本发明提供一种不用ＬＯＣＯＳ工艺形成场氧化层的方法。据此，本发明特别有效地增加有源区，改善半导体器件的集成度和防止鸟嘴发生。而且由于本发明场氧化层的宽度与绝缘层侧壁上的垫的宽度相同，从而使场氧化层的面积可以减至最小。

一种用于在高集成度半导体器件中形成与下导电层接触的上金属布线的方法。此方法包括在下绝缘层上形成金属布线，在绝缘层上形成一接触孔以暴露出下导电层，以及在接触孔中生长金属层以填满此接触孔等步骤，从而金属布线层可与下导电层相接触。

一种形成具有两层多晶硅层和一层钨硅化物层的栅极电极的方法，以防止氟气沿晶界扩散渗入栅极氧化物膜。该方法包括在硅衬底上顺序形成栅极氧化物膜和第一多晶硅层，通过热处理增大第一多晶硅层的晶粒，引入试剂气体ＳｉＨ↓［４］或Ｓｉ↓［２］Ｈ↓［６］...

一种自举器件，包括用于一信号传输的第１ＮＭＯＳ晶体管和被连接在第１ＮＭＯＳ晶体管的栅极和一地址译码器电路之间的第２ＮＭＯＳ晶体管。该第２ＮＭＯＳ晶体管在它的栅极被提供有一源极电压，其中该第２ＮＭＯＳ晶体管包括，在一半导体基片的要求部分形...

公开了一种制造ＭＯＳＦＥＴ的方法，其包括下列步骤，在半导体衬底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积本征半导体层；在所述本征半导体层上形成掺杂半导体层所述本征半导体层和掺杂半导体进行退火处理，把所述掺杂半导体层中的杂质扩散到本征半导体层中...

本发明披露的制备电荷储存电极的方法包含的步骤有：制备一个通过接触孔使有源区暴露出来的基片；在接触孔中充满含氧的非晶硅层；热处理此非晶硅层，使非晶硅层结晶成多孔多晶硅层，并在多孔多晶硅层间产生含氧副产物；以及对含氧的副产物施行一种湿蚀工艺...

该发明涉及一种制造晶体管的方法，通过在硅基片上形成Ｎ↑［＋］区来抑制短沟道效应，和在制造Ｐ型晶体管时，利用硼硅玻璃（ＢＳＧ）在Ｎ↑［＋］区形成Ｐ↑［－－］层，该方法能形成浅结深的结，并实现高跨导。

提供一种分析半导体器件的缺陷的方法，以便鉴定在制造工艺过程进行中产生的缺陷是否导致器件工作时的电气故障、以及鉴定引起电器故障的缺陷产生在哪一个工艺步骤中，该方法包括以下步骤：测量在每个工艺步骤中产生的实际缺陷的位置；将所述实际缺陷的位置...

根据本发明的拼合型快速ＥＥＰＲＯＭ单元当对以厚的绝缘膜将隧穿区与沟道隔开的结构施加高电压进行编程和擦去时，可以防止因带－带隧穿和由结区与栅电极之间的重叠区所形成的强电场而产生的二次热载流子所导致的单元隧道氧化膜的退化。

本发明提供一种在硅衬底上形成低薄层电阻结的方法，该方法包括以下步骤：在所说硅衬底上形成非晶硅层；将杂质离子注入所说非晶硅层；将过渡金属离子注入所说非晶硅层；热处理所说非晶硅层和硅衬底，使过渡金属离子扩散到所说硅衬底的表面，使所说杂质离子...

一种制造具有电容器的高集成的半导体器件方法，该电容器具有由高介电常数薄膜构成的介质膜，该方法包括：在高温下在已形成有氧化膜的晶片上形成下电极，及在真空下将所得晶片退火，以使下电极具有致密而平滑，可使后续的工艺步骤容易实施。还可实现这种半...

本发明的掩模ＲＯＭ是按下列工艺制造的：形成其中所有单元都作为导通单元被驱动的单元阵列；通过腐蚀特定单元漏区内半导体基片的某些部分，根据用户的要求，形成凹槽；然后实施源／漏离子注入工艺。

根据本发明的Ｓｐｌｉｔ栅型快速ＥＥＰＲＯＭ单元，利用一加到用厚绝缘膜将隧道区与沟道隔离的结构上的高电压，执行编程和擦除操作，此时该单元能防止结区和栅极间的层叠区的强电场引发的带间隧穿和二次热载流子所导致的单元的隧道氧化膜的减薄。

一种制造半导体元件互连器件的方法，该器件连接在半导体衬底上形成的各杂质扩散区，每一杂质扩散区有不同的电导电率。该方法包括，在半导体衬底上形成第１导电类型的阱和第２导电类型的阱，在第２导电类型阱形成不相互接触的第１导电类型杂质扩散区，在第...

本发明揭示在通路孔内形成一个钨插头的一个方法，在包含有通路孔的绝缘膜上顺序形成一个阻挡金属层和一个钨层，在通路孔上边的钨层上形成一个光致抗蚀剂保护层它的大小足够覆盖通路孔，用光致抗蚀剂作蚀刻保护层顺序用各向同性蚀刻工艺和各向异性蚀刻工艺...

一种用于形成半导体器件的杂质结区的方法，其中浅的杂质结区通过注入大分子量的杂质离子在半导体衬底中选择性地形成缺陷区和无定型区加以形成，从而可改善半导体器件的特性。该方法包括二次光刻，三次离子注入以便分别形成缺陷区、无定型区和杂质结区等步骤。

本发明揭示了一个半导体器件的制造方法，特别是形成场区隔离的一种方法，场氧化膜周围的有源区的一部分用与象沟道截断杂质离子一样的杂质重掺杂的，所以，它把由场氧化的高温产生的低杂质沟道截断区转变成高杂质沟道截断区，以防止器件使用时出现场区反型。

本发明涉及一种方法，在形成旋涂玻璃膜后，利用等离子进行后续处理，则降低了旋涂玻璃膜吸湿能力。

披露了一种形成半导体器件中的金属间绝缘层的方法，它不仅具有优良的附着性和均匀的台阶覆盖，而且能防止由于湿气的透入而形成空隙。按照这种方法，首先在半导体衬底上形成金属互连。然后，通过使预定量的四乙基原硅酸盐（ＴＥＯＳ）气体和预定浓度的Ｏ↓...

本发明公开一种能提高成品率和可靠性的半导体器件的金属互连的方法，包括于先形成有源区再形成绝缘层的半导体衬底的预定部位处形成接触孔；用化学汽相淀积法在接触孔和绝缘层上依次淀积具有预定厚度的钛和氮化钛层；在Ｎ↓［２］气氛中进行热退火。最后，...