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本发明涉及一种硅穿孔转接板的制作方法及硅穿孔转接板，该方法包括：利用光刻和/或刻蚀技术制作硅基电容与硅穿孔的结构，其中硅基电容设计采用刻蚀不同宽度的沟槽与孔洞以形成不同深度的负载效应。本发明解决了现有技术中硅穿孔转接板集成度低的问题。...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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