【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，尤其涉及一种显影液喷洒方法。
技术介绍
1、在半导体工艺中，涂胶显影是指将由感光材料制成光刻胶均匀涂布在晶圆表面，通过光刻机对晶圆表面指定区域的光刻胶进行曝光，光刻胶感光后性质发生改变，再将显影液通过喷嘴喷洒在晶圆表面，将感光区域或未感光区域的光刻胶去除，最终在晶圆表面形成需要的3d图案。
2、i-line光刻机制程是一种常用于半导体制造中的光刻工艺，采用波长为365nm的紫外光作为曝光光源。在i-line光刻机制程中，对光刻胶的厚度需求较大，一般超过10000a，所以，在显影时通常采用双重显影的制程方式来解决光刻胶过厚带来的显影不良问题，然而，双重显影制程中喷嘴第二次喷涂显影液时会被第一次喷涂的显影液在晶圆表面产生的大量碳残渣污染，被污染的喷嘴在显影时极易造成显影缺陷，降低晶圆产品的良品率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于解决上述技术问题之一，提供一种显影液喷洒方法。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种显影液喷洒方法，用于在i-line光刻机制程中对晶圆进行双重显影，包括以下步骤：
4、在承载台上放置晶圆；
5、对晶圆的表面进行涂胶与曝光处理；
6、控制显影液喷嘴移动至晶圆上方，使喷嘴与晶圆之间的距离为第一预定距离；
7、驱动喷嘴在晶圆上方沿第一方向水平移动，通过喷嘴向晶圆表面喷涂显影液，使显影液铺满晶圆表面；
8、提高喷嘴的高
9、驱动喷嘴在晶圆上方沿第二方向水平移动，通过喷嘴向晶圆表面喷涂显影液，使显影液再次铺满晶圆表面。
10、本专利技术一些实施例中，第一预定距离与第二预定距离之间的差值为1mm。
11、本专利技术一些实施例中，第一预定距离为1.2mm。
12、本专利技术一些实施例中，第二预定距离为2.2mm。
13、本专利技术一些实施例中，第二方向与第一方向为相反的方向。
14、本专利技术一些实施例中，还包括以下步骤：
15、放置晶圆后，驱动承载台旋转，以带动晶圆旋转。
16、本专利技术一些实施例中，还包括以下步骤：
17、设置预定间隔时间；
18、提高喷嘴的高度，等待预定间隔时间后，驱动喷嘴在晶圆上方沿第二方向水平移动。
19、本专利技术一些实施例中，喷嘴连接驱动装置，驱动装置包括第一驱动马达和第二驱动马达，第一驱动马达用于驱动喷嘴水平移动，第二驱动马达用于驱动喷嘴竖直移动；第一驱动马达和第二驱动马达均由可编程控制元件依据预设的马达参数控制。
20、本专利技术一些实施例中，还包括以下步骤：
21、设置第一驱动马达的马达参数，以控制喷嘴水平移动的移动方向与移动距离；
22、设置第二驱动马达的马达参数，以调节喷嘴与晶圆之间的距离。
23、本专利技术一些实施例中，第二马达的马达参数包括第一预定距离和偏移值，偏移值等于第一预定距离与第二预定距离的之间的差值。
24、本专利技术的有益效果在于：
25、1、本专利技术所提供的显影液喷洒方法采用双重显影的方式解决了i-line光刻机制程中因光刻胶的厚度较大导致的显影不良的问题；在双重显影工艺制程中，第一次喷涂显影液时将喷嘴与晶圆表面的相对距离控制为相对较近的第一预定距离，避免了喷嘴过高导致显影液分布不均匀；第二次喷涂显影液前，通过提高显影液喷嘴的高度、加大喷嘴与晶圆表面的相对距离，避免了显影液喷嘴在第二次喷涂显影液过程中被第一次喷涂的显影液在晶圆表面产生的大量残渣污染，有效提高了晶圆生产的合格率；
26、2、本专利技术所提供的显影液喷洒方法在现有机台的基础上，通过在第一次和第二次喷涂显影液之间设置马达竖向移动的偏移值控制喷嘴进行高度提升，操作简单，无需对现有机台结构进行改进，降低了晶圆的生产成本。
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1.一种显影液喷洒方法，用于在I-line光刻机制程中对晶圆进行双重显影，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第一预定距离与所述第二预定距离之间的差值为1mm。
3.根据权利要求1或2所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第一预定距离为1.2mm。
4.根据权利要求1或2所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第二预定距离为2.2mm。
5.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第二方向与所述第一方向为相反的方向。
6.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，还包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，还包括以下步骤：
8.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述喷嘴连接驱动装置，所述驱动装置包括第一驱动马达和第二驱动马达，所述第一驱动马达用于驱动所述喷嘴水平移动，所述第二驱动马达用于驱动所述喷嘴竖直移动；所述第一驱动马达和第二驱动马达均由可编程控制元件依据预设的马达参数控制。
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10.根据权利要求9所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第二马达的马达参数包括第一预定距离和偏移值，所述偏移值等于第一预定距离与所述第二预定距离的之间的差值。
...【技术特征摘要】
1.一种显影液喷洒方法，用于在i-line光刻机制程中对晶圆进行双重显影，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第一预定距离与所述第二预定距离之间的差值为1mm。
3.根据权利要求1或2所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第一预定距离为1.2mm。
4.根据权利要求1或2所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第二预定距离为2.2mm。
5.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，所述第二方向与所述第一方向为相反的方向。
6.根据权利要求1所述的显影液喷洒方法，其特征在于，还包括以下步骤：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：费春，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
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