本发明公开一种半导体器件的平整方法，其使ＢＰＳＧ膜具有平整特性、防止包含杂质的氧化膜产生结晶缺陷，该方法的步骤为：顺序地在具有台阶的晶片上部形成层间绝缘膜和包含杂质的平整膜，热处理包含杂质的平整膜，在外扩散平整膜中的杂质以后，外扩散杂质...

本发明涉及一种制备半色调相移掩模的方法，该掩模中的Ｃｒ薄膜具有均匀厚度和无缺陷特征。本发明提供了一种制备ＤＵＶ半色调相移掩膜的方法，包括沉积含氟（“Ｆ”）Ｃｒ薄膜的步骤，该薄膜对ＤＵＶ光的透光率为４－１０％且厚度为１０００－１５００＊。

一种用于晶片表面平面化的方法，包括以下步骤：在晶片的表面上形成具有高浓度硼和磷的ＢＰＳＧ膜；在一个保持低温和低压的反应炉中对形成有ＢＰＳＧ膜的晶片进行热处理，以降低在ＢＰＳＧ表面的硼和磷的浓度；通过在较高温度的热处理，使ＢＰＳＧ膜平面化...

本发明提供一种形成微图案的光照方法装置，它能在减少反差间隙的同时，使反差获得改善，从而实现半导体器件的高集成度。其中采用线偏振光作为光源，线偏振光具有椭圆率和偏振角，从而获得工艺余量所允许的反差间隙。另外，光照装置包含从光源发射的光偏振...

本发明披露了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：ＳＯＩ晶片，它包括硅基片、形成于硅基片上部的绝缘膜、第一导电型硅层和形成于所述硅层与所述绝缘膜之间的传导层；形成于所述硅层的场氧化膜，它限定出第一和第二有源区；在所述第一有...

一种半导体器件场氧化膜的制造方法，能减少硅片中硅的损耗，防止硅片内杂质分布变化。在具有第一含硅气体和纯净气体的第一反应室在第一温度下在晶片上形成氧化膜，向第一反应室输入纯净气体，把第一反应室的温度调节成第二所定温度，在该温度下，输入第一...

提供一种制造半导体器件的方法。在硅衬底上面形成下面金属层，在下面金属层上形成第１层间绝缘层。在包含下面金属层的第１层间绝缘层上形成第１绝缘层，利用Ｎ↓［２］和Ｎ↓［２］Ｏ等离子除掉包含在第１绝缘层中的水分。因此，在第１绝缘层上依次地形成...

本发明涉及半导体器件的钨塞形成方法。在接触孔内形成钨塞之后，通过氧化使存在于除接触孔之外的部位上的钨渣氧化并去除掉。

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，在小尺寸和大的高宽比的接触孔或通孔中，填充含硅量不同的双金属。

一种半导体器件中的隔离方法，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成衬垫氧化膜、缓冲多晶硅层和氮化层；腐蚀氮化层和缓冲多晶硅层；在单元区和外围区的器件隔离区上形成场氧化层；经腐蚀暴露单元区和外围区中的衬底；形成第一绝缘层；腐蚀而形成隔离垫；...

本发明提供了一种硅器件层均匀的ＳＯＩ基片及其制造方法，该ＳＯＩ基片包括，硅支承晶片，在支承晶片上部形成的掺杂杂质的氧化膜，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、具有均匀厚度的硅器件层，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、防止掺杂杂质的氧化膜内...

本发明提供了一种硅器件层无损伤的ＳＯＩ基片及其制造方法，在硅基片上形成槽，在硅基片上面及槽内侧壁上形成氧化阻挡膜。之后，以氧化阻挡膜为掩模，对硅基片进行各向同性腐蚀，在槽底面形成沟，对硅基片氧化，形成氧化膜和由所述氧化膜分离的硅器件层。...

本发明提供一种有一定厚度的硅器件层的ＳＯＩ基片的制造方法，该方法不增加工艺步骤，并能提高形成一定厚度的硅器件层的合格率，该方法包括下列步骤：在器件用硅基片的预定部分形成元件分隔膜，在形成元件分隔膜的器件用硅基片表面和／或支撑基片上形成埋...

一种多层底部引线封装件，包括：（ａ）至少两片以上有多个粘接焊盘的半导体芯片；（ｂ）绝缘电路膜，包括：有多个通孔的绝缘底膜、多条第一金属线、多个突出的导电性内焊盘、多个突出的导电性外焊盘、电互连各芯片同一端子用的多条第二金属线；（ｃ）包括...

一种半导体封装件，包括：通过形成有导电用的金属图形的绝缘电路膜设置至少两个以上的半导体芯片，使芯片面面相对地粘接；在绝缘电路膜的两侧连接引线框架的内引线构成与芯片外部电连接的通路；绝缘电路膜包括绝缘性的底膜和导电用金属线；金属线上形成有...

一种形成电阻小和电特性好的浅结的方法，利用淀积在源／漏区上的中温ＣＶＤ氧化层，把杂质离子注入其中。中温ＣＶＤ氧化层使硅衬底表面承受拉伸应力。在约７６０－８２０℃温度下，在硅衬底上形成中温ＣＶＤ氧化层，使衬底内的缺陷移到硅衬底的表面。结果...

一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法，包括步骤：在半导体基片上依序形成衬底氧化膜与第一氮化膜；通过使用元件隔离掩摸来过蚀刻第一氮化膜与衬底氧化膜，以便在半导体基片内形成第一孔；通过使用蚀刻溶液来清洁所获结构的整个上表面；形成第二氮化膜隔...

一种半导体器件的金属层图案，包括：在一绝缘层上的基础金属线图案，上述半导体器件的正确操作需要上述基础金属线图案；和位于上述绝缘层上没有基础金属线图案的剩余区域上的虚设金属线图案，其中，上述基础金属线图案和上述虚设金属线图案之间保持一个均...

本发明提供一种编程快速存储单元的方法，以改善编程效率和特性而无须改变裂栅型快速存储单元的结构就可实现低功率器件。在源区形成的耗尽区从硅基片的表面部分延伸到硅基片的底部，在此耗尽区中所存在的陷阱中心处产生少数载流子接收来自硅基片中选择栅和...

本发明公开了一种具有被提高的单元比的ＳＲＡＭ单元及其制造方法。根据本发明的一种包括分别具有ＬＤＤ结构的源／漏极区的下拉元件、存取元件和上拉元件的ＳＲＡＭ单元，其中存取元件的源／漏极区包括Ｎ↑［＋］源／漏极区、形成于Ｎ↑［＋］源／漏极区下...