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本发明提供一种在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有双圆筒状结构和细环形图形的电荷存储电极，该细环形图形小于光源波长。因此，本发明的优点在于，通过消除在双圆筒状结构中的不良接触，可以改善具有电荷存储电极的...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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