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本发明提供一种等离子沉积刻蚀溅镀系统。真空镀膜室用于等离子沉积溅镀反应，其包括第一端和第二端，离子经第一端进入真空镀膜室；所述真空镀膜室的内部设置有工作台，用于置放待处理芯片，位于第二端；安装架环绕真空镀膜室的外周壁设置，其上设置有磁性元件...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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