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本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，该半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底中形成由半导体衬底的表面打开至内部的沟槽；向形成有沟槽的半导体衬底的表面沉积形成衬里层，衬里层覆盖沟槽的内表面，衬里层为金属或金属和金...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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