本申请公开了一种逻辑控制芯片模块化设计的方法及逻辑控制芯片，该逻辑控制芯片包括至少两个一级子模块，一级子模块包括至少一个二级子模块与至少一个宏单元，一级子模块通过二级子模块控制宏单元，以对存储芯片进行读写操作，存储芯片与逻辑控制芯片三维...

本申请提供一种三维堆叠存储芯片及电子设备。该三维堆叠存储芯片包括：层叠连接的若干存储晶粒和逻辑晶粒；逻辑晶粒与若干存储晶粒层叠连接，且逻辑晶粒包括与外界连通的第一接口；其中，至少一存储晶粒中设置有检测电路，至少一存储晶粒中设置的检测电路...

本申请公开了一种占空比调节电路及芯片。该电路包括第一调节电路及第二调节电路，第一调节电路包括第一路径集合和第二路径集合；第二调节电路包括第三路径集合和第四路径集合；第一路径集合和第四路径集合分别接收第一控制信号和第二控制信号以控制第一路...

本申请提供一种存储芯片和存储芯片的控制方法，存储芯片包括多个存储模块，每一存储模块包括多个存储阵列，每一存储阵列包括：第一存储阵列，第一存储阵列工作于第一存储模式；第二存储阵列，第二存储阵列工作于第二存储模式；控制电路，连接第一存储阵列...

本实用新型涉及集成芯片技术领域，公开了集成芯片以及电子设备。该集成芯片包括：第一晶圆，第一晶圆上包括至少两个第一区域，每一第一区域包括第一目标区域以及至少两个第一晶粒；其中，第一目标区域设置有第一测试图形，第一测试图形与至少两个第一晶粒...

本申请提供一种三维堆叠存储芯片及其控制方法、电子设备。该三维堆叠存储芯片包括堆叠互连的多个存储晶粒，每个存储晶粒分别包括：存储阵列及冗余存储阵列；其中，存储阵列包括多个存储单元以用于存储数据；冗余存储阵列包括多个冗余存储单元以替换存储阵...

本申请公开了一种存储器及其数据操作方法，该存储器包括至少两个存储单元和至少一个缓冲单元，缓冲单元与至少两个存储单元中的两个存储单元连接，缓冲单元从存储单元接收控制信号，基于控制信号对两个存储单元进行数据操作。通过上述方式，能够实现数据移...

本申请公开了一种三维集成芯片的验证方法和验证装置，三维集成芯片包括多个层叠设置且通过键合单元键合连接的子模块，该验证方法包括：获取多个子模块的初始逻辑原理图数据；获取键合单元与相邻两个子模块的连接关系；基于多个子模块的初始逻辑原理图数据...

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种三维集成芯片、三维集成芯片的测试方法以及检测装置。该三维集成芯片包括：至少一个第一芯片；至少一个第二芯片，第二芯片通过互连模块连接第一芯片；其中，第一芯片包括第一电路、第一测试模块，第一电路连接第一测...

本申请提供一种三维堆叠存储芯片的测试方法及三维堆叠存储芯片。该存储芯片包括堆叠互连的至少两个晶粒，该测试方法包括：控制至少两个晶粒中之一获取期望数据；通过至少两个晶粒中之另一的读写数据线得到测试数据，比对测试数据和期望数据以产生相应的比...

本申请实施例提供了一种芯片单元和3D芯片，其中，芯片单元包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔...

本申请实施例提供了一种用于3D芯片的芯片单元、芯片组件和3D芯片，其中，芯片单元包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件...

本申请实施例通过提供一种三维堆叠存储芯片，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述三维堆叠存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键...

本申请实施例提供了一种用于3D芯片的功能芯片，包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，第一导体...

本申请实施例通过提供一种3D存储芯片，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述3D存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相...

本申请实施例通过提供一种存储芯片和3D存储芯片，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合...

本申请实施例提供了一种芯片单元、芯片组件和3D芯片，其中芯片单元包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导...

本申请公开了一种存储阵列失效字线的定位方法及定位装置。该存储阵列失效字线的定位方法包括：对存储阵列的存储单元写第一逻辑数据；遍历存储阵列中至少部分字线，对对应的存储单元进行数据读取操作，得到读取结果；响应于存储单元的读取结果为空，则对应...

本申请涉及芯片测试技术领域。公开了一种数据比对装置、数据比对方法及芯片测试仪，该数据比对装置包括：数据比对模组，数据比对模组包括第一输入端、第二输入端和输出端；第二输入端用于连接外部设备，被配置为从外部设备接收期望数据；第一输入端用于连...

本申请提供一种堆叠半导体芯片及其制备方法、混合材料、电子设备。该堆叠半导体芯片的制备方法包括：提供至少两层晶圆；其中，至少一层晶圆上具有贯通孔；将至少两层晶圆设置于网格上；将流体介质和导电颗粒注入贯通孔中，以通过流体介质的重力作用压实导...