【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法,更具体地说,涉及采用相移掩模,容易地形成具有大电容和细环形图形的电荷存储电极的方法。近年来,在半导体芯片上以高密度集成大量的元件的半导体器件发展活跃。对于动态随机存取存储器(DRAM)的存储单元,已经提出各种结构以适用于器件的微型化。而且,为了对应于高密度器件中单元面积的减小来获得足够的电容量,已经开发出具有沟槽、翅片和筒状结构的器件,并已开发出铁电材料,例如Ta2O5,其介电常数大于ONO(氧化物-氮化物-氧化物)层。这就是说,已对电荷存储电极的结构和具有大电容量的介电材料做了改进。传统的在半导体器件中形成电荷存储电极的方法中,由石英衬底上的铬图形来形成用于制造电荷存储电极的图形。因此,在光掩模上形成的一个铬图形对应于一个光致抗蚀剂图形。这样,为了形成圆筒状结构的电荷存储电极,需要几次光刻处理和蚀刻处理。但是,具有对光完全阻断的铬图形的光掩模,不能形成电容量足够大的电荷存储电极,这是因为,铬图形不能形成小于光源波长的细微图形。而且,形成圆筒状结构的电荷存储电极时,尽管已经开发出单个或多个圆筒结构,但仍难以获得足够的电容量,以致于高密度器件中存在许多问题。为了解决上述问题,本专利技术的目的是提供一种在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法,利用相移掩模,能容易地形成具有大电容量和细环形图形的电荷存储电极,该环形图形可小于光源波长。本专利技术的另一目的是提供一种在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法,利用相移掩模,能容易地形成具有双圆筒状结构和细环形图形的电荷存储电极,该环形图形小于光源波 ...
【技术保护点】
一种在存储器件中制造电荷存储电极的方法,包括如下步骤: 在具有有源区的衬底上淀积第一绝缘层; 蚀刻所述第一绝缘层,以便形成接触孔,曝露出所述有源区; 形成第一导电层,通过接触孔与有源区接触; 在所述导电层上淀积第二绝缘层用于平面化; 在所述第二绝缘层上淀积光致抗蚀剂层; 利用相移掩模对所述光致抗蚀剂层曝光,所述相移掩模具有宽度宽于曝光波长的相移材料图形,从而显影出细环形光致抗蚀剂层; 利用所述细环形光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模,对所述第二绝缘层和所述第一导电层进行蚀刻; 去除所述细环形光致抗蚀剂层; 在所得结构上淀积第二导电层; 对所述第二导电层进行各向同性腐蚀; 去除所述第二绝缘层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1994-7-8 94-16510;KR 1994-7-15 94-171641.一种在存储器件中制造电荷存储电极的方法,包括如下步骤在具有有源区的衬底上淀积第一绝缘层;蚀刻所述第一绝缘层,以便形成接触孔,曝露出所述有源区;形成第一导电层,通过接触孔与有源区接触;在所述导电层上淀积第二绝缘层用于平面化;在所述第二绝缘层上淀积光致抗蚀剂层;利用相移掩模对所述光致抗蚀剂层曝光,所述相移掩模具有宽度宽于曝光波长的相移材料图形,从而显影出细环形光致抗蚀剂层;利用所述细环形光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模,对所述第二绝缘层和所述第一导电层进行蚀刻;去除所述细环形光致抗蚀剂层;在所得结构上淀积第二导电层;对所述第二导电层进行各向同性腐蚀;去除所述第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的方法,其中去除所述第二绝缘层的步骤还包括去除所述第一绝缘层的上部。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述相移材料图形的层厚约是1/2(n-1)(其中n是相移材料的折射率)。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述相移材料图形由无机材料制成。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述相移材料图形由有机材料制成。6.一种在存储器件中制造电荷存储电极的方法,包括如下步骤在具有有源区的衬底上淀积第一绝缘层;蚀刻所述第一绝缘层,以便形成接触孔,曝露出所述有源区;形成第一导电层,通过接触孔与有源区接触;在所述导电层上淀积第二绝缘层用于平面化;在所述第二绝缘层上淀积光致抗蚀剂层;利用相移掩模对所述光致抗蚀剂层曝光,所述相移掩模具有宽度宽于曝光波长的被蚀刻部分,从而显影出细环形光致抗蚀剂层;利用所述细环形光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模,对所述第二绝缘层和所述第一导电层进行蚀刻;去除所述细环形光致抗蚀剂层;在所得结构上淀积第二导电层;对所述第二导电层进行各向同性腐蚀;去除所述第二绝缘层。7.根据权利要求6所述的方法,其中去除所述第二绝缘层的步骤还包括去除所述第一绝缘层的上部。8.根据权利要求6所述的方法,其中所述相移材料图形的层厚约为1/2(n-1)(其中n是相移材料的折射率)。9.根据权利要求6所述的方法,其中所述相移材料图形由无机材料制成。10.根据权利要求6所述的方法,其中所述相移材料图形由有机...
【专利技术属性】
技术研发人员:安昌男,许翼范,金兴一,文承灿,李一浩,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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