【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及形成具有浅结和低薄层电阻的半导体器件的方法,尤其涉及制造能防止结击穿和结漏电流增加的MOSFET的方法。通常,MOS晶体管结形成于硅衬底和诸如源/漏区这样的有源区之间。在常规MOSFET中,一般用硅化钛层来形成具有低薄层电阻的器件。在给硅衬底注入杂质离子后,通过第一热处理在那里形成结。接着在离子注入区形成钛层,并且通过第二热处理形成硅化钛层。然而,在进行第二热处理时,掺杂进衬底的杂质离子又重新扩散到硅化钛层,之后硅化钛层和硅衬底间界面上的杂质浓度急据减小,从而生成了肖特基结。这样,就产生了一些象结击穿电压降低和结漏电流增加之类的问题。此外,因为随半导体器件集成度变高,结的深度变浅,致使薄层电阻增加给发展高速度器件造成了更大困难。本专利技术的一个目的是提供一种没有硅层消耗形成同时具有浅结和低薄层电阻的半导体器件的方法。本专利技术的一个方面是,提供一种在硅衬底上形成低薄层电阻的结的方法,该方法包括以下步骤在所说硅衬底上形成一非晶硅层;将杂质离子注入所说非晶硅层;将过渡金属离子注入所说非晶硅层;热处理所说非晶硅层和硅衬底,从而使所说过渡金属离子扩散到所说硅衬底的表面和使所说杂质离子扩散进硅衬底。从下面参照附图对实施例的描述可明显看出本专利技术的其它目的和方面。附图说明图1A至1D是表示根据本专利技术的一个实施例形成MOSFET的方法的横截面图。参照图1A至1D,下面对本专利技术的实施例进行详细描述。首先,如图1A所示,在硅衬底1上由栅氧化层10,栅极11和侧壁氧化层12构成一个通用的MOSFET,这些是所属
的普通技术人员所熟知的。在形 ...
【技术保护点】
一种在硅衬底上形成低薄层电阻结的方法,该方法包括以下步骤:在所说硅衬底上形成非晶硅层;将杂质离子注入所说非晶硅层;将过渡金属离子注入所说非晶硅层;和热处理所说非晶硅层和硅衬底,使所说过渡金属离子扩散到所说硅衬底的表面,使所说 杂质离子扩散进所说硅衬底。
【技术特征摘要】
KR 1995-2-24 3738/951.一种在硅衬底上形成低薄层电阻结的方法,该方法包括以下步骤在所说硅衬底上形成非晶硅层;将杂质离子注入所说非晶硅层;将过渡金属离子注入所说非晶硅层;和热处理所说非晶硅层和硅衬底,使所说过渡金属离子扩散到所说硅衬底的表面,使所说杂质...
【专利技术属性】
技术研发人员:李吉镐,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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