本发明涉及柔性天线馈源大天顶角实现技术。常规天线接收反射信号的天线馈源与反射面为固定连接，反射面的底部设计有旋转调整机构。大型射电望远镜由于口径与接收范围的增大，采用了主动反射面与主动馈源位姿调整方法。主动反射面与主动馈源位姿调整相配合...

本发明涉及提高天线柔索支撑结构刚度的技术。目前采用并联的六根柔索３索引馈源舱１进行大范围的空间运动，该方案存在的最大问题是绕馈源舱本身对称轴扭转刚度较低。本发明的目的是设计一种提高天线柔索支撑结构刚度的技术来增强超大型天线柔索支撑结构的...

本发明公开了一种基于索长／索力的巨型索系并联机器人绳索调整方法，主要解决大跨度索系并联机器人的精确定位问题。该方法首先通过测量仪器，标定站点坐标和塔顶坐标，进而确定出馈源舱的理论姿态角，并将绳索空间形状视为悬链线，解出每个离散点所在位置...

本发明公开了一种基于最佳调整角的大型天线反射面重力预调方法，该方法以天线结构力学分析为基础，根据胡克定律和矢量叠加原理建立天线反射面节点重力变形与仰角的函数关系式；计算任意仰角的反射面变形相对于最佳吻合抛物面的均方误差；针对用户对天线工...

一种空间可展开反射面装置，包括：折叠式环杆、折叠式肋杆和复数个连接关节，其特征在于：每两个折叠式环杆（１）通过一个环杆连接关节（２）连接，构成圆形收拢、展开环结构；每两个折叠式肋杆（３）通过一个肋杆连接关节（４）连接成折叠段，构成收拢、...

本发明公开了一种基于变形反射面天线馈源相位中心与远场方向图的函数关系式的馈源定位方法，该方法以天线结构力学分析为基础，确定反射面面变形节点坐标与外部载荷的关系，分别给出表面误差和馈源误差与远场方向图的函数关系式。综合表面误差和馈源误差对...

本发明公开了一种平板裂缝天线阵面平面度的确定方法，主要解决现有方法没有考虑在实际工况中阵面平面度的变形误差和制造误差对电性能影响的问题。本发明的方法以天线结构力学分析为基础，根据所构建的阵面平面度变形误差和制造误差与电磁场远场方向图的函...

本发明公开了一种反射面天线面板变形数据的预处理方法。该方法以反射面天线的变形数据为处理对象，根据工程中的不同数据类型选择：扇形面板采样点三维坐标、三角形单元结点坐标、四边形单元结点坐标三种不同的数据预处理方法；引入面积坐标和极坐标简化任...

本发明公开了一种平板裂缝天线缝制造精度对电性能影响的预测方法，它属于天线技术领域，其目的是比较准确地预测平板裂缝天线缝制造精度对电性能指标的影响。该方法以工程中搜集的缝制造精度和对应的电性能指标数据为基础，通过数据的处理，转换为缝平均制...

本发明公开了一种基于结构电磁耦合的天线反射面网格划分方法，主要解决现有反射面天线分析时网格划分结构与电磁要求脱节问题。其网格划分过程是：由反射面天线结构分析模型提取反射面网格；根据反射面工作频率的上限，将反射面网格模型变换为规则的几何图...

本发明公开一种基于拟合变形反射面的天线电性能预测方法，主要解决天线设计中机电分离的问题。其过程是：基于天线结构有限元分析，得到反射面变形后的节点位移；根据反射面节点的理论设计坐标和变形后坐标的空间位置关系，对变形反射面进行拟合；利用拟合...

本发明公开了一种双反射面天线系统的机电综合网格划分方法。其具体过程是：由双反射面天线的结构分析模型，分别提取主面网格、副面网格和馈源网格信息；根据天线工作频率的上限，将网格变换为规则的深度图像；根据主面、副面和馈源的结构形式选择标准网格...

本发明公开了一种空间可展开屏蔽面装置。包括：折叠式环杆、环杆连接关节、折叠式肋杆、肋杆连接关节、环肋连接关节和肋框连接关节。折叠式环杆、肋杆通过环杆连接关节、肋杆连接关节可由竖直的收拢状态展开到水平的工作状态。环肋连接关节和肋框连接关节...

本发明公开了一种空间可展开反射面系统。包括：折叠式环杆、折叠式肋杆、连接关节、中心圆筒、充气圆环和牵引绳。其中：折叠式环杆（１）、折叠式肋杆（３）分别与环杆连接关节（２）和肋杆连接关节（４）连接，构成环、肋结构，该环、肋结构通过环肋连接...

本发明公开了一种基于自支撑ＳｉＣ的ＧａＮ器件及制作方法。主要解决现有ＧａＮ器件尺寸小、电学性能差、热导率低等问题。其方法是：首先在Ｓｉ片上制作掩埋氧化层ＢＯＸ及表层硅ＳＯＬ形成绝缘层上的硅ＳＯＩ结构；再在ＳＯＬ上外延生长ＳｉＣ材料层；接...

本发明公开了一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法。主要解决现有技术制作空气桥拱形高度低，宽度窄，器件可靠性差的问题。其工艺过程是：在基片上分别涂前烘温度不同的剥离胶和光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲层；再将涂有两种...

本发明公开了一种ＳＯＩ三维ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它是微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ衬底构建新的三维ＣＭＯＳ集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用ＳＳＯＩ衬底，利用ＳＳＯ...

本发明公开了一种Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ栅三维应变ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用ＳＳＯＩ衬底，利...

本发明公开了一种三维量子阱ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用ＳＳＯＩ衬底，利用ＳＳＯＩ衬底...

本发明公开了Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ栅三维量子阱ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它是微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ衬底构建新的三维器件的两个有源层。其中，下层有源层采用ＳＳＯＩ衬底，利用Ｓ...