【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，具体涉及一种等离子沉积溅镀系统。
技术介绍
1、等离子沉积溅镀，是通过气体放电使气体激发形成等离子体，通过等离子体反应，对集体表面进行处理，生成沉积物。等离子沉积镀膜需要用到磁控溅射技术，控制电子在电场作用下加速与原子碰撞，飞向基片，高能量轰击靶材表面，使靶材发生溅射。
2、如图1所示，现有技术中，采用射频偏压做加速沉积，以改变等离子的方向，使等离子具有更好的准直性。如图2所示，对于芯片尺寸微缩，需要填充芯片孔洞，采用介电层及金属薄膜填充孔洞。这就对等离子运动方向的准直度提出了更高的要求。由于射频偏压的增大，射频加速后的等离子，除了预期加速沉积外，还会对芯片的表面产生轰击行为，若等离子运动的轨迹控制不佳，会使芯片表面产生等离子诱导损伤。
3、等离子沉积镀膜通常采用静态磁场，主要用以改变等离子分布，改变等离子路径。但静态磁场对电子的作用效果有限。
4、专利cn114318245a公开了一种旋转磁场导向沉积的真空镀膜设备，公开了一种通过在设备上增加旋转磁场的方法来改善等离子的运动...
【技术保护点】
1.等离子沉积溅镀系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，所述安装架包括间隔设置的内层安装支架，及外层安装支架，所述磁性元件被夹持设置在内层安装支架与外层安装支架之间。
3.如权利要求1所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，所述真空镀膜室的外周壁呈圆柱体，所述安装架形成环形磁性元件安装位。
4.如权利要求1所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，每个磁性元件均沿真空镀膜室轴向方向排列设置。
5.如权利要求4所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，所述磁性元件的N极朝向离子进入真空镀膜室...
【技术特征摘要】
1.等离子沉积溅镀系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，所述安装架包括间隔设置的内层安装支架，及外层安装支架，所述磁性元件被夹持设置在内层安装支架与外层安装支架之间。
3.如权利要求1所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，所述真空镀膜室的外周壁呈圆柱体，所述安装架形成环形磁性元件安装位。
4.如权利要求1所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，每个磁性元件均沿真空镀膜室轴向方向排列设置。
5.如权利要求4所述的等离子沉积溅镀系统，其特征在于，所述磁性元件的n极朝向离子进入真空镀膜室的第一端，s极朝向真空镀膜室的第二端。
6.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张添尚，伍至上，杨列勇，颜天才，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：新型
国别省市：
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