垂直腔表面发射激光器和磁头万向架组件制造技术

技术编号:39163627 阅读:24 留言:0更新日期:2023-10-23 15:03
本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器、用于安装垂直腔表面发射激光器的磁头万向架组件以及结合有此类制品的设备。在实施方案中,提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备。VCSEL设备包括用于安装在滑块上的芯片和两个激光二极管电极。芯片具有六个表面,其中芯片的第一表面用于面向滑块,芯片的第二表面与第一表面相对,并且两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。第五表面或第六表面中的一者或多者上。第五表面或第六表面中的一者或多者上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】垂直腔表面发射激光器和磁头万向架组件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年8月31日提交的美国申请17/463,089号的优先权,该美国申请要求2021年6月16日提交的美国临时申请63/211,288号和2021年6月16日提交的美国临时申请63/211,302号的优先权,这些美国临时申请中的每一者的全部内容以引用方式并入本文。

技术介绍


[0003]本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器、用于安装垂直腔表面发射激光器的磁头万向架组件以及结合有此类制品的设备。
[0004]相关领域的描述
[0005]热辅助磁记录(HAMR)是一种改进磁记录介质的记录密度的能量辅助记录技术。在HAMR中,激光源位于写入元件旁边或附近以产生热量,诸如激发近场换能器(NFT)以在磁记录介质的写入位置处产生热量的激光源。一种在HAMR中提供热量的方法涉及使用垂直腔表面发射激光器(VCSEL)来引导激光光源通过磁记录磁头到达磁介质。这里,VCSEL安装在滑块的顶表面,并且一个或多个激光束从VCSEL的底表面发射并且被引导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备,所述设备包括:用于安装在滑块上的芯片,所述芯片具有六个表面,其中:所述芯片的第一表面用于面向所述滑块;所述芯片的第二表面与所述第一表面相对;和两个激光二极管电极,所述两个激光二极管电极以任何组合定位在所述芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。2.根据权利要求1所述的VCSEL设备,其中所述两个激光二极管电极定位在所述第三表面上。3.根据权利要求1所述的VCSEL设备,其中所述两个激光二极管电极定位在所述第三表面和所述第四表面上。4.根据权利要求1所述的VCSEL设备,其中在所述第一表面中设置一个或多个激光孔。5.根据权利要求4所述的VCSEL设备,其中所述VCSEL设备能够发射对应于所述一个或多个激光孔的一道或多道激光。6.根据权利要求4所述的VCSEL设备,其中所述一个或多个激光孔包括2至16个激光孔。7.根据权利要求4所述的VCSEL设备,其中,当所述VCSEL设备具有设置在所述第一表面中的多个激光孔时,所述多个激光孔:由为约1μm至约20μm的距离间隔开;直线排列;以相同频率操作;或者它们的组合。8.根据权利要求1所述的VCSEL设备,所述VCSEL设备还包括沟槽,其中所述激光二极管电极中的每一者定位在所述沟槽中。9.根据权利要求1所述的VCSEL设备,所述VCSEL设备还包括第一沟槽和第二沟槽,其中所述两个激光二极管电极中的第一激光二极管电极定位在所述第一沟槽中,并且所述两个激光二极管电极中的第二激光二极管定位在所述第二沟槽中。10.根据权利要求1所述的VCSEL设备,其中,所述VCSEL设备能够发射多道激光,所述多道激光是相位相干的。11.根据权利要求1所述的VCSEL设备,其中所述VCSEL设备还包括:具有沉积在其上的金属层的沟槽;和所述芯片的所述第一表面上的电极,所述电极耦合到所述金属层,所述芯片的所述第一表面上的所述电极是与所述两个激光二极管电极不同的电极。12.根据权利要求11所述的VCSEL设备,其中所述金属层的一部分设置在侧表面上。13.一种磁介质驱动器,所述磁介质驱动器包括根据权利要求1所述的VCSEL设备。14.一种磁头万向架组件,所述磁头万向架组件包括:悬架;安装在所述悬架上的滑块;和安装在所述滑块上的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备,所述VCSEL设备包括:用于安装在所述滑块上的芯片,所述芯片具有六个表面,其中:所述芯片的第一表面耦合到所述滑块的顶表面;并且
所述芯片的第二表面与所述第一表面相对;和两个激光二极管电极,所述两个激光二极管电极以任何组合定位在所述芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。15.根据权利要求14所述的磁头万向架组件,其中所述两个激光二极管电极连接到所述悬架的一个或多个电极。16.根据权利要求14所述的磁头万向架组件,所述磁头万向架组件还包括:主极;近场换能器(NFT),所述NFT耦合在所述主极与前罩之间;和耦合到所述NFT的波导结构,所述波导结构包括耦合到所述NFT的第一波导。17.根据权利要求16所述的磁头万向架组件,其中所述波导结构还包括:多模干涉(MMI)设备,所述MMI设备在第一端处耦合到所述第一波导;和多个第二波导,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:松本拓也
申请(专利权)人:西部数据技术公司
类型:发明
国别省市:

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