本实用新型发明公开了一种可集成的高压ＬＤＭＯＳ晶体管结构。该结构采用在Ｐ型衬底１与Ｎ型外延层３之间设有埋层２，在Ｎ型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层９作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有Ｎ型多晶硅栅８，其延长部分为场板１２；在漏区内设...

本实用新型公开了一种可集成的高压ＶＤＭＯＳ晶体管结构及其制备方法。其结构采用在Ｎ型外延层４与衬底１的界面上设有Ｎ型埋层２，在Ｎ型外延层上设有Ｐ型体沟道区１１和深Ｎ＋扩散区５及Ｐ型阱６，该Ｐ型体沟道区的四周设有Ｐ型场限环７，该Ｐ型体沟道区...

本发明涉及一种氧敏复合材料的制备方法。主要解决目前制备单一氧化物半导体氧敏材料需要贵金属催化剂，且氧敏特性差的问题，提出了采用氧化钛－氧化铌两种氧化物为源物质，制备复合氧敏材料的方法，其操作步骤为：（１）将两种不同比例的粉料混合搅拌并烧...

本发明涉及微电子技术领域，主要解决降低集成电路温漂和全温程失调问题。本发明从集成电路差分放大器的热电一体分析入手，推导出失调量ε与电学不对称ａ和热学不对称△Ｔ的关系式ε∝１－（１＋ａ）（１－Ｂ△Ｔ／Ｔ↑［２］）。在此基础上提出采用双激光...

本发明涉及一种新原理结构的栅控晶闸管，其特征在于在晶闸管结构的发射区表面或发射区和宽基区表面集成有耗尽型ＭＯＳＦＥＴ，该ＭＯＳ沟道区构成了晶闸管的射结短路，控制器件的关闭。它克服了目前栅控晶闸管所能关闭的电流密度较低、速度较慢、存在寄生...

本发明涉及一种功率半导体器件，该器件主要解决现有半导体器件导通电阻大，导通电流密度小的问题。采用在金属氧化物ＭＯＳ功率场效应管结构中引进寄生的双极晶体管Ｑ，并将两者集成在一起的方案，实现复合型结构的ＭＢＭＴ器件。该器件主要包括有一个ｎ↑...

本发明涉及一种功率半导体器件，该器件主要解决现有器件打开或关断时需提供很大栅极驱动电流的问题。采用在双极静电感应晶体管的结构上，引进功率场效应晶体管的复合结构，整个器件包括一个ｎ↑［＋］衬底和ｎ↑［－］外延层，两个铝接点７与１１，外延层...

本发明涉及一种在蓝宝石衬底上异质外延生长半导体碳化硅薄膜的方法。主要解决在蓝宝石衬底上直接生长碳化硅薄膜时薄膜与衬底之间粘附性差，不易核生长的缺陷。提出一种在蓝宝石衬底与ＳｉＣ薄膜之间介入一层缓冲层作为过渡，以减少晶格失配的生长碳化硅薄...

本发明公开了一种在低温、超高背景真空度的工艺环境下，采用光化学气相淀积设备外延生长硅锗／硅材料的方法。本发明的主要特点是，将ＵＨＶ／ＣＶＤ技术和光ＣＶＤ技术的优点有机地结合起来，在背景真空度优于１×１０＃＋［－７］Ｐａ，反应温度为４００...

本发明公开了一种高速三维集成电路有源层结构及制作方法，以提高现有三维集成电路的速度。其方案是分别采用单晶Ｓｉ和ＳｉＧｅ／Ｓｉ构建新的三维集成电路的两个有源层。其中，第一有源层采用Ｓｉ　　ＳＯＩ或Ｓｉ衬底制作ｎ型沟道ＭＯＳ场效应晶体管ｎＭ...

本发明公开了一种在Ⅲ－Ⅴ族化合物材料上原位淀积ＳｉＯ↓［２］和金属膜的方法，该方法采用电子束ＥＢ真空蒸发，用高纯ＳｉＯ↓［２］颗粒作蒸发源材料，在１个设备的蒸发台内先后完成对ＳｉＯ↓［２］膜和金属膜的两种膜的蒸发。其过程是对片子进行清洗...

本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，其中垂直单晶与衬底表面垂直，外延层与垂直单晶平行，金属层...

本发明公开了一种ＧａＮ半导体系列材料的异质外延方法。该方法是在ＳｉＣ衬底（１１１）面和蓝宝石衬底（０００１）面上，利用金属有机物化学气相淀积ＭＯＣＶＤ工艺，首先淀积过渡层和掩膜，并按照涉及图案刻蚀掩膜，进入并暴露出缓冲层ＡｌＮ作为生长种...

本发明公开了一种等离子体平板显示器选址驱动芯片制备方法。主要解决现有ＰＤＰ选址驱动芯片的高低压兼容问题和生产成本高的问题。采用在不同的外延块上实现高压ＶＤＭＯＳ、ＬＤＭＯＳ管，低压ＮＰＮ、ＣＭＯＳ管的一体化集成，其主要过程是：备片，制作...

本发明公开了一种可集成的高压ＬＤＭＯＳ晶体管结构及其制备方法。其结构采用在Ｐ型衬底１与Ｎ型外延层３之间设有埋层２，在Ｎ型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层９作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有Ｎ型多晶硅栅８，其延长部分为场板１２；在漏区...

本发明公开了一种可集成的高压ＶＤＭＯＳ晶体管结构及其制备方法。其结构采用在Ｎ型外延层４与衬底１的界面上设有Ｎ型埋层２，在Ｎ型外延层上设有Ｐ型体沟道区１１和深Ｎ＋扩散区５及Ｐ型阱６，该Ｐ型体沟道区的四周设有Ｐ型场限环７，该Ｐ型体沟道区的内...

本发明公开了一种在ＧａＡｓ基材料上原位淀积高介电常数Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和金属膜的方法。采用ＥＢ真空蒸发，用高纯Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］颗粒和金属作蒸发源材料，在一台ＥＢ蒸发台内先后完成高介电常数Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜和金属膜的两种膜...

本发明公开了一种ＧａＮ基化合物材料上原位淀积高介电常数Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在ＧａＮ基化合物材料上用４Ｎ以上高纯度Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］颗粒和高纯金属膜作蒸发源，其工艺过程是：先清洗片子和光刻蒸发窗口...

本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用ＥＢ真空蒸发，用９９．９９％以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入ＥＢ蒸发台的钟罩内，抽真空至...

本发明公开了一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法，它涉及金属有机物化学气相淀积生长多量子阱结构的技术领域，其目的是为了解决现有技术存在的两次生长和键合工艺造成的原材料和设备资源的浪费。该制备方法的步骤为：采用蓝宝石、碳化硅或氧化锌材料...