本发明公开了一种ＧａＮ单晶缺陷种类和密度的检测方法，它涉及半导体材料质量检测技术领域，其目的是为了将传统的湿法腐蚀检测技术进行改良以适合ＧａＮ材料的特点，提供一种评估异质外延生长的ＧａＮ单晶薄膜表面层线缺陷情况的方法。本发明通过逐步增大...

本发明公开了一种基于双缓冲柔性衬底的大面积、自支撑宽禁带半导体材料制作方法。主要解决现有技术制作的宽禁带半导体材料存在高缺陷密度、大量裂纹、外延材料厚度过小，无法剥离等技术问题。其技术方案是：首先在硅片上制作ＳＯＩ结构；接着在ＳＯＩ结构...

本发明公开了一种ＳｉＣＯＩ结构材料的制备方法，主要解决ＳｉＣ外延层与ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底间粘附性差的问题。其过程是：首先对Ｓｉ衬底进行标准清洗；再对清洗后的Ｓｉ衬底进行干／湿／干热氧化，得到厚度至少为８００纳米的氧化层，制备出ＳｉＯ...

本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜，利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体，并在衬底上形成介电常数低、热稳定性...

本发明公开了一种基于组份渐变ＧａＮ　　ＭＩＳＦＥＴ的ＧａＮ器件及制备方法。该器件包括底层（１）、缓冲层（２）、本征ＧａＮ材料层（３）、ＡｌＮ隔离层（４）及源（７）、漏（８）、栅（９）极接触，其中ＡｌＮ隔离层上依次设有ＡｌＧａＮ组份渐变层...

本发明公开了一种ＧａＮ基发光二极管表面粗化的处理方法，它涉及半导体光电子器件制造技术领域，其目的在于，采用该方法可以在不影响器件的其它光电特性的情况下，提高器件的光取出率。该方法的实现过程为：（１）在６００℃～７５０℃的低温条件下，生长...

本发明公开了一种ＩｎＡｌＮ／ＧａＮ异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法。其制作过程为：１）在蓝宝石或ＳｉＣ衬底上外延生长１～３μｍ的ＧａＮ层；２）在ＧａＮ层上外延生长厚度为１５～２０ｎｍ的第一ＩｎＡｌＮ层，Ｉｎ组分为３０～３５％...

本发明公开了一种新型增强型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小。可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型ＨＥＭＴ器件。本发明通过在ＡｌＮ成...

本发明公开了一种ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　　ＨＥＭＴ器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长ＧａＮ基材料为核心，在蓝宝石衬底或ＳｉＣ衬底上先淀积隔...

本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差，饱和电压较高的问题。整个器件包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其中栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度，以同时控制源电极和沟道区。...

本发明公开了一种适用于氮化镓（ＧａＮ）器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛／铝／钛／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）欧姆接触可能造成金属侧流和合金表面形貌粗糙的问题。针对铝镓氮／氮化镓异质结高电子迁移率器件（ＡｌＧ...

本发明公开了一种ＧａＮ多层量子点光电材料的制作方法，其过程是：首先用ＭＯＣＶＤ设备在衬底上依次生长低温缓冲层和高温Ｇａ极性面的ｎ－ＡｌＧａＮ基底层（２）；接着对ｎ－ＡｌＧａＮ基底层（２）用熔融ＫＯＨ工艺进行腐蚀，在该ｎ－ＡｌＧａＮ位错的...

本发明公开了一种半绝缘ＳｉＣ半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对ＳｉＣ衬底进行预处理，并在ＳｉＣ衬底上外延ＧａＮ重掺杂层或ＳｉＣ∶Ｇｅ过渡层；在ＧａＮ重掺杂层或ＳｉＣ∶Ｇｅ过渡层上确定欧姆接触...

本发明公开了一种ｎ型ＳｉＣ半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决ｎ型ＳｉＣ材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对ｎ型ＳｉＣ衬底进行预处理，并在ＳｉＣ衬底上通过两次Ｐ↑［＋］离子注入形成ｎ阱；在ｎ阱上通过四次Ｇｅ↑...

本发明公开了一种ＡｌＧａＮ材料表面淀积Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］界面过渡层的抑制方法。其过程是：对淀积有ＡｌＧａＮ外延层的基片进行有机超声清洗，并用流动的去离子水冲洗吹干；放入ＨＣｌ∶ＨＦ∶Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶１∶８的溶液中进行２０～４０ｓ的...

本发明公开了ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＭＩＳＨＥＭＴ器件的制备方法，主要解决ＡｌＧａＮ外延层与Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］介质薄膜界面处过渡层较厚的问题。该制备方法包括：在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ外延层上制备源漏欧姆接触；对ＡｌＧａＮ／ＧａＮ外延层进行刻...

本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶ＳｉＧｅ栅纳米级ＣＭＯＳ集成电路方法。其过程为：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生长Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ／ＳｉＯ↓［２］／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多层结构；将最上层的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蚀成一个窗口，再淀积一层...

本发明公开了一种用微米级工艺制备纳米级ＣＭＯＳ集成电路的方法。其过程为：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生长Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＮ／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多层结构；将最上层的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蚀成一个窗口，再淀积一层ＳｉＯ↓［２］；刻蚀掉表面的Ｓｉ...

本发明公开了一种ＳｉＮ掩蔽技术制备多晶ＳｉＧｅ栅纳米级ＣＭＯＳ集成电路方法。其过程为：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生长Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ／ＳｉＮ／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多层结构；将上层的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蚀成一个窗口，再淀积一层ＳｉＮ；刻蚀掉表...

本发明公开了一种基于ＳｉＮ／ＳｉＯ↓［２］掩蔽技术的纳米级ＣＭＯＳ集成电路制备方法。其过程为：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生长Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多层结构；将最上层的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蚀成一个窗口，再淀积一层Ｓ...