【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种晶圆加工方法及晶圆。
技术介绍
1、近年来绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,简称“igbt”)技术发展很快, 已成为电力电子领域最重要的大功率主流器件之一。最早igbt 种类有穿通型(punch through, 简称“pt”)和非穿通型(non-punch through,简称“npt”)。近年发展起来场终止(field stop,简称“fs”)结构的 igbt,其中 fs 区是n型掺杂区,比igbt中的 n-区掺杂浓度高,其作用是高压下电场强度在该层迅速减少实现电场终止。fs型igbt的导通压降或导通损耗低、导通压降温度系数为正,便于大功率的并联使用。
2、目前，制作 fs 型igbt 的最常用方法，参见图8，为：首先在硅衬底正面上制作mosfet器件，然后用研磨的方法从硅片背面去掉制作 mosfet时留下的残留层部分硅衬底，残留层一般包括sin、si02和多晶硅，研磨部分硅衬底的目的是使最终硅片厚度达到设计所需值，获得理想击穿电压和开关特性等；用离子注入机分别从硅片的背面注入n型和p 型杂质；采用热退火或者激光退火激活注入的杂质，形成fs 区和集电极极。因加工中的应力，现有的加工方法中，易造成硅片破片和研磨后的表面粗糙的问题。
技术实现思路
1、针对相关技术中存在的不足之处，本专利技术提供了一种晶圆加工方法及晶圆，解决晶圆减薄工艺中的破片、表面粗糙的技术问题。
2、
3、在一种可能的实施方式中，对晶圆背面减薄的中心区域进行刻蚀采用采用如下刻蚀方法中的一种或一种以上：干法刻蚀、湿法刻蚀、离子束刻蚀、电子束刻蚀和等离子体刻蚀。
4、在一种可能的实施方式中，晶圆为igbt晶圆。
5、根据本申请的另一方面，提供了一种晶圆，应用上述任一实施方式的晶圆加工方法，晶圆的初始厚度为775um，直径为300mm；晶圆在刻蚀中心区域后、沉积金属层前的中心区域的厚度为30um-150um。
6、基于上述技术方案，本专利技术实施方式的晶圆加工方法及晶圆，在晶圆加工过程中，减少破片，改善晶圆表面的平整性和均匀性，提高良品率。
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1.一种晶圆加工方法，其特征在于，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，其中：在步骤S50中，对晶圆背面研磨后的中心区域进行刻蚀，采用如下刻蚀方法中的一种或一种以上：干法刻蚀、湿法刻蚀、离子束刻蚀、电子束刻蚀和等离子体刻蚀。
3.根据权利要求2所述的晶圆加工方法，其特征在于，晶圆为IGBT晶圆。
4.一种晶圆，应用权利要求1-3中任一项所述的晶圆加工方法，其特征在于，晶圆的初始厚度为775um，直径为300mm；晶圆在刻蚀中心区域后、沉积金属层前的中心区域的厚度为30um-150um。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，其中：在步骤s50中，对晶圆背面研磨后的中心区域进行刻蚀，采用如下刻蚀方法中的一种或一种以上：干法刻蚀、湿法刻蚀、离子束刻蚀、电子束刻蚀和等离子体刻蚀。
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【专利技术属性】
技术研发人员：吕昆谚，黄任生，颜天才，杨列勇，陈为玉，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
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