【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
，涉及半导器件结构及制作方法，具体的 说是一种，可用于大功 率GaN器件的制作。技术背景近年来以SiC、 GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料由于具有大禁 带宽度、高临界场强、髙热导率、高载流子饱和速率、异质结界面二维电 子气浓度高等优良特性，使其受到了人们广泛的关注。在理论上，利用这 些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、异质结双极晶体管HBT、发光 二极管LED、激光二极管LD等器件将具有现有器件无法比拟的优异性能， 因此近年来国内外对其进行了广泛而深入的研究并相继取得了令人瞩目的 成果。现有的GaN功率器件多使用SisN4和Si02两种材料作为器件的帽层， 构成MISFET或MOSFET两种结构，但由于这两种材料无法和GaN材料 进行一次生长，而必须单独的进行二次生长，导致该结构仍存在较高的表 面态和缺陷，使得器件的漏电流较高；同时，这两种材料多为多晶结构导 致器件的耐压特性较差，无法发挥出GaN材料击穿电压高的特点，难以进 一步提高器件的功率密度；此外，现有的平面结构GaN MISFET由于AlGaN 层通常为高Al组份...
【技术保护点】
一种基于组份渐变ＧａＮＭＩＳＦＥＴ的ＧａＮ器件，包括底层（１）、缓冲层（２）、本征ＧａＮ材料层（３）、ＡｌＮ隔离层（４）及源、漏、栅电极，其特征在于在ＡｌＮ隔离层上依次设有ＡｌＧａＮ组份渐变层（５）和ＡｌＮ帽层（６），该ＡｌＧａＮ渐变层 和ＡｌＮ帽层通过刻蚀后构成的台阶结构，并在各台阶面上制作欧姆接触和金属接触。
【技术特征摘要】
1.一种基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件，包括底层(1)、缓冲层(2)、本征GaN材料层(3)、AlN隔离层(4)及源、漏、栅电极，其特征在于在AlN隔离层上依次设有AlGaN组份渐变层(5)和AlN帽层(6)，该AlGaN渐变层和AlN帽层通过刻蚀后构成的台阶结构，并在各台阶面上制作欧姆接触和金属接触。2. 根据权利要求书1所述的GaN器件，其特征在于A1N帽层 (6)的台面上制作栅极金属接触8， AlGaN组份渐变层(5)两端的台面上分别制作漏极欧姆接触(7)和源极欧姆接触(9)。3. 根据权利要求书1所述的GaN器件，其特征在于AlGaN层在 靠近A1N帽层一侧的Al组份高于靠近A1N隔离层一侧的Al组份，以降低晶格失配造成的高应力和制作欧姆接触的难度。4. 一种制作权利要求l所述的GaN器件方法，包括如下过程 在蓝宝石衬底上外延一层GaN缓冲层；在该缓冲层上分别淀积一层GaN本征材料层作为器件的工作区；在所述的GaN本征层上淀积一层A1N材料作为隔离层； 在A1N隔离层上淀积AlGaN组份渐变层； 在AlGaN组份渐变层上淀积A1N帽层；在AlGaN组份渐变层和A1N帽层上制作掩膜，刻蚀出用于淀积 栅极金属接触、漏极和源极欧姆接触的台阶，分别在台阶的不同位 置淀积金属，制...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝跃，陈军峰，张进城，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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