形成半导体器件接触孔的方法，防止用作接触孔掩模的光致抗蚀剂膜图案因其下的硼磷硅玻璃（ＢＰＳＧ）膜图案在湿法蚀刻时出现的过度蚀刻而与之分离。包括依次在半导体衬底上涂覆绝缘薄膜和平整的ＢＰＳＧ膜，在８０℃至３５０℃热处理ＢＰＳＧ膜，并用热处...

本发明揭示的制造半导体器件的方法尤其适用于高集成度的半导体器件。在该方法中，在形成于半导体衬底栅氧化膜上的多硅晶膜上形成有非晶构成的下硅化钨膜。在下硅化钨膜上，形成具有多个小晶粒的上硅化钨膜，在各小晶粒之间限定有间隙。然后，在氧环境下通...

一种制造半导体器件的电容器的方法，该方法包括在形成有接触孔的半导体衬底上以交替方式形成掺杂的和非掺杂具有多层结构的第一非晶导电层，在第１非晶导电层上形成绝缘膜图形，在所得结构上以交替方式形成非掺杂的和掺杂的第二非晶导电层，在以绝缘膜图形...

一种形成精细接触孔的方法，包括以下步骤：在进行干腐蚀的时候，在接触孔的侧壁上形成隔离层，其能使到接触孔的通路加宽，所以接触区几乎不受腐蚀剂的损伤。然后按照本发明的干腐蚀工艺，能减少衬底的损伤，这是因为要露出的衬底是位于绝缘保护层４３的下...

本发明涉及一种制造ＣＭＯＳ晶体管的方法，能进一步减少芯片的尺寸，因为ＰＭＯＳ晶体管的栅电极和ＮＭＯＳ晶体管的栅电极，在形成栅电极工艺的期间，直接由多晶硅相互连接，不需要考虑金属接触工艺的袼度，该方法还能利用在多晶硅布线下面的有源区形成单...

一种在制成半导体器件的晶片中，仅检查产生缺陷的该芯片的半导体器件三维缺陷分析方法，其工序包括：除含有缺陷处的一定部位外，在整个保护面上涂敷感光膜；在所述感光膜上和晶片的侧面涂敷乙烯树脂；除掉所述第二金属布线上露出的保护膜；经蚀刻除去位于...

一种用于半导体器件缺陷调查的试验片制造方法，在衬底背面可观察半导体器件图形层底面发生的缺陷处。其工序包括：在图形层发生缺陷处的晶片（＊＊＊＊）中，切断所述缺陷处附近部位，制作包括缺陷处的一定大小的试验片；在所述试验片的硅衬底上形成的图形...

本发明涉及一种窗口夹以及使用该窗口夹的引线框带的排列方法，特别是，涉及一种窗口夹以及使用该窗口夹的引线框带的排列方法，其中窗口夹使得引线框带精确快速的排列，并且通过使用与键合窗和引线检测窗一起形成的窗口夹，和通过使用设置在引线键合设备上...

本发明涉及一种在半导体元件中制做金属线的方法，在ＣＶＤ制造工艺中基于淀积－ＴｉＮ层的重复制造工艺，经由接触孔与一较低使导层接触和以Ｎ↓［２］，Ｈ↓［２］或此二者的混合气体来等离子处理ＴｉＮ层的表面以及使接触电阻最小化，以此改善金属线制造...

本申请公开了一种用相移掩模简单方便地检测相偏差的方法，其步骤为：在透明基片上按一定间隔设置多个具有预定宽度的相移图形，用来移动透过相移掩模的透明基片的预定区域的光；设置用来检测相偏差的图形，其中有预定宽度的光屏位于透明基片的预定区域和相...

一种具有在绝缘层上生长硅的结构的半导体器件及其制造方法，其中，在有源硅衬底的每一侧壁上形成厚的氧化硅膜，由此，使有源硅衬底边缘的阈值电压增加。该半导体器件包括，第１硅衬底，在其上形成的第１氧化硅膜，在第１氧化硅膜上形成的第２硅衬底，分别...

一种形成半导体器件接触孔的方法，它可准确控制接触孔的形状，减少硅基片表面的损伤，改善电特性。本方法包括以下步骤：形成层间绝缘膜，把碳氟化合物基气体和碳氧化物基气体导入蚀刻层间绝缘膜的蚀刻气体注入其中的蚀刻处理室中，以形成接触孔。防止通过...

一种在非晶硅上层叠有硅化钨的构造的栅电极，包括在半导体衬底上部形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上部由乙硅烷气体形成的非晶硅层；在所述非晶硅层上部形成的、含微量质杂的硅化钨层，所述非晶硅层具有可防止所述杂质向栅绝缘膜侧渗透的粒度尺寸。

本发明提供一种形成半导体金属引线的方法，它包含以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成由多晶硅层和金属硅化物层构成的下部引线；在下部引线上形成具有接触孔的层间绝缘膜，通过接触孔部分暴露金属硅化物层；在金属硅化物...

根据本发明的具有在浮栅的侧壁上形成的ＯＮＯ或ＯＮ结构的绝缘垫的高效劈栅型快速存储单元能通过防止耦合率的减小及防止通过浮栅和控制栅的电子泄漏来改善单元的编程和擦除能力。

一种隔离半导体器件的元件的方法，通过在衬垫氧化膜和硅衬底之间积累氮原子可以限制鸟嘴图形的产生，并且，利用湿腐蚀，在形成氮化物隔离层以后除掉在硅衬底上低温生长的氧化物，可控制硅衬底的腐蚀深度，由此，可重复生产具有优良外形的场氧化膜。

一种半导体器件缺陷调查用试验片的制造方法。在完成半导体器件成型的晶片状态下，仅检查包括缺陷处的该芯片。其工序包括：寻找存在于晶片图形层上的缺陷处；在所述晶片的整个面上形成感光膜；在不另外分离各芯片的晶片状态下，以包括缺陷处的芯片背面一定...

一种用于高度集成的半导体器件的电容器，以下列方法依次进行下列步骤：设置半导体基片；在半导体基片上形成钌－铂膜；对钌铂膜进行热处理以在钌－铂膜上生成钌－铂氧化物；及在钌－铂氧化物上形成介电膜和电导层。

一种抗静电电路的薄膜晶体管包括：形成于硅衬底上的阱；形成于阱内、用于电极间的电隔离的绝缘层；及分别位于绝缘层间的各低浓度杂质扩散区；形成于一个低浓度杂质扩散区中的第一高浓度杂质扩散区；形成于另一低浓度杂质扩散区中的第二高浓度杂质扩散区；...

提出一用以形成半导体装置精微图样的方法，包括：在一半导体基板上形成一被蚀刻目标层；在此目标层上形成一中间层；在此中间层上形成一第一光致抗蚀剂薄膜；用第一曝光光掩模选择性曝光此薄膜而产生第一光致抗蚀剂图样且热处理此图样；选择性地蚀刻此中间...