【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种硅穿孔转接板的制作方法及硅穿孔转接板。
技术介绍
1、目前，随着电子产品进一步向着集成化、微型化和智能化发展，传统的芯片封装结构已经不能满足其发展需要。通过转接板(或称中介层)实现多功能芯片系统级集成封装越来越受到关注。
2、现有pcb板使用积层电容mlcc等方式将电容与电路板连接，即先准备转接板，然后外接电容电感等原件，连接硅基电容时，也是单独将元件在经过封装连接在转接板上。元器件的集成度较低，占用空间极大。
技术实现思路
1、针对相关技术中存在的不足之处，本专利技术提供了一种硅穿孔转接板的制作方法及硅穿孔转接板，解决硅穿孔转接板集成度低的技术问题。
2、根据本申请的第一方面，提供了一种硅穿孔转接板的制作方法，该方法包括：利用光刻和/或刻蚀技术制作硅基电容与硅穿孔(tsv)的结构，其中电容设计采用刻蚀不同宽度的沟槽与孔洞以形成不同深度的负载效应。
3、在一种可能的实施方式中，其中硅基电容的尺寸为0.1um至2um，深度...
【技术保护点】
1.一种硅穿孔转接板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
2.根据权利要求1的制作方法，其中硅基电容的尺寸为0.1um至2um，深度为10um至50um；硅穿孔的尺寸为2um至50um，深度为20um至500um。
3.根据权利要求1或2的制作方法，其特征在于，制作硅基电容包括：沉积底层氧化层作为硅基电容的绝缘层；沉积导电层，导电层材料选自多晶硅、金属、金属氧化层或金属合金；沉积电容绝缘层。
4.根据权利要求3的制作方法，其特征在于，其中，硅基电容绝缘层材料为氧化硅、氮化硅或高介电材料；其中，硅基电容为单层金属与单层氧化层，或多层金...
【技术特征摘要】
1.一种硅穿孔转接板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
2.根据权利要求1的制作方法，其中硅基电容的尺寸为0.1um至2um，深度为10um至50um；硅穿孔的尺寸为2um至50um，深度为20um至500um。
3.根据权利要求1或2的制作方法，其特征在于，制作硅基电容包括：沉积底层氧化层作为硅基电容的绝缘层；沉积导电层，导电层材料选自多晶硅、金属、金属氧化层或金属合金；沉积电容绝缘层。
4.根据权利要求3的制作方法，其特征在于，其中，硅基电容绝缘层材料为氧化硅、氮化硅或高介电材料；其中，硅基电容为单层金属与单层氧化层，或多层金属与多层绝缘层的结构；硅基电容为沟槽式或圆孔式或多边形或其他变形。
5.根据权利要求1的制作方法，其特征在于，制作硅穿孔tsv结构还包括铜填充，其中，铜填充采用铜电镀沉积，并包括沉积金属阻挡层或种子层。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文俊，曹学文，王仁里，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。