用于数字数据发送中的错误控制的维特比解码器。一最大分支量度值探测装置是与一反馈环相分开的，该反馈环由一ＡＣＳ算法单元，一归一化算法单元和一状态值存储装置组成。最大值利用状态值存储装置的输出来探测，使解码器的速度提高。进行这样的判断：在紧...

一种给ＭＰＥＧ声频数据分配最佳比特量的快速方法，把通过心理声学模型所得到的信号遮掩比除以６，并把所得到的商值的整数部分定义为一个阵列指针，根据所定义的阵列指针快速地获得一个有效比特分配量，把所得到的有效比特分配量与一个固定的比特分配量进...

在音频系统和各种通信设备中采用的Ｄ／Ａ变换器中，特别是使用数字的１比特数据流作为输入和模拟信号作为输出，具有减小谐波失真的开关电容器数字－模拟变换器利用在低通滤波器的电荷减法代替采用旁路滤波器防止运算放大器由于切换噪声而偏离线性范围。在...

一种具有低噪声特性的输出缓冲电路，包括一控制部分，用于检测是否加有大于正常电压的驱动电压，并基于检测结果产生一控制信号；以及一上拉部分，用于响应所述控制信号，在驱动电压供给端和所述缓冲电路输出端间有选择性地产生一电压降。通过该输出缓冲器...

高速计数器电路含输入线以输入时钟信号；至少两个位计数器，根据所述输入线的时钟信号产生至少两位计数值；相应于所述两个位计数器的至少一较高位计数器的输出信号的至少一时钟同步装置，以将所述输入线的时钟信号传递给所述至少两个位计数器中的较低位计...

脉冲长度检测电路，包括至少两个寄存器，至少两个内部地址信号发生器，至少两个比较器，一个逻辑电路以及一个脉冲信号发生电路。

一种ＦＲＩＲＡＤＦ的波带系数更新装置，包括：一有限脉冲响应自适应数字滤波单元；以及一波带地址生成单元，用于生成与一预先确定的波带相关的波带地址信号，并将所生成的波带地址信号提供给一波带系数更新值操作单元以及所述的有限脉冲响应自适应数字滤...

公开了一种电荷泵电路，通过在单个电荷泵之间连接串联和并联开关电路以及电平移动电路来构成电荷泵电路、通过改变电荷泵电路的连接状态能够进行高电平激励。

本发明公开一种高压截断的半导体器件，它采用具有齐纳二极管的恒压电路，能防止不能被常规静电放电保护电路截断的几伏的不稳定供给电压施加于内部电路，而仅把稳定的供给电压施加于内部电路，因而能提高半导体器件的特性，并缩短形成内部电路的晶体管的沟...

一种脊波导激光二极管，具有倒置台面结构，耐热并增加了接触金属对接触层的附着力，可由使聚酰亚胺仅保留在倒置台面结构的下部而形成聚酰亚胺间隔。在这种二极管中，接触金属难以在台面结构的对面断开。

一种用于手动地使甚至小口径的终端的天线与卫星对准定向的装置及方法。该装置包括连接在接收机中的解调器和数据处理器之间的手动天线定向电路，该电路包括：峰值检测电路；采样／保持器；第一模拟开关；第二模拟开关；定标电路；显示电路；及天线定向方式...

一种形成接触孔的方法，它可以提高用于形成接触孔的设计规则的容限。它应用了如下手段：在半导体衬底上形成一个绝缘薄膜；在绝缘薄膜上涂以正光刻胶薄膜，先用第一套曝光掩膜使光刻胶掩模曝光，这套掩模具有一些窗口，这些窗口使对应于接触孔的绝缘膜部分...

公开了一种在半导体器件的多层图形间测量重叠误差的重叠测量标记和方法。第一掩模用其在划线的Ｙ轴上形成由二相互平行隔置的标记组成的第一重叠标记。第二掩模用其在划线的Ｘ轴上形成由二相互平行隔置的标记组成的第二重叠标记使其不重叠于第一重叠标记。...

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在欲被构图的底层上涂敷一层抗反射膜；在该抗反射膜上涂敷一层光致抗蚀膜，使用掩模对该光致抗蚀膜实施曝光、显影工艺，从而形成其尺寸略大于预期图形尺寸的第一光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜的裸露部位，从而形...

本发明公开了一种制造相移掩模的方法，该方法的优点是仅采用传统铬掩模而不需要特殊设备和附加设计，又降低生产成本，提高加工能力，从而提高生产效率。

本发明涉及一种晶体管结构，更详细地说，涉及共栅极结构的晶体管，它包括两个晶体管共同夹着一个在同一层中形成的栅极，从而改进了布局结构并使工艺简单。

一种用于制造半导体器件的方法，通过使用第一、第二掩膜进行两次曝光可以形成希望得到的图形。这得益于消除了干涉现象，增大了例如存储电极的电容量。

本发明涉及一种在金属层间作为阻断Ｓｉ原子扩散用的扩散阻挡层－ＴｉＮＯ金属阻挡层的制作方法。该方法包含以下步骤：使用Ａｒ和Ｎ↓［２］气体，通过溅射设备制成－ＴｉＮ膜；在ＴｉＮ膜上部注入Ｎ↓［２］Ｏ气体；把所生成的膜层在Ｎ↓［２］气氛下退火...

本发明提供一种在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有双圆筒状结构和细环形图形的电荷存储电极，该细环形图形小于光源波长。因此，本发明的优点在于，通过消除在双圆筒状结构中的不良接触，可以改善具有电荷存储电...

一种形成半导体器件金属互连的方法，形成第一金属层和第一绝缘层，在第一绝缘层形成通孔，连接第一金属层与第二金属层，第二金属层是固定层，包括，第二绝缘层有一与第一金属层上的第一绝缘层相同的通孔；以第一金属层模型为蚀刻隔板覆盖第二绝缘层；把第...