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西部数据技术公司专利技术
西部数据技术公司共有1080项专利
具有铂掺杂CO-BN封盖层的磁记录介质以及与其一起使用的磁记录装置制造方法及图纸
公开了用于热辅助磁记录(HAMR)的各种装置、设备、方法和介质,在一些示例中,这些装置、设备、方法和介质提供了具有铂掺杂CO‑BN封盖层的HAMR介质。在一个示例中,该HAMR介质包括位于磁记录层上的具有在5原子百分比(at.%)至12...
具有热辅助读取过程的磁记录装置制造方法及图纸
本公开描述了一种提供从磁记录介质进行数据的热辅助读取的磁记录装置。还描述了一种被配置为促进该热辅助读取的磁记录介质。该磁记录介质包括在磁记录层上方的亚铁磁封盖层,其中该封盖层被配置为在读取操作或过程期间增强从该磁记录层发出的磁场。该亚铁...
数据存储设备中的交错伺服图案制造技术
本公开描述了用于在数据存储设备中并行自伺服写入交错伺服图案的示例控制电路、数据存储设备和方法。该数据存储设备可以包括在数据存储设备的不同表面上方致动的多个磁头,并且从在两个不同表面上方的两个不同磁头并行接收读取信号。该两个表面的该伺服楔...
硬盘驱动器嵌入式垫圈基部制造技术
硬盘驱动器壳体基部包括从内部侧壁表面延伸到侧壁中的凹槽和嵌入凹槽中的垫圈密封件。在逐渐变大的记录磁盘直径、对应膨胀磁盘护罩和对应较窄基板侧壁的情境中,此类基板被构造为使得第一盖能够与嵌入式垫圈密封件的远离侧壁表面向内延伸的一部分物理地接...
数据存储设备中的并行自伺服写入制造技术
本公开描述了在数据存储设备中进行并行自伺服写入的示例电路、数据存储设备和方法。该数据存储设备可包括在数据存储设备的不同表面上方致动的多个磁头,并且从在两个不同表面上方的两个不同磁头并行接收读取信号。可根据每个读取信号确定位置误差信号,并...
数据存储设备中的并行自伺服写入电路制造技术
本公开描述了在数据存储设备中提供并行自伺服写入的示例电路、数据存储设备和方法。该数据存储设备可包括在存储介质的相应表面上方致动的多个磁头,以及至少两个前置放大器和到通道电路的读取路径。控制电路可选择通过不同前置放大器连接的磁头进行并行自...
自旋轨道平方(SO-SO)逻辑部件制造技术
本公开整体涉及一种利用自旋轨道‑自旋轨道(SO‑SO)逻辑部件的集成电路。该集成电路包括多个SO‑SO逻辑单元,其中每个SO‑SO逻辑单元包括:第一自旋轨道转矩(SOT1)层;第二自旋轨道转矩(SOT2)层;和铁磁层,该铁磁层设置在该S...
存储设备托架和闩锁机构制造技术
一种被构造用于附接到电子设备诸如硬盘驱动器的设备托架机构包括:一对可旋转柄部,该对可旋转柄部在每个柄部的近侧端部处的公共第一枢轴处和远侧端部处的相应第二枢轴处互锁;一对销机构,该对销机构各自联接在相应柄部的该第二枢轴处并且具有突出的闩锁...
精细致动器反作用力消除柔性悬架制造技术
一种用于硬盘驱动器的磁头堆叠组件(HSA)包括滑架,多个臂从该滑架延伸,其中该臂包括在该滑架的每个端部处的外臂和在该外臂之间的内臂,使得每个内臂承载两个悬架组件并且每个外臂仅承载与该外臂的内侧联接的一个悬架组件,其中每个悬架组件包括对应...
具有用于减轻污迹的岛阻挡器的磁头空气轴承设计制造技术
一种用于数据存储设备的滑块可以包括后垫,所述后垫包括记录头、外表面和内表面,其中外表面处于所述介质相邻水平,并且内表面处于第一凹陷水平。滑块还可以包括颗粒阻挡结构,该颗粒阻挡结构包括在后垫的内表面中的孔,其中孔的底表面处于第二凹陷水平,...
数据存储设备移除的检测制造技术
检测数据存储设备从存储系统中移除涉及首先确定存储设备的电连接器的较短引脚与配合电连接器断开连接,诸如通过感测该引脚上的电压降,然后在稍后的时间确定该连接器的较长引脚与该配合连接器断开连接。响应于确定该较长引脚在该较短引脚之后的预定时间段...
包括热稳定材料层的用于热辅助磁记录的近场换能器制造技术
本公开整体涉及用于磁介质驱动器的磁记录头。该磁记录头包括:主极;波导,该波导邻近该主极设置;近场换能器(NFT),该NFT在面向介质的表面(MFS)处耦接在该主极与该波导之间;热分流器,该热分流器设置在该NFT上,该热分流器相对于该MF...
用于数据存储设备的具有减少的烃馏分的氟化介质润滑剂制造技术
一种高度氟化的润滑剂,该高度氟化的润滑剂被配置为被磁记录介质的外涂层吸附。该润滑剂可具有以下结构:R<subgt;1</subgt;‑R<subgt;f</subgt;‑R<subgt;1</subg...
用于HAMR的具有滑块后部安装件的相位相干直列式VCSEL阵列制造技术
本公开涉及对用于磁介质驱动器的磁记录头组件进行预处理。该磁记录头组件包括滑块,该滑块具有面向介质的表面(MFS)、与该MFS相对地设置的顶表面、与该顶表面相邻地设置的后缘表面和设置在该后缘表面上的光栅。竖直腔表面发射激光器(VCSEL)...
用于自旋电子应用的供YBiPt(110)生长的高度织构缓冲层制造技术
本公开整体涉及自旋电子材料堆叠和器件。基于YBiPt的自旋轨道转矩(SOT)堆叠的各种公开的实施方案可用于高温应用。本文公开了自旋电子堆叠中的各种缓冲和/或夹层配置,其可促进以(110)取向的YBiPt的生长,以促进SOT应用中的高自旋...
用于热辅助磁记录的光斑尺寸转换器的辅助芯制造技术
HAMR磁记录头组件中的光斑尺寸转换器(SSC)具有多个分离辅助芯结构。每个分离辅助芯结构包括多个辅助芯以及主波导。每个分离芯还可包括一个或多个侧波导,使得主波导夹在侧波导与顶辅助芯和底辅助芯之间。相邻的分离辅助芯结构可共享辅助芯。分离...
用于SOT器件的BiSbX(012)织构的膜和方法技术
本公开整体涉及包括铋锑(BiSb)层的自旋轨道转矩(SOT)器件。该SOT器件包括种子层和具有(012)取向的BiSb层。该种子层包含以下中的至少一种:非晶/纳米晶材料,该非晶/纳米晶材料具有在约至约范围内的最近邻x射线衍射峰d间距;多...
形成万向缝隙的悬架挠曲部制造技术
本发明题为“形成万向缝隙的悬架挠曲部”。一种用于硬盘驱动器的悬架组件包括负载梁,该负载梁在对应挠曲部的远侧部位处经由中心线焊接部与该挠曲部联接,其中,该挠曲部还包括万向节部位,该万向节部位至少部分地形成为在中心线焊接部附近远离负载梁。万...
对通过纳米孔的分子易位速度的磁控制制造技术
一种用于控制分子通过纳米孔的易位速度的系统可包括:流体室,该流体室包含溶液,该溶液具有与该分子的磁化率不同的磁化率;纳米孔,该纳米孔位于该流体室中;和至少一个磁性部件,该至少一个磁性部件被配置为在该溶液内产生磁场梯度以控制分子通过该纳米...
在热辅助磁记录中使用多扇区反馈的激光模式跳变补偿制造技术
各种例示性方面涉及一种数据存储设备,该数据存储设备包括:磁盘;读取/写入磁头,该读取/写入磁头被配置为从该磁盘读取数据并且向该磁盘写入数据;激光二极管(LD),该LD耦合到近场换能器,该近场换能器被配置为加热该磁盘的该读取/写入磁头附近...
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