本发明涉及一种晶圆承载固定装置，包括：晶圆承载台、支撑杆和第一驱动机构；其中，晶圆承载台上周向排列设有多个开孔；多个支撑杆分别插装在多个开孔内，合围成用于固定晶圆的夹持空间；第一驱动机构包括多个传动件和控制器，传动件分别与多个支撑杆连接...

本发明涉及一种控制薄膜应力的薄膜制备方法，设置有两支流量不同的氩气支路，氩气孔先接通第一氩气支路，向腔室中通入大量氩气以降低因沉积Ti薄膜而产生的热量；氩气孔再接通第二氩气支路，且自氩气孔和氮气孔向腔室中通入预设流量比的氩气和氮气；开启...

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一待平坦化的底层结构，底层结构的表面不平整且具有至少一个台阶；在底层结构之上形成第一介质层，第一介质层的表面由于底层结构表面的台阶而形成高度差，高度差最...

本发明涉及一种集成芯片的制作方法及集成芯片，该方法包括：在硅衬底上，利用光刻和/或刻蚀技术制作硅基电容结构，其中，硅基电容制作采用刻蚀不同宽度的沟槽或孔洞，并在沟槽或孔洞内沉积电容结构；以及，在硅衬底上沉积与硅基电容连接的电感和/或电阻...

本发明涉及一种硅穿孔转接板的制作方法及硅穿孔转接板，该方法包括：利用光刻和/或刻蚀技术制作硅基电容与硅穿孔的结构，其中硅基电容设计采用刻蚀不同宽度的沟槽与孔洞以形成不同深度的负载效应。本发明解决了现有技术中硅穿孔转接板集成度低的问题。

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底之上形成掩膜层；图形化掩膜层以在半导体衬底之上形成衬底裸露区，图形化后的掩膜层在衬底裸露区边界构成掩膜侧壁；形成保护层，保护层至少填...

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，该半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底中形成由半导体衬底的表面打开至内部的沟槽；向形成有沟槽的半导体衬底的表面沉积形成衬里层，衬里层覆盖沟槽的内表面，衬里层为金属或金属...

本发明涉及一种双次曝光方法，包括以下步骤：提供第一掩模版和第二掩模版，两个掩模版均包括图形区域和非图形区域，且非图形区域对应设置第一定位标记和第二定位标记；使用第一掩模版对晶圆进行第一次曝光，使晶圆表面的至少一个待曝光区域内形成第一掩膜...

本发明涉及一种晶圆弯曲度平衡方法，用于在晶圆镀膜处理后平衡晶圆的弯曲度，包括以下步骤：提供一晶圆，获取晶圆的整体弯曲度分布；将晶圆表面划分为多个区域；获取每个区域的弯曲度分布，判断影响晶圆整体弯曲度分布的区域，并基于判断结果，计算出包括...

本发明涉及一种显影液喷洒方法，用于在I‑line光刻机制程中对晶圆进行双重显影，包括以下步骤:在承载台上放置晶圆；控制显影液喷嘴移动至晶圆上方，使喷嘴与晶圆之间的距离为第一预定距离；驱动喷嘴沿第一方向水平移动，通过喷嘴向晶圆表面喷涂显影...

发明涉及一种用于芯片封装的制作方法及芯片，用于芯片封装的制作方法包括：在粘结并减薄完成的晶圆正面，沉积阻挡层，阻挡层为SIN、SIC和NDC材料中的一种或多种；在阻挡层上沉积氧化层；S30，通过刻蚀工艺形成硅通孔，硅通孔的深度为到达需要...

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底中形成由表面打开至内部的凹槽；在凹槽内形成覆盖凹槽的底部和侧壁的种子层；移除位于凹槽的侧壁上部的种子层；在第一电流下在凹槽内基于剩余种子层...

本发明涉及一种化学机械研磨方法，包括以下步骤：提供一化学机械研磨装置和一形成有金属层的晶圆；使用化学机械研磨装置对晶圆表面的金属层进行化学机械研磨，将对金属层进行化学机械研磨的全过程划分为第一阶段和第二阶段；第一阶段将金属层研磨至预定厚...

本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底之上形成氧化物层以及位于氧化物层之上的第一氮化物层；形成沟槽，沟槽由第一氮化物层贯通至半导体衬底的内部；采用炉管工艺在沟槽内生长第...

本技术涉及一种化学品流体供应系统，包括载气供应装置、雾化器、涡流器、化学品供应装置和反应腔室。其中，所述雾化器包括第一流体入口、第二流体入口和流体出口；所述涡流器包括载气入口和第一气体出口；所述载气入口与所述载气供应装置连接，所述第一气...

本发明涉及一种湿法单片机台药液回收利用系统及方法，该系统包括厂务系统、补药装置、反应装置、冷却槽和回收装置。其中，厂务系统与补药装置连通，用于配置第一浓度的混合药液并供给至补药装置，补药装置与反应装置连通，用于预热混合药液并供给至反应装...

本发明涉及一种晶圆片曝光系统及方法，包括：光源发射装置，以提供照明光源；第一光罩，设置在所述光源发射装置下方，以接收光源；透镜装置，设置在所述第一光罩下方，以接收辐射后的光源，并将其投影至所述晶圆上；误差晶圆片组，包括多个误差晶圆片，接...

本发明提供一种等离子沉积刻蚀溅镀系统。真空镀膜室用于等离子沉积溅镀反应，其包括第一端和第二端，离子经第一端进入真空镀膜室；所述真空镀膜室的内部设置有工作台，用于置放待处理芯片，位于第二端；安装架环绕真空镀膜室的外周壁设置，其上设置有磁性...

本发明涉及一种晶圆加工方法及晶圆，晶圆加工方法包括：提供晶圆，晶圆的厚度为775um；研磨晶圆背面的边缘区域，以使得边缘区域与中心区域形成一台阶形，研磨边缘区域的宽度为1mm‑5mm，研磨边缘区域的深度为100um‑500um；在晶圆背...

本技术涉及一种具有废气利用功能的化学品流体供应系统，包括载气供应装置、涡流器、雾化器、化学品供应装置、反应腔室和气体分接器。其中，涡流器包括载气入口、第一气体出口和第二气体出口，载气入口与载气供应装置连接，第一气体入口与雾化器连接；化学...