【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,更具体地说是准确地控制接触孔的形状,减少硅基片表面损伤和改善半导体器件电特性的制造方法。下面对照附图说明图1A至1C说明传统制造接触孔的方法。首先,图1A、1B是剖视图,图1C是平面视图,它们所示的是传统制造方法,用于形成露出DRAM的导电区域的接触孔。参阅图1A,在硅基片1上形成场氧化膜2,依据场氧化膜2确定的器件形成区域,在栅氧化膜(未示出)上形成栅极3。层间绝缘膜4形成在由此产生的结构上。同时,在层间绝缘膜4内形成位线(没有示出),严格地讲,一层或两层重叠与硅基片1上的有源区连接。其次,在层间绝缘膜4上形成光致抗蚀剂图形5。层间绝缘膜4被利用碳氟化合物基气体如C2F6、C3F8和C4F8气体的等离子蚀刻工艺蚀刻。然后,去掉掩模,如图1B所示。然而,用这种方法,在硅基片1的表面形成损伤层6,还在接触孔的侧边形成波浪状。因此,接触孔变形,如图1C所示。上述方法,用碳氟化合物基气体形成的接触孔,用于含有0.3μm或更小线宽的64M DRAM较大规模集成电路,由于损伤层如接触孔侧边上形成有波浪状的聚合物层,使得准确控制接触孔形状比较困难。造成接触电阻增大,后续处理工艺裕度减小。此外,硅基片表面的损伤层引起了介质层如ONO层里的漏电流,导致恢复时间减少,因此,器件的电特性恶化。本专利技术的目的是提供一种形成准确控制接触孔形状的接触孔的方法,减小接触电阻,确保后续处理工艺裕度。本专利技术的另一目的是提供一种减少硅基片表面损伤和改善半导体器件电特性的方法。按照本专利技术的一个方面,提供一种方法,包括下列步骤形成覆盖要被接触区域的层间绝缘膜;把 ...
【技术保护点】
形成半导体器件接触孔的方法,它包括以下步骤:形成覆盖要被接触区域的层间绝缘膜;把碳氟化合物基气体和碳氧化物基气体导入蚀刻所述层间绝缘膜的蚀刻气体注入其中的蚀刻处理室中,以形成接触孔,从而防止通过所述接触孔暴露的半导体基片的部分受到损 伤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1995-12-16 50877/95;KR 1995-12-16 50895/951.形成半导体器件接触孔的方法,它包括以下步骤形成覆盖要被接触区域的层间绝缘膜;把碳氟化合物基气体和碳氧化物基气体导入蚀刻所述层间绝缘膜的蚀刻气体注入其中的蚀刻处理室中,以形成接触孔,从而防止通过所述接触孔暴露的半导体基片...
【专利技术属性】
技术研发人员:李炳锡,郑义三,宋一锡,李海丁,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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