【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，尤其涉及一种半导体制造方法及半导体结构。
技术介绍
1、自“摩尔定律”提出以来，微电子器件密度几乎沿着“摩尔定律”的预言发展。为了提高电路密度，微电子制造已由二维向三维发展。方法之一是将芯片堆叠以后进行封装，由此产生了三维电路封装技术(3d ic packaging)。在三维电路封装技术中，要实现硅芯片上下层之间的连接，制作互联导线、金属接点等不可避免地要进行沟槽打开和金属填洞的工艺。
2、然而，针对深宽比较大的沟槽进行填充时，很容易由于洞口先被封闭而在沟槽内填充地金属内部形成空缺(void)，造成后续金属线或金属接孔的短路失效或可靠度降低的问题，如何在沟槽内实现无空缺或少空缺地填充成为目前提高芯片质量和可靠性的亟需解决的问题。
技术实现思路
1、针对相关技术中存在的至少不足之处，本申请提供了一种半导体制造方法及半导体结构，可以实现无空缺或少空缺地填充，提高沟槽的填洞质量。
2、本申请第一方面提供一种半导体制造方法，至少包括以下步骤：>
3、提供一半本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述衬里层包括覆盖在所述沟槽内表面的填充部分以及位于所述沟槽外的所述半导体衬底表面之上的溢出部分，在向所述沟槽内填充填洞金属之前，还包括：移除所述衬里层的所述溢出部分。
3.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，所述衬里层的厚度为
4.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，所述衬里层包括位于下方的氮化物层和覆盖在所述氮化物层之上的金属层，所述金属层为钛、钴、钽、钨或钌，所述氮化物层为钛、钴、钽、钨或钌的氮化
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【技术特征摘要】
1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述衬里层包括覆盖在所述沟槽内表面的填充部分以及位于所述沟槽外的所述半导体衬底表面之上的溢出部分，在向所述沟槽内填充填洞金属之前，还包括：移除所述衬里层的所述溢出部分。
3.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，所述衬里层的厚度为
4.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，所述衬里层包括位于下方的氮化物层和覆盖在所述氮化物层之上的金属层，所述金属层为钛、钴、钽、钨或钌，所述氮化物层为钛、钴、钽、钨或钌的氮化物。
5.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，在向所述沟槽内填充填洞金属之前，还包括：向所述沟槽内通入还原性气体对所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文俊，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
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