁性读取传感器及相关方法技术
本公开的方面总体上涉及磁性记录装置的磁性记录头。读取头包括第一读取器、绝缘分离层和设置在绝缘分离层上方的第二读取器。第二读取器包括磁籽层和帽层。第二读取器包括设置在磁籽层和帽层之间的第一上自由层,以及设置在第一上自由层和帽层之间的第二上...
用于在易失性存储器中的码字中存储逻辑到物理地址表条目的存储系统和方法技术方案
本发明公开了一种存储系统,该存储系统高速缓存在易失性存储器中读取的逻辑到物理地址表条目。该逻辑到物理地址表条目存储在码字中。存储系统可以改变码字中的条目的数量或尺寸。附加地或另选地,每个码字可以存储完整逻辑到物理地址表条目和部分逻辑到物...
电子设备和存储器设备的外壳制造技术
本公开的实施方案大体上涉及用于例如存储器设备和电子设备的外壳,并且涉及用于形成此类外壳的方法。在实施方案中,提供了一种用于容纳电子设备的至少一部分的制品。该制品包括:第一部件,该第一部件包含热塑性塑料和可生物降解填料或聚合物;和第二部件...
具有数据校验电路的数据存储设备制造技术
本发明公开一种数据存储设备,该数据存储设备包括:非易失性存储器设备,该非易失性存储器设备包括具有多个存储器裸片的存储器块;以及耦接到该存储器设备的控制器。接收存储器访问命令并且执行基于该接收的命令的存储器访问操作。确定在该存储器访问操作...
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