本发明公开了一种三维应变ＮＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是分别采用ＳＳＯＩ和ＳＧＯＩ衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用ＳＳＯＩ衬底，利用ＳＳＯＩ衬底...

本发明公开了一种三维量子阱ＮＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是分别采用ＳＳＯＩ和ＳＧＯＩ衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用ＳＳＯＩ衬底，利用ＳＳＯＩ衬...

本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、栅极（６）、钝化层（７）、源场板（８）、漏场板（１０）和保护层（１１），该源场板（８）与源...

一种槽栅型栅－漏复合场板高电子迁移率晶体管，包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、槽栅（７）、钝化层（８）、栅场板（９）、漏场板（１１）和保护层（１２），该漏场板（１１）与漏极（５）电气连接，该槽栅（７）与...

本发明公开了一种槽栅型源－漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、槽栅（７）、钝化层（８）、源场板（９）、漏场板（１１）和保护层（１２），该漏场板与漏极...

本发明公开了一种绝缘栅型栅－漏复合场板功率器件，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、绝缘栅极（７）、钝化层（８）、栅场板（９）、漏场板（１１）和保护层（１２），该栅场板与绝缘栅极电气连接，该...

一种绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管，包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、绝缘栅极（７）、钝化层（８）、源场板（９）、漏场板（１１）和保护层（１２），所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极...

本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅－漏复合场板功率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、绝缘介质层（７）、绝缘槽栅（８）、钝化层（９）、栅场板（１０）、漏场板（１２）和保护层（１...

本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、绝缘介质层（７）、绝缘槽栅（８）、钝化层（９）、源场板（１０）、漏场板（１２）和保护层（１３...

本发明公开了一种Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、钝化层（６）、Γ栅（８）和保护层（１０），该钝化层（６）上开有凹槽（７），其中，钝化层（６）上Γ栅（８...

本发明公开了一种凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、钝化层（７）、Γ栅（９）和保护层（１１），该势垒层（３）上开有第一凹槽（６），该钝化层（７）上开有...

本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，栅场板位于钝化层的上面，绝缘...

本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，源场板位于钝化层的上面，...

本发明公开了一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、绝缘介质层（７）、钝化层（８）、交叠栅（１０）和保护层（１２），该势垒层上开有第一凹槽（６），该钝化层上...

本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、栅极（６）、钝化层（７）、保护层（１０）和源场板（８），该源场板（８）与源极（４）电气连接，其中，钝化层（７）上...

本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、绝缘介质层（６）、绝缘栅极（７）、钝化层（８）、源场板（９）和保护层（１１），该源场板（９）位于钝化层（...

本发明公开了一种槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（１）、过渡层（２）、势垒层（３）、源极（４）、漏极（５）、槽栅（７）、钝化层（８）、源场板（９）和保护层（１１），该槽栅（７）位于势垒层的凹槽（６）中，该...

本发明公开了一种ＡｌＮ／ＧａＮ增强型金属－绝缘体－半导体场效应晶体管，主要解决现有器件中高阈值电压和大输出电流不能同时实现的问题。该器件的主要特点是通过采用ＡｌＮ势垒层，提高沟道二维电子气浓度，实现在大阈值电压的同时提高输出电流。其制作...

本实用新型公开了一种硅锗／硅三维集成电路有源层结构，以提高现有三维集成电路的速度。其方案是分别采用单晶Ｓｉ和ＳｉＧｅ／Ｓｉ构建新的三维集成电路的两个有源层。其中，第一有源层采用Ｓｉ　　ＳＯＩ或Ｓｉ衬底制作ｎ型沟道ＭＯＳ场效应晶体管ｎＭＯ...

本实用新型涉及一种半导体器件生产的专用设备。该设备分为局部净化室和电气控制柜两大部分，其中局部净化室包括光化学反应室，循环净化系统，升降传动机构，光源电源箱。电气控制柜包括ＭＩＣ－１００型微机，温控仪，质量流量控制器，浮子流量计，气路显...