用于磁记录介质的双晶种层制造技术

磁记录介质包括基板、位于基板上的软磁底层以及双晶种层。该双晶种层包括第一晶种层和第二晶种层，该第一晶种层包含第一浓度的NiFe，该第二晶种层包含偏析物和不同于第一浓度的第二浓度的NiFe。第一晶种层可以在软磁底层上，并且第二晶种层在第一晶种层上。磁记录介质还可以包括位于双晶种层上的一个或多个磁记录层。带有组分渐变的双晶种层的磁记录介质可以为双晶种层上的包括磁记录层的层提供小晶粒尺寸和良好的晶体学织构。小晶粒尺寸和良好的晶体学织构。小晶粒尺寸和良好的晶体学织构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于磁记录介质的双晶种层
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年6月23日提交的名称为“DUAL SEED LAYER FOR MAGNETIC RECORDING MEDIA”的美国专利申请17/356,044号的优先权和权益，该专利申请的全部内容以引用方式并入本文。


[0003]本公开的各方面涉及磁记录介质，并且更具体地涉及具有带有渐变组分的双晶种层的磁记录介质设计，该双晶种层被配置为提供小晶粒尺寸和良好的晶体学织构。

技术介绍

[0004]磁存储系统诸如硬盘驱动器(HDD)用于静止计算环境和移动计算环境两者中的各种设备中。包含磁存储系统的设备的示例包括数据中心存储系统、台式计算机、便携式笔记本电脑、便携式硬盘驱动器、网络存储系统、高清晰度电视(HDTV)接收器、车辆控制系统、蜂窝电话或移动电话、电视机顶盒、数字相机、数字视频相机、视频游戏控制器和便携式媒体播放器。
[0005]增大HDD的记录密度正变得越来越具有挑战性。增大HDD的面密度容量(ADC)的两个关键方法包括增大介质信噪比(S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：基板；位于所述基板上的软磁底层；双晶种层，所述双晶种层包括：第一晶种层，所述第一晶种层包含第一浓度的NiFe；和第二晶种层，所述第二晶种层包含偏析物和不同于所述第一浓度的第二浓度的NiFe，其中所述第一晶种层在所述软磁底层上，并且所述第二晶种层在所述第一晶种层上；以及位于所述双晶种层上的一个或多个磁记录层。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一晶种层包含：原子百分比在50％至75％范围内的Ni；和原子百分比在15％至35％范围内的Fe。3.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中所述第一晶种层还包含：一种或多种附加金属，所述一种或多种附加金属选自由以下项组成的组：W、Al、Cr、Ta、Mo以及它们的组合。4.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中所述一种或多种附加金属包含：原子百分比在2％至12％范围内的W；和原子百分比在0.5％至3％范围内的Al。5.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中所述第一晶种层基本上不含氧化物。6.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中：所述第二晶种层的所述偏析物包含氧化物，并且所述第二晶种层中的Ni和Fe中的一者或两者的所述原子百分比小于所述第一晶种层中包含的Ni和Fe的相应原子百分比。7.根据权利要求6所述的磁记录介质，其中所述氧化物的分子百分比在0.5％至8％范围内。8.根据权利要求6所述的磁记录介质，其中所述氧化物选自由以下项组成的组：TiO2、SiO2、B2O3、Ta2O5、Cr2O3、MnO以及它们的组合。9.根据权利要求6所述的磁记录介质，其中所述第二晶种层还包含：一种或多种附加金属，所述一种或多种附加金属选自由以下项组成的组：W、Al、Cr、Ta、Mo以及它们的组合。10.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中：所述第二晶种层的所述偏析物包含选自由以下项组成的组的一种或多种金属：W、Al、Cr、Ta、Mo以及它们的组合，并且所述第二晶种层中的Ni和Fe中的一者或两者的所述原子百分比小于所述第一晶种层中包含的Ni和Fe的相应原子百分比。11.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一晶种层包括具有与所述基板的表面平行的密排原子平面的密排晶体学结构。12.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二晶种层包括具有与所述基板的表面平行的密排原子平面的密排晶体学结构。13.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：